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2nm研發(fā)取得重大突破！臺積電邁向GAA為什么比三星晚？
根據(jù)臺灣經(jīng)濟(jì)日報報道，近日臺積電在2nm研發(fā)上取得重大突破，目前已找到路徑，將切入全環(huán)柵場效應(yīng)晶體管GAA，這是臺積電繼從鰭式場效應(yīng)晶體管FinFET技術(shù)取得全球領(lǐng)先地位之后，向另一全新的技術(shù)節(jié)點邁進(jìn)
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臺媒：臺積電2nm制程研發(fā)取得突破 將切入GAA技術(shù)
7月13日消息，據(jù)臺灣媒體報道，臺積電沖刺先進(jìn)制程，在2nm研發(fā)有重大突破，已成功找到路徑，將切入環(huán)繞式柵極技術(shù)(gate-all-around，簡稱GAA)技術(shù)。 臺積電 臺媒稱，三星已決定在3n
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臺積電邁向GAA，2nm芯片取得重大突破
據(jù)報道，臺積電在 2nm 研發(fā)有重大突破，并且已成功找到路徑，臺積電2nm預(yù)計將在2023至2024推出，該技術(shù)為切入環(huán)繞式柵極技術(shù) (gate-all-around，簡稱 GAA技術(shù))。盡管5nm剛實現(xiàn)量產(chǎn)不久，臺積電和三星就開始瞄準(zhǔn)更先進(jìn)的制程。
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重大突破！臺積電2nm制程研發(fā)神速：將切入GAA技術(shù)
據(jù)7月13日消息，臺灣媒體報道，臺積電沖刺先進(jìn)制程，在2nm研發(fā)有重大突破，已成功找到路徑，將切入環(huán)繞式柵極技術(shù)(gate-all-around，簡稱GAA)技術(shù)。
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臺積電、三星爭霸2nm工藝：能做出來 就怕沒人用得起
根據(jù)臺積電的規(guī)劃，他們今年上半年就會量產(chǎn)5nm EUV工藝，下半年產(chǎn)能會提升到7-8萬片晶圓/月，今年的產(chǎn)能主要是供給蘋果和華為。臺積電的3nm工藝工藝今年也會啟動建設(shè)，三星更是搶先宣布了3nm GA
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中國CPU芯片將實現(xiàn)彎道超車 中科院表示國產(chǎn)2nm芯片有望破冰
近日，中科院對外宣布，中國科學(xué)家研發(fā)出了新型垂直納米環(huán)柵晶體管，這種新型晶體管被視為2nm及一下工藝的主要技術(shù)候選。這意味著此項技術(shù)成熟后，國產(chǎn)2nm芯片有望成功“破冰”，意義重大。 目前最為先進(jìn)的
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臺積電3nm工藝進(jìn)展順利 2nm工藝2024年量產(chǎn)
隨著高通驍龍865使用臺積電N7+工藝量產(chǎn)，臺積電的7nm工藝又多了一個大客戶，盡管三星也搶走了一部分7nm EUV訂單，不過整體來看臺積電在7nm節(jié)點上依然是搶占了最多的客戶訂單，遠(yuǎn)超三星。 接下來
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臺積電CEO：2nm工藝已有先導(dǎo)規(guī)劃 將給4萬員工發(fā)紅包
11月2日，全球第一大晶圓代工廠臺積電舉行了公司成立33周年慶典，董事長、聯(lián)席CEO劉德音談到了臺積電的先進(jìn)工藝規(guī)劃，最先進(jìn)的2nm工藝也進(jìn)入了先導(dǎo)規(guī)劃中，明年則會量產(chǎn)5nm工藝。 劉德音談到了臺積電
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全球第一 臺積電宣布研發(fā)2nm工藝 2024年問世
在今天開幕的科技創(chuàng)新論壇會議上，臺積電研發(fā)負(fù)責(zé)人、技術(shù)研究副總經(jīng)理黃漢森除了探討未來半導(dǎo)體工藝延續(xù)到0.1nm的可能之外，還宣布了一個重要消息—;—;臺積電已經(jīng)啟動2nm工藝研發(fā)，預(yù)計四年后問世。 在
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沖向2nm工藝！臺積電豪砸460億元
臺積電董事會已經(jīng)批準(zhǔn)了大約65億美元(折合人民幣460億元)的資本撥款投資，將用于新工藝研發(fā)與升級、新工廠建設(shè)與產(chǎn)能擴(kuò)充等等。 臺積電上個月曾披露，今年的資本支出總額將超過110億美元，高于早先預(yù)計的
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臺積電豪砸460億元擴(kuò)充產(chǎn)能 沖向2nm工藝
臺積電董事會已經(jīng)批準(zhǔn)了大約65億美元(折合人民幣460億元)的資本撥款投資，將用于新工藝研發(fā)與升級、新工廠建設(shè)與產(chǎn)能擴(kuò)充等等。 臺積電上個月曾披露，今年的資本支出總額將超過110億美元，高于早先預(yù)計的
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半導(dǎo)體五年內(nèi)進(jìn)入將2納米，臺灣欲靠基礎(chǔ)研究突破物理極限
臺積電10納米量產(chǎn)目前已進(jìn)入量產(chǎn)，2年后將進(jìn)入7納米，不到5年將進(jìn)入3納米、2納米。
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