2024年慕尼黑上海光博會于3月20-22日舉行,陜西光電子先導院科技有限公司攜VCSEL單孔晶圓、VCSEL陣列晶圓、砷化鎵(GaAs)IPD晶圓、氮化鎵(GaN)HEMT晶圓4項成果亮相,展位上的各項產(chǎn)品吸引了眾多參觀者駐足、交流。
傳統(tǒng)的普通充電器的基礎材料是硅,硅也是電子行業(yè)內(nèi)非常重要的材料。但隨著硅的極限逐步逼近,加之隨著快充功率的增大,快充頭體積也就更大,攜帶起來非常不方便;一些大功率充電器長時間充電還容易引起充電頭發(fā)熱。
【2024年3月11日,德國慕尼黑和美國紐約州西塞內(nèi)卡訊】英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)宣布與Worksport Ltd.(Nasdaq代碼:WKSP;WKSPW)合作,共同利用氮化鎵(GaN)降低便攜式發(fā)電站的重量和成本。Worksport將在其便攜式發(fā)電站轉(zhuǎn)換器中使用英飛凌的GaN功率半導體GS-065-060-5-B-A提高效能和功率密度。在采用英飛凌GaN晶體管后,該功率轉(zhuǎn)換器將變得更輕、更小,系統(tǒng)成本也將隨之降低。此外,英飛凌還將幫助Worksport優(yōu)化電路和布局設計,進一步縮小尺寸并提高功率密度。
有助于簡化工業(yè)電源、便攜式設備充電器和交流/直流適配器操作,節(jié)省電能
中國上海(2024 年 3 月 6 日)– 德州儀器 (TI)(NASDAQ 代碼:TXN)今日推出兩個全新的功率轉(zhuǎn)換器件產(chǎn)品系列,可幫助工程師在更小的空間內(nèi)實現(xiàn)更高的功率,從而以更低的成本提供超高的功率密度。德州儀器新款 100V 集成氮化鎵 (GaN) 功率級采用熱增強雙面冷卻封裝技術,可簡化中壓應用的熱設計并實現(xiàn)超高的功率密度(高于 1.5kW/in3)。德州儀器新款 1.5W 隔離式直流/直流模塊集成了變壓器,具有業(yè)界超高功率密度和超小尺寸,可幫助工程師將汽車和工業(yè)系統(tǒng)中的隔離式輔助電源尺寸縮小 89% 以上。
業(yè)內(nèi)消息,近日新加坡 RF GaN(射頻氮化鎵)芯片供應商 Gallium Semiconductor(加聯(lián)賽半導體)突然終止業(yè)務并解雇所有員工,包括位于荷蘭奈梅亨的研發(fā)中心。
EPC的氮化鎵專家將在APEC展會展示用于各種應用的新型GaN FET和IC產(chǎn)品
【2024年1月25日,德國慕尼黑和中國深圳訊】英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX /OTCQX代碼:IFNNY)近日宣布其與全球充電技術領域的領導者安克創(chuàng)新(Anker Innovations) 在深圳聯(lián)合成立創(chuàng)新應用中心。該創(chuàng)新應用中心全面投入運營之后,將為開發(fā)能夠減少二氧化碳排放的高能效充電解決方案鋪平道路,從而推動低碳化進程。
Weltrend新參考設計表明,擁有成本優(yōu)勢的SuperGaN SiP IC,適用于65瓦和100瓦適配器 ,為客戶帶來規(guī)模經(jīng)濟以及無與倫比的氮化鎵穩(wěn)健性
EPC公司的氮化鎵專家將在國際消費電子展(CES)上分享氮化鎵技術如何增強消費電子產(chǎn)品的功能和性能
2023年12月15日,中國-意法半導體的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化鎵系列產(chǎn)品推出了下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋芯片,利用寬禁帶半導體技術簡化電源設計,實現(xiàn)最新的生態(tài)設計目標。
三款新器件為SMD的高功率系統(tǒng)帶來了SuperGaN的常閉型(Normally-Off D-Mode)平臺優(yōu)勢,此類高功率系統(tǒng)需要在高功率密度的情況下實現(xiàn)更高的可靠性和性能,并產(chǎn)生較低的熱量
專為大功率應用而設計的隔離式柵極驅(qū)動器,有助于加速氮化鎵半導體在數(shù)據(jù)中心、可再生能源和電動汽車領域的應用
近日,在成功舉辦的2023意法半導體工業(yè)峰會上,意法半導體展示了作為工業(yè)上游的領軍半導體企業(yè),對當下第三代半導體技術、落地方案和生態(tài)戰(zhàn)略等方面的布局。換句話來說,意法半導體正在捕捉國內(nèi)工業(yè)數(shù)智化深度變革的一次機遇,并為各產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展提供堅實的全方位支持。
近幾年,PI圍繞氮化鎵技術,已經(jīng)先后推出了750V和900V耐壓的PowiGaN?開關器件;而如今,PI為了進一步提高開關電源的效率和可靠性,又全新開發(fā)了一款單管氮化鎵電源IC——InnoSwitch?3-EP 1250V IC,旨在滿足工業(yè)用電的更高需求和期望。
COSEL株式會社(英文名稱: COSEL CO., LTD. )(6905: 東京)今天宣布推出新一代工業(yè)用高緊湊電源TE系列。TE系列采用寬帶隙氮化鎵半導體、高頻平面變壓器和增強型反激拓撲等先進技術,包括45W(TECS/TEPS45F)和65W(TECS/TEPS65F),安裝面積分別為1 x 2.3(TEPS)和1 x 3(TECS)英寸。12V和24V輸出型為承受峰值負載,可提供140%的功率,效率高達93.5%。備有兩款機型(采用引腳(TEPS)或連接器(TECS))可供選擇,兩者安裝面積兼容,便于系統(tǒng)升級。標準產(chǎn)品以開放式機架交付,可選配防塵機殼。
InnoSwitch3-EP 1250V IC強化了公司在高壓氮化鎵技術領域的持續(xù)領先地位!
【2023 年 10 月 25 日,德國慕尼黑和加拿大渥太華訊】英飛凌科技股份公司(FSE 代碼:IFX / OTCQX 代碼:IFNNY)今日宣布完成收購氮化鎵系統(tǒng)公司(GaN Systems,以下同)。這家總部位于加拿大渥太華的公司,為英飛凌帶來了豐富的氮化鎵 (GaN) 功率轉(zhuǎn)換解決方案產(chǎn)品組合和領先的應用技術。已獲得所有必要的監(jiān)管部門審批,交易結(jié)束后,GaN Systems 已正式成為英飛凌的組成部分。
2023年10月13日,譽鴻錦半導體在深圳國際會展中心(寶安新館)正式舉辦氮化鎵(GaN)器件品牌發(fā)布會,暨譽鴻錦2023年度GaN功率電子器件及招商發(fā)布會活動。
使用更為先進的 Transphorm氮化鎵器件,使突破性的太陽能電池板系統(tǒng)外形更小、更輕,且擁有更高的性能和效率。