今年早些時(shí)候,有傳聞稱日本將和美國(guó)聯(lián)合研發(fā)2nm制程工藝,有投資者擔(dān)心這會(huì)對(duì)臺(tái)積電造成一定影響。
前不久美國(guó)總統(tǒng)訪問了日本,商討了半導(dǎo)體方面的合作,傳聞兩國(guó)將聯(lián)手研發(fā)新一代芯片工藝,包括2nm及以下的先進(jìn)工藝,目的是擺脫對(duì)臺(tái)積電的依賴,而臺(tái)積電也在日前的股東會(huì)議上表示他們并不擔(dān)心被超越。
芯片制造企業(yè)中,臺(tái)積電的技術(shù)最為先進(jìn),根據(jù)臺(tái)積電發(fā)布的消息可知,其計(jì)劃今年下半年量產(chǎn)3nm芯片,2023年量產(chǎn)N4X工藝的芯片,2024年量產(chǎn)2nm芯片。由于全球缺芯,再加上臺(tái)積電芯片制造技術(shù)先進(jìn),其近年來的可以說是高速增長(zhǎng)。
我國(guó)是世界芯片消耗大國(guó),芯片領(lǐng)域的風(fēng)吹草動(dòng),都會(huì)引起許多國(guó)人的關(guān)注。而近幾年備受關(guān)注的事情,無疑是臺(tái)積電赴美建廠。
美國(guó)和日本關(guān)系確實(shí)鐵,不僅在軍事和外交上鐵,在科技領(lǐng)域上也是一樣。譬如,在5G射頻芯片領(lǐng)域,美日就是行業(yè)內(nèi)的領(lǐng)頭羊,主導(dǎo)先進(jìn)技術(shù),并通過技術(shù)壟斷讓華為至今都裝不上5G射頻芯片,吃相固然難看,但也足見美日在技術(shù)上的先進(jìn)性
臺(tái)積電已經(jīng)多次明確,3nm將在下半年規(guī)模投產(chǎn)。
4月21日消息,據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,晶圓代工龍頭臺(tái)積電位于臺(tái)灣竹科寶山二期的2nm晶圓廠Fab 20建廠計(jì)劃已正式啟動(dòng)。這意味著芯片將步入2nm時(shí)代了嗎?
近兩年來,美國(guó)對(duì)華為等我國(guó)科技企業(yè)的芯片封鎖,驗(yàn)證了幾年前外媒對(duì)“中國(guó)芯”的評(píng)價(jià)--比較落后,但“中國(guó)芯”的落后是指?jìng)鹘y(tǒng)的硅基芯片。
高通中國(guó)研發(fā)總監(jiān)徐晧在5G技術(shù)演進(jìn)分享會(huì)上表示,目前已有205多家運(yùn)營(yíng)商部署了5G商用網(wǎng)絡(luò),280多家運(yùn)營(yíng)商正在投資5G技術(shù)。
作為IDM 2.0戰(zhàn)略中的重要一環(huán),Intel昨晚正式宣布了歐洲地區(qū)的芯片投資計(jì)劃,10年內(nèi)計(jì)劃投資800億歐元(約合5580億人民幣),首批投資330億歐元,涉及德國(guó)、法國(guó)等多個(gè)國(guó)家,還計(jì)劃量產(chǎn)2nm以下的芯片。
2021年Intel在半導(dǎo)體芯片上有個(gè)戰(zhàn)略轉(zhuǎn)變,除了自建工廠生產(chǎn)自家處理器之外,還要重新進(jìn)入代工市場(chǎng),同時(shí)也加強(qiáng)與晶圓代工廠的合作,此前有消息稱他們已經(jīng)拿了臺(tái)積電3nm一半產(chǎn)能,現(xiàn)在又要跟臺(tái)積電合作開發(fā)2nm工藝。
中國(guó)臺(tái)灣省多個(gè)當(dāng)?shù)孛襟w報(bào)道稱,臺(tái)積電公司總裁魏哲家表示,臺(tái)積電近年在新竹、臺(tái)南、高雄都積極擴(kuò)廠投資,為考量產(chǎn)能的平衡以及風(fēng)險(xiǎn)的分散,臺(tái)中一定是擴(kuò)廠的選擇之一。
在先進(jìn)半導(dǎo)體工藝上,臺(tái)積電目前是無可爭(zhēng)議的老大,Q3季度占據(jù)全然53%的晶圓代工份額,三星位列第二,但份額只有臺(tái)積電的1/3,所以三星押注了下一代工藝,包括3nm及未來的2nm工藝。
IBM中國(guó)日前發(fā)布視頻,題為《YYDS!IBM發(fā)布全球首個(gè)2nm芯片》。
這兩年,臺(tái)積電、三星在先進(jìn)工藝上你追我趕,下一步比拼的就是3nm、2nm。
昨天,Intel公布了全新的CPU工藝路線圖,7、4、3、20A、18A制程以及各種封裝技術(shù)輪番登場(chǎng),還宣布將為亞馬遜、高通提供代工服務(wù)。
日前,IBM宣布造出了全球第一顆2nm工藝的半導(dǎo)體芯片。
據(jù)摩爾定律延續(xù),由14nm,7nm,再到5nm,芯片制程工藝技術(shù)一直在突破。在5nm剛剛起步實(shí)現(xiàn)大規(guī)模突破的時(shí)候,臺(tái)積電對(duì)于2nm芯片工藝技術(shù)的研發(fā)就已經(jīng)實(shí)現(xiàn)重大突破,并開始向1nm制程邁進(jìn)。
據(jù)臺(tái)媒透露,有別于3nm與5nm采用鰭式場(chǎng)效晶體管(FinFET)架構(gòu),臺(tái)積電2nm改采全新的多橋通道場(chǎng)效晶體管(MBCFET)架構(gòu),研發(fā)進(jìn)度超前。根據(jù)臺(tái)積電近年來整個(gè)先進(jìn)制程的布局,業(yè)界估計(jì),臺(tái)積電2nm將在2023下半年推出,有助于其未來持續(xù)拿下蘋果、輝達(dá)等大廠先進(jìn)制程大單,狠甩三星。
8月26日消息,據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,臺(tái)積電正規(guī)劃建2nm及3nm廠,未來資本支出有望高達(dá)新臺(tái)幣1.2兆元(約合人民幣2822億元),臺(tái)積電供應(yīng)商漢唐、帆宣將受惠。 臺(tái)積電 臺(tái)積電昨日在技術(shù)論壇說明最新建