EPC的氮化鎵專家將在APEC展會展示用于各種應用的新型GaN FET和IC產(chǎn)品
【2024年1月25日,德國慕尼黑和中國深圳訊】英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX /OTCQX代碼:IFNNY)近日宣布其與全球充電技術領域的領導者安克創(chuàng)新(Anker Innovations) 在深圳聯(lián)合成立創(chuàng)新應用中心。該創(chuàng)新應用中心全面投入運營之后,將為開發(fā)能夠減少二氧化碳排放的高能效充電解決方案鋪平道路,從而推動低碳化進程。
Weltrend新參考設計表明,擁有成本優(yōu)勢的SuperGaN SiP IC,適用于65瓦和100瓦適配器 ,為客戶帶來規(guī)模經(jīng)濟以及無與倫比的氮化鎵穩(wěn)健性
EPC公司的氮化鎵專家將在國際消費電子展(CES)上分享氮化鎵技術如何增強消費電子產(chǎn)品的功能和性能
2023年12月15日,中國-意法半導體的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化鎵系列產(chǎn)品推出了下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋芯片,利用寬禁帶半導體技術簡化電源設計,實現(xiàn)最新的生態(tài)設計目標。
三款新器件為SMD的高功率系統(tǒng)帶來了SuperGaN的常閉型(Normally-Off D-Mode)平臺優(yōu)勢,此類高功率系統(tǒng)需要在高功率密度的情況下實現(xiàn)更高的可靠性和性能,并產(chǎn)生較低的熱量
專為大功率應用而設計的隔離式柵極驅(qū)動器,有助于加速氮化鎵半導體在數(shù)據(jù)中心、可再生能源和電動汽車領域的應用
近日,在成功舉辦的2023意法半導體工業(yè)峰會上,意法半導體展示了作為工業(yè)上游的領軍半導體企業(yè),對當下第三代半導體技術、落地方案和生態(tài)戰(zhàn)略等方面的布局。換句話來說,意法半導體正在捕捉國內(nèi)工業(yè)數(shù)智化深度變革的一次機遇,并為各產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展提供堅實的全方位支持。
近幾年,PI圍繞氮化鎵技術,已經(jīng)先后推出了750V和900V耐壓的PowiGaN?開關器件;而如今,PI為了進一步提高開關電源的效率和可靠性,又全新開發(fā)了一款單管氮化鎵電源IC——InnoSwitch?3-EP 1250V IC,旨在滿足工業(yè)用電的更高需求和期望。
COSEL株式會社(英文名稱: COSEL CO., LTD. )(6905: 東京)今天宣布推出新一代工業(yè)用高緊湊電源TE系列。TE系列采用寬帶隙氮化鎵半導體、高頻平面變壓器和增強型反激拓撲等先進技術,包括45W(TECS/TEPS45F)和65W(TECS/TEPS65F),安裝面積分別為1 x 2.3(TEPS)和1 x 3(TECS)英寸。12V和24V輸出型為承受峰值負載,可提供140%的功率,效率高達93.5%。備有兩款機型(采用引腳(TEPS)或連接器(TECS))可供選擇,兩者安裝面積兼容,便于系統(tǒng)升級。標準產(chǎn)品以開放式機架交付,可選配防塵機殼。
InnoSwitch3-EP 1250V IC強化了公司在高壓氮化鎵技術領域的持續(xù)領先地位!
【2023 年 10 月 25 日,德國慕尼黑和加拿大渥太華訊】英飛凌科技股份公司(FSE 代碼:IFX / OTCQX 代碼:IFNNY)今日宣布完成收購氮化鎵系統(tǒng)公司(GaN Systems,以下同)。這家總部位于加拿大渥太華的公司,為英飛凌帶來了豐富的氮化鎵 (GaN) 功率轉換解決方案產(chǎn)品組合和領先的應用技術。已獲得所有必要的監(jiān)管部門審批,交易結束后,GaN Systems 已正式成為英飛凌的組成部分。
2023年10月13日,譽鴻錦半導體在深圳國際會展中心(寶安新館)正式舉辦氮化鎵(GaN)器件品牌發(fā)布會,暨譽鴻錦2023年度GaN功率電子器件及招商發(fā)布會活動。
使用更為先進的 Transphorm氮化鎵器件,使突破性的太陽能電池板系統(tǒng)外形更小、更輕,且擁有更高的性能和效率。
【新竹訊 – 2023年9月27日】全球氮化鎵功率半導體領導廠商GaN Systems 今推出全新第四代氮化鎵平臺 (Gen 4 GaN Power Platform),不僅在能源效率及尺寸上確立新的標竿,更提供顯著的性能表現(xiàn)優(yōu)化及業(yè)界領先的質(zhì)量因子 (figures of merit)。以GaN Systems 在 2022 年發(fā)表的 3.2kW 人工智能(AI) 服務器電源供應器來看,改采用最新第四代平臺,不僅效率超過鈦金級能效標準,功率密度更從 100W/in3 提升至 120W/in3。
新能源汽車和光伏,儲能設施在全球加速普及,為第三代半導體碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件產(chǎn)業(yè)的落地提供了前所未有的契機。長電科技厚積薄發(fā)定位創(chuàng)新前沿,多年來面向第三代半導體功率器件開發(fā)完成的高密度成品制造解決方案進入產(chǎn)能擴充階段,預計2024年起相關產(chǎn)品營收規(guī)模翻番,將有利促進第三代半導體器件在全球應用市場的快速上量。
2023 年 9 月 6 日,中國 ——意法半導體推出了首款具有電流隔離功能的氮化鎵 (GaN) 晶體管柵極驅(qū)動器,新產(chǎn)品 STGAP2GS縮小了芯片尺寸,降低了物料清單成本,能夠滿足應用對寬禁帶芯片的能效以及安全性和電氣保護的更高要求。
8月29日消息,倍思發(fā)布了星云系列交流充電樁,首次將GaN氮化鎵技術引入家用充電樁,提供更低待機功效、更少熱損耗的環(huán)保家充方案。
與安川電機公司合作取得的這項成果,充分利用了 Transphorm 常關型平臺的基本優(yōu)勢。
氮化鎵(GaN)產(chǎn)品讓消費電子、工業(yè)和汽車系統(tǒng)更高效、更緊湊