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hofer powertrain和VisIC合作開發(fā)三電平800V氮化鎵逆變器
（全球TMT2021年12月17日訊）汽車動力總成技術公司hofer powertrain和高壓汽車應用氮化鎵(GaN)解決方案領域企業(yè)VisIC Technologies Ltd.宣布建立合作，共同開發(fā)用于800V汽車應用的基于氮化鎵的逆變器。 氮化鎵半導體是...
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使用氮化鎵(GaN)提高電源效率
如今，越來越多的設計者在各種應用中使用基于氮化鎵的反激式AC/DC電源。氮化鎵之所以很重要，是由于其有助于提高功率晶體管的效率，從而減小電源尺寸，降低工作溫度。
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落地、開工、投產(chǎn)，新一批半導體項目匯總
近日，一批半導體項目落地、開工、投產(chǎn)，涉及第三代半導體氮化鎵、存儲封測、以及硅晶圓外延片等領域。60億，第三代半導體氮化鎵項目落地福州近期，4個重大產(chǎn)業(yè)項目落地福州長樂區(qū)，涉及新材料、大數(shù)據(jù)、第三代半導體等，投資額超396億元，其中包括第三代半導體氮化鎵項目。據(jù)福州新聞網(wǎng)報道，第...
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Microchip持續(xù)擴大氮化鎵（GaN）射頻功率器件產(chǎn)品組合
全新單片微波集成電路（MMIC）和分立器件，可滿足5G、衛(wèi)星通信和國防應用的性能要求
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文章?|?使用氮化鎵(GaN)提高電源效率
注：原載于Bodos功率系統(tǒng)，2021年11月22日作者：DougBailey，PowerIntegrations市場營銷副總裁如今，越來越多的設計者在各種應用中使用基于氮化鎵的反激式AC/DC電源。氮化鎵之所以很重要，是由于其有助于提高功率晶體管的效率，從而減小電源尺寸，降低工...
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PI產(chǎn)品營銷總監(jiān)Chris Lee：利用氮化鎵芯片組實現(xiàn)高效率、超緊湊的反激式電源
注：原載于電源網(wǎng)訂閱號，2021年10月26日目前市面上出現(xiàn)了一個新的芯片組，它由具有耐用的750V氮化鎵(GaN)初級側開關的反激式IC方案與創(chuàng)新的高頻有源鉗位方案組合而成，能夠為手機、平板電腦和筆記本電腦設計出額定功率高達110W的新型超緊湊充電器。此芯片組來自PowerIn...
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e絡盟開售InnoSwitch?3系列IC，進一步擴大Power Integrations產(chǎn)品陣容
InnoSwitch3系列IC采用PowiGaN?技術，在各種負載條件下的效率均高達 95%，且在封閉式適配器應用中無需散熱片就可實現(xiàn)高達100W的輸出功率
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環(huán)旭電子宣布投資氮化鎵系統(tǒng)有限公司，加碼功率電子戰(zhàn)略
中國上海2021年11月24日 /美通社/ -- 今日，環(huán)旭電子（上海證券交易所股票代碼：601231）的全資子公司環(huán)鴻電子股份有限公司與氮化鎵系統(tǒng)有限公司（GaN Systems Inc.，簡稱“氮化鎵公司”）簽訂了一份股份認購協(xié)議，并成為氮化鎵公司新一輪融資的戰(zhàn)略投資者。 ...
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環(huán)旭電子投資氮化鎵系統(tǒng)有限公司，加碼功率電子戰(zhàn)略
（全球TMT2021年11月25日訊）環(huán)旭電子的全資子公司環(huán)鴻電子股份有限公司與氮化鎵系統(tǒng)有限公司（GaN Systems Inc.，簡稱“氮化鎵公司”）簽訂了一份股份認購協(xié)議，并成為氮化鎵公司新一輪融資的戰(zhàn)略投資者。氮化鎵公司是一家功率半導體公司，從事第三代半導體氮化鎵（Ga...
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納微半導體推出全球首款智能GaNFast氮化鎵功率芯片，GaNSense新技術登場
增加GaNSense?技術，全新GaNFast?氮化鎵功率芯片通過實時智能傳感和保護，為40億美元的手機充電器和消費市場帶來最高效率和可靠性
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PI產(chǎn)品營銷總監(jiān)Chris?Lee：利用氮化鎵芯片組實現(xiàn)高效率、超緊湊的反激式電源
注：原載于電源網(wǎng)訂閱號，2021年10月26日目前市面上出現(xiàn)了一個新的芯片組，它由具有耐用的750V氮化鎵(GaN)初級側開關的反激式IC方案與創(chuàng)新的高頻有源鉗位方案組合而成，能夠為手機、平板電腦和筆記本電腦設計出額定功率高達110W的新型超緊湊充電器。此芯片組來自PowerIn...
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有沒有必要買氮化鎵充電器
大家覺得氮化鎵充電器好用嗎?有什么推薦的品牌嗎?
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氮化鎵有什么用
關于氮化鎵充電器
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氮化鎵和普通充電器的區(qū)別
現(xiàn)在越來越多充電器開始換成氮化鎵充電器了，氮化鎵充電器看起來很小，但是功率一般很大，可以給手機平板，甚至筆記本電腦充電。那么氮化鎵到底是什么，氮化鎵充電器有哪些優(yōu)點，下文簡單做個分析。
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利用氮化鎵芯片組實現(xiàn)高效率、超緊湊的反激式電源
目前市面上出現(xiàn)了一個新的芯片組，它由具有耐用的750V氮化鎵(GaN)初級側開關的反激式IC方案與創(chuàng)新的高頻有源鉗位方案組合而成，能夠為手機、平板電腦和筆記本電腦設計出額定功率高達110W的新型超緊湊充電器。此芯片組來自Power Integrations，包含內部集成PowiGaN?開關的InnoSwitch?4-CZ零電壓開關(ZVS)反激式控制器和提供有源鉗位解決方案的ClampZero?產(chǎn)品系列。這些新IC可用于設計效率高達95%且在不同輸入電壓條件下保持恒定的反激式電源。
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市值超16億美元，這家氮化鎵企業(yè)成功上市
美東時間10月20日，GaN功率半導體廠商NavitasSemiconductor（“納微半導體”）成功在納斯達克全球市場交易，股票代碼為“NVTS”。有媒體報道稱，納微半導體的市值已超16億美元（16.17億美元）。資料顯示，納微半導體成立于2014年，是全球知名的氮化鎵功率芯...
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PI新款氮化鎵快充參考設計:進一步縮小快充體積
快充設計范例：DER-928PI于近期推出了一款USBPD快充設計范例報告（DER-928），這款設計范例使用了兩顆PowiGaN芯片實現(xiàn)了30.3W/in3的功率密度。設計范例用使用了高效率ACF拓撲，使用新款InnoSwitch4-CZ零電壓開關和ClampZero芯片芯片組...
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EPC擴大了 40 V eGaN?FET的產(chǎn)品陳容， 新產(chǎn)品是高功率密度電信、網(wǎng)通和計算解決方案的理想器件
EPC 推出了 40 V、1.6 m?的氮化鎵場效應晶體管 （eGaN? FET），器件型號為 ，專為設計人員而設，EPC2069比目前市場上可選的器件更小、更高效、更可靠，適用于高性能且空間受限的應用。
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多款內置PI PowiGaN芯片氮化鎵充電器成為京東暢銷產(chǎn)品
八款熱銷產(chǎn)品任你選~
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ST 和Exagan開啟GaN發(fā)展新篇章
氮化鎵(GaN)是一種III-V族寬能隙化合物半導體材料，能隙為3.4 eV，電子遷移率為1,700 cm2/Vs，而硅的能隙和電子遷移率分別為1.1 eV和1,400 cm2/Vs。
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