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EPC 在意大利開設(shè)基于 GaN 的電機驅(qū)動設(shè)計應(yīng)用中心
新興電子應(yīng)用需要能夠從更緊湊的平臺中獲得更高性能的電機設(shè)計。設(shè)計人員很難滿足基于傳統(tǒng)硅 MOSFET 和 IGBT 的電機驅(qū)動器電路的新要求。隨著硅技術(shù)達到功率密度、擊穿電壓和開關(guān)頻率的理論極限，設(shè)計人員控制功率損耗變得更加困難。這些限制的主要影響是在高工作溫度和高開關(guān)率下的次優(yōu)效率和額外的性能問題。
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注意柵極驅(qū)動器的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器電源使用
這有點像灰姑娘或丑小鴨的童話故事：多年來，各種類型、大小和速度的處理器都是一般媒體關(guān)注的迷人主題以及主要的研發(fā)投資。與此同時，功率器件——主要是基于硅的 MOSFET 和 IGBT——顯然被低估了，并且作為本應(yīng)乏味的功率利基市場的一部分在背景中萎靡不振。
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3000萬美元芯片資金到賬，氮化鎵芯片將迎新王
據(jù)業(yè)內(nèi)信息報道，Global Foundries公司于獲得了3000萬美元的芯片法案基金，而該筆資金還只是今年綜合撥款的一部分。Global Foundries公司表示將用這些錢來支持氮化鎵芯片的研發(fā)，并希望成為制造的全球領(lǐng)導(dǎo)者。
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關(guān)于氮化鎵實際使用的熱管理方面討論
所以，我想說這個概念是完全可擴展的。因此，我們可以為低功率制作非常高的 RDS (on) 部件，或為高功率制作非常低的 RDS (on) 部件。通過簡單地重塑設(shè)計，它可以擴展到低電壓，但這個概念是成立的。這就是我們基本上認為我們已經(jīng)實現(xiàn)了最初目標(biāo)的方式。
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我們?nèi)绾慰创磥韼啄甑?GaN?
我們?nèi)绾慰创磥韼啄甑?GaN?與 GaN 競爭的其他寬帶隙材料有哪些?所以，我提到了碳化硅。因此，這些天來，我們也在談?wù)撾妱悠嚒Ｄ敲?，與其他解決方案相比，GaN 在哪些方面可以提供更好的價值呢?我們期望在哪里看到下一波增長?
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Dieter Liesabeths將加入VisIC擔(dān)任產(chǎn)品高級副總裁
（全球TMT2022年10月12日訊）作為汽車應(yīng)用氮化鎵（GaN）解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)者，VisIC Technologies LTD公司宣布： Dieter Liesabeths將加入公司，擔(dān)任產(chǎn)品高級副總裁。Dieter在半導(dǎo)體行業(yè)擁有超過30年的豐富經(jīng)驗，他的加入將推動氮化...
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氮化鎵技術(shù)討論，第二部分
目前有幾個 GaN 器件概念。那么你能告訴我哪些是主要的，從設(shè)計的角度來看你的發(fā)展方向是什么? 所以我想說有很多概念，遠不止兩個，但不知何故，我們可以談?wù)摌O端：所謂的Cascode GaN和所謂的增強模式GaN。由于我的第一家公司，級聯(lián) GaN 實際上是第一個誕生的。當(dāng)功率 GaN 研究的先驅(qū) International Rectifier 首次開始開發(fā)基于級聯(lián)的 GaN 解決方案時，我就在那里。
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南郵王永進團隊研制出同質(zhì)集成光發(fā)射光接收器件的氮化鎵光電子芯片 | 《電子與信息學(xué)報》佳文速遞
光電子集成本質(zhì)上是采用兼容的制造工藝，將驅(qū)動、光發(fā)射、光波導(dǎo)、調(diào)制、光探測、放大等器件做在一塊芯片上，實現(xiàn)邏輯電路與光子回路的融合集成，芯片內(nèi)采用光子進行信息傳輸，與集成電子芯片相比，實現(xiàn)芯片內(nèi)信息傳輸速率、容量的飛躍，并降低功耗和熱效應(yīng)。
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柵極驅(qū)動器的重要性，第一部分
碳化硅和氮化鎵開關(guān)器件是所有電源電路中主要使用的元件。盡管它們在運行速度、高電壓、處理電流和低功耗等固有特性方面取得了優(yōu)異的成績，但設(shè)計人員將所有注意力都集中在此類設(shè)備上，而常常忘記將自己的精力投入到相關(guān)的驅(qū)動器上。
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GaN半橋電源集成電路最大限度地提高性能，降低成本
氮化鎵是一種具有較大帶隙的下一代半導(dǎo)體技術(shù)，已成為精密電力電子學(xué)發(fā)展的關(guān)鍵。它比硅快20×，可以提供高達3×的功率或充電，其尺寸和重量是硅器件的一半。
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寬帶隙材料滿足 EV 功率和效率要求
碳化硅和氮化鎵技術(shù)在過去幾年中取得了巨大的發(fā)展，被證明是商業(yè)上可用的節(jié)能技術(shù)。來自領(lǐng)先半導(dǎo)體公司、大學(xué)和機構(gòu)的講師解釋了寬帶隙半導(dǎo)體如何實現(xiàn)清潔能源制造、高科技、創(chuàng)造就業(yè)和節(jié)能。
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與科創(chuàng)板共同成長，中微公司迎來上市三周年
多元化產(chǎn)業(yè)布局，以"硬科技"推動硬實力持續(xù)躍升 上海2022年7月22日 /美通社/ -- 科創(chuàng)板開市三周年之際，作為科創(chuàng)板首批上市的25家企業(yè)之一的中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡稱"中微公司"，上交所股票代碼：688012）...
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老化測試提高了 SiC 和 GaN 的可靠性
新型寬帶隙半導(dǎo)體(如碳化硅和氮化鎵)在市場上的擴散對傳統(tǒng)的老化和測試系統(tǒng)提出了挑戰(zhàn)，因為裸片尺寸越來越小，并且組件可以承受更高的電壓和溫度。
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電源設(shè)計說明：面向高性能應(yīng)用的新型 SiC 和 GaN FET 器件分析
在本文中，我們分析了一些碳化硅和氮化鎵 FET器件的靜態(tài)和動態(tài)行為。公司正在將精力集中在這些類型的組件上，這些組件允許創(chuàng)建高效轉(zhuǎn)換器和逆變器。
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SiC 和 GaN：兩種半導(dǎo)體的功率器件發(fā)展
在過去的幾十年中，碳化硅和氮化鎵技術(shù)的進步一直以發(fā)展、行業(yè)接受度不斷提高和有望實現(xiàn)數(shù)十億美元收入為特征。第一個商用 SiC 器件于 2001 年以德國英飛凌的肖特基二極管的形式問世。隨之而來的是快速發(fā)展，到 2026 年，工業(yè)部門現(xiàn)在有望超過 40 億美元。
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PCIM Europe歐洲電力電子系統(tǒng)及元器件展-氮化鎵器件
PCIM 見證了許多公司與氮化鎵和碳化硅合作。用于電動汽車的半導(dǎo)體和能源革命——所有這一切都是一個快速發(fā)展的生態(tài)系統(tǒng)。SiC 和 GaN 器件具有比 Si 高得多的臨界擊穿電壓，允許更薄的漂移層和更高的摻雜濃度。對于給定的芯片面積和額定電壓，這會降低導(dǎo)通電阻，從而通過降低功率損耗提供更高的效率。
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GaN Systems HD半橋雙極驅(qū)動開關(guān)評估板在貿(mào)澤開售
2022年6月14日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics, Inc.) 即日起開始分銷GaN Systems的GS-EVB-HB-0650603B-HD半橋雙極驅(qū)動開關(guān)評估板。這種緊湊的氮化鎵 (GaN) 增強模式 (e-mode) 半橋評估板性能優(yōu)異，同時減少了組件總數(shù)，節(jié)省了寶貴的電路板空間。
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EPC開拓"GaN Talk支持論壇"平臺，旨在協(xié)助工程師加速研發(fā)基于高性能氮化鎵器件的功率系統(tǒng)和加快產(chǎn)品上市步伐
宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)新推線上論壇，為工程師提供產(chǎn)品信息、答疑解難和分享採用氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢。
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Nexperia和KYOCERA AVX Components Salzburg 就車規(guī)氮化鎵功率模塊達成合作
將成熟的GaN技術(shù)與創(chuàng)新型封裝專業(yè)知識相結(jié)合
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EPC新推最小型化的100 V、2.2 m? 氮化鎵場效應(yīng)晶體管
宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)新推100 V、2.2 mΩ的氮化鎵場效應(yīng)晶體管(EPC2071),為設(shè)計工程師提供比硅MOSFET更小、更高效的器件，用于高性能、占板面積受限的應(yīng)用。
