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臺積電要派600工程師赴日，魏哲家：發(fā)展2nm難度不??！
昨天，臺積電總裁魏哲家在臺北玉山科技論壇上發(fā)表了名為《半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的新挑戰(zhàn)》的演講，其中談及赴日建廠的原因，并首次透露將派500~600名頂級工程師前往日本。
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曝臺積電1nm新廠最早或于2026年動工
業(yè)內(nèi)分析稱，臺積電1奈米廠最快2026年中可開始動土，最快2027年試產(chǎn)、2028年量產(chǎn)。
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日本攻關(guān)2nm工藝，確定聯(lián)手IBM
據(jù)報(bào)道，為了攻克2nm先進(jìn)工藝，日本已經(jīng)制定復(fù)興計(jì)劃，聯(lián)手歐洲IMEC之后又確定聯(lián)手IBM。
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最新報(bào)道曝光：全球晶圓代工巨頭已獲特斯拉全自動駕駛(FSD)芯片代工訂單
代工現(xiàn)象在電子產(chǎn)品的比率特別高，比如筆記本中著名代工廠家廣達(dá)所生產(chǎn)的筆記本電腦占到全球筆記本臺數(shù)的30%上下(2005)而廣達(dá)無自有筆記本品牌。IT數(shù)據(jù)公司iSuppli稱全世界銷售的筆記本電腦有86%來自中國(2006年8月數(shù)據(jù))。
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Intel擠掉三星，登頂全球半導(dǎo)體銷冠榜
11月23日消息，據(jù)市場研究公司Omdia最新數(shù)據(jù)，最大的存儲芯片制造商三星電子在第三季度營收大幅下滑，失去全球半導(dǎo)體銷冠寶座。
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好高騖遠(yuǎn)！日本芯片公司稱超越2nm被批
據(jù)業(yè)內(nèi)信息報(bào)道，在日本政府支持下，8家日本巨頭成立半導(dǎo)體企業(yè)Rapidus公司，該公司表示目標(biāo)是超越2nm制程工藝，但是近日該公司被批好高騖遠(yuǎn)。
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臺積電3nm代工價(jià)格水漲船高，下游成本大幅拉升
據(jù)報(bào)道，臺積電3nm晶圓的價(jià)格可謂指數(shù)級增加，一片高達(dá)2萬美元，約合14萬人民幣。
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臺積電張忠謀：基本敲定將在美設(shè)3納米晶圓廠
本周一，臺積電創(chuàng)始人張忠謀對媒體證實(shí)，該公司已經(jīng)“差不多敲定”，計(jì)劃在位于美國亞利桑那州的新工廠生產(chǎn)3納米(nm)芯片。
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15代酷睿內(nèi)部流片，Intel進(jìn)入2nm時(shí)代
據(jù)業(yè)內(nèi)消息， Intel計(jì)劃明年首發(fā)14代酷睿，但是近日有消息稱，基于Intel自家的Intel 20A工藝的Arrow Lake已經(jīng)有內(nèi)測芯片流片，而該芯片就是15代酷睿。
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日美雙方會成立合資公司： 最快2025年推出2nm工藝
在全球先進(jìn)半導(dǎo)體工藝中，臺積電、三星都有2nm工藝計(jì)劃，美國也能靠Intel實(shí)現(xiàn)2nm及以下的工藝，日本作為曾經(jīng)的半導(dǎo)體第一已經(jīng)沒有了先進(jìn)工藝生產(chǎn)能力，這也是他們要努力補(bǔ)上的，現(xiàn)在要聯(lián)手美國實(shí)現(xiàn)目標(biāo)。
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為了使半導(dǎo)體工藝不斷縮小，硅必須摻雜越來越高的磷濃度？
目前全球能做到2nm工藝的公司沒有幾家，主要是臺積電、Intel及三星，日本公司在設(shè)備及材料上競爭力有優(yōu)勢，但先進(jìn)工藝是其弱點(diǎn)，現(xiàn)在日本要聯(lián)合美國研發(fā)2nm工藝，不依賴臺積電，最快2025年量產(chǎn)。
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曝納米片晶體管架構(gòu)的2nm工藝，將于2025年量產(chǎn)
在上周的SEDEX 2022，三星更新了技術(shù)路線圖，宣稱計(jì)劃2025年投產(chǎn)2nm芯片，2027年投產(chǎn)1.4nm。其中對于2nm，三星研究員Park Byung-jae介紹了BSPDN(back side power delivery network)也就是背面供電。
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芯片進(jìn)入2nm一定要使用GAAFET晶體管技術(shù)，之前的FinFET晶體管技術(shù)，必須拋棄？
隨著近日最新出產(chǎn)的高性能芯片大量使用4nm工藝，不少廠商的3nm制程工藝也被提上日程，正式進(jìn)入到了測試階段，也預(yù)計(jì)將在2023年年末就會看到3nm制程的產(chǎn)品面向市場。
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臺積電發(fā)布Q3財(cái)報(bào)，凈利潤及工藝制程進(jìn)度均向好
據(jù)業(yè)內(nèi)信息報(bào)道，昨天全球半導(dǎo)體代工龍頭臺積電公布了Q3季度財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)，營收及利潤均保持了環(huán)比兩位數(shù)的增長，超出行業(yè)之前的預(yù)期，能在過去幾年世界半導(dǎo)體市場萎靡的大環(huán)境下的背景之下逆勢增長也說明了臺積電在全球半導(dǎo)體行業(yè)的絕對實(shí)力，同時(shí)臺積電也透露了最新的工藝進(jìn)展，比如2nm制程工藝的順利進(jìn)行。
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臺積電2nm進(jìn)度喜人:或提前至2025年量產(chǎn)
10月13日，臺積電發(fā)布了2022年Q3季度財(cái)報(bào)，合并營收約新臺幣6131億4千萬元，稅后純益約新臺幣2808億7千萬元，每股盈余為新臺幣10.83元(折合美國存托憑證每單位為1.79美元)。
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AMD CEO訪問臺積電：重點(diǎn)討論3nm、2nm等未來工藝
據(jù)資料顯示，臺積電2nm制程將采用GAAFET架構(gòu)，相比臺積電3nm，在相同功耗下速度快10%至15%，在相同速度下功耗降低25%至30%，應(yīng)用包含移動計(jì)算、高性能計(jì)算及完備的小芯片整合解決方案。臺積電 2nm 進(jìn)度將領(lǐng)先對手三星及英特爾。
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臺積電將于2024年取得ASML 新產(chǎn)品，2025年量產(chǎn)2nm
據(jù)臺灣媒體報(bào)道，目前臺積電先進(jìn)制程進(jìn)展順利，3nm制程將于今年下半年量產(chǎn)，升級版3nm(N3E)制程將于2023年量產(chǎn)，2nm制程將會在預(yù)定的2025年量產(chǎn)。目前，臺積電2nm晶圓廠將座落于竹科寶山二期擴(kuò)建計(jì)畫用地中，竹科管理局已展開公共設(shè)施建設(shè)，目前臺積電也已經(jīng)開始整地作業(yè)。
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2nm工藝全球首發(fā)，F(xiàn)inFET時(shí)代終結(jié)？
9月12日消息，據(jù)臺媒《經(jīng)濟(jì)日報(bào)》報(bào)道，晶圓代工廠臺積電2nm制程將于2025年量產(chǎn)，市場看好進(jìn)度可望領(lǐng)先對手三星及英特爾。
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量產(chǎn)終點(diǎn)逼近，圍繞3nm節(jié)點(diǎn)，全球巨頭們的競賽正在激烈進(jìn)行
9月5日消息，臺積電(TSMC)日前發(fā)布消息稱，將于2022年內(nèi)在大阪市設(shè)立負(fù)責(zé)研發(fā)的基地。這是在日本負(fù)責(zé)研發(fā)的TSMC Design Technology Japan公司的第二個(gè)基地，將負(fù)責(zé)技術(shù)開發(fā)和客戶支持等工作。
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EDA技術(shù)難以被替代，臺積電2nm芯片仍將使用
前陣子，美國宣布將對EDA軟件實(shí)施出口限制。由于EDA是半導(dǎo)體開發(fā)芯片的必要工具，這將影響中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)長遠(yuǎn)的發(fā)展。大多數(shù)的半導(dǎo)體公司和行業(yè)也都會受到不同程度的影響。
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