日系存儲(chǔ)器大廠爾必達(dá)(Elpida)29日公布2010年第1季(會(huì)計(jì)年度4-6月)財(cái)報(bào),單季營收為1,763億日?qǐng)A(約20.28億美元),較上一季增加28%,較2009年同期增加103%,單季毛利率為35%,凈利為307億日?qǐng)A(約3.52億美元),較上一季
半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)暌違兩年再現(xiàn)高峰,2010年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)325億美元,臺(tái)積電、三星電子(SamsungElectronics)、聯(lián)電、全球晶圓(GlobalFoundries)全力擴(kuò)產(chǎn)拼搶市占率,同時(shí)皆大幅擴(kuò)充40納米以下先進(jìn)制程,以往臺(tái)積電獨(dú)大的
半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)暌違兩年再現(xiàn)高峰,2010年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)325億美元,臺(tái)積電、三星電子(Samsung Electronics)、聯(lián)電、全球晶圓(Global Foundries)全力擴(kuò)產(chǎn)拼搶市占率,同時(shí)皆大幅擴(kuò)充40納米以下先進(jìn)制程,以往臺(tái)積電獨(dú)大
微處理器大廠AMD總裁暨執(zhí)行長梅德克(Dirk Meyer)于上周五法說會(huì)中回答分析師提問時(shí)證實(shí),代號(hào)為Ontario的次世代Fusion系列加速處理器(APU),將會(huì)交由 臺(tái)積電以40納米代工量產(chǎn),且有機(jī)會(huì)提前在今年第4季就開始出貨予O
繼三星電子(SamsungElectronics)宣布大手筆資本支出,臺(tái)系DRAM廠亦不甘示弱,臺(tái)塑集團(tuán)旗下南亞科和爾必達(dá)(Elpida)集團(tuán)旗下瑞晶都決定提前于6月導(dǎo)入42及45納米制程,較原訂計(jì)畫提前整整1季。南亞科發(fā)言人白培霖表示,
繼三星電子(Samsung Electronics)宣布大手筆資本支出,臺(tái)系DRAM廠亦不甘示弱,臺(tái)塑集團(tuán)旗下南亞科和爾必達(dá)(Elpida)集團(tuán)旗下瑞晶都決定提前于6月導(dǎo)入 42及45納米制程,較原訂計(jì)畫提前整整1季。南亞科發(fā)言人白培霖表示
全球晶圓(GlobalFoundries)加入晶圓代工戰(zhàn)局后動(dòng)作頻頻,不僅合并特許半導(dǎo)體,并大幅擴(kuò)產(chǎn),更積極布局先進(jìn)制程,挑戰(zhàn)臺(tái)積電與聯(lián)電,市場(chǎng)預(yù)期,GlobalFoundries此次擴(kuò)充德國廠45/40納米產(chǎn)能后,加上聯(lián)電40納米制程良率
GLOBALFOUNDRIES大股東先進(jìn)科技投資公司(ATIC)執(zhí)行長lbrahimAjami1日表示,公司將在阿布扎比成立半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的新聚落,未來這個(gè)新聚落將會(huì)以GLOBALFOUNDRIES為核心,借由阿布扎比充裕的資金實(shí)力以及完備的軟硬件設(shè)施建
全球晶圓(Global Foundries)加入晶圓代工戰(zhàn)局后動(dòng)作頻頻,不僅合并特許半導(dǎo)體,并大幅擴(kuò)產(chǎn),更積極布局先進(jìn)制程,挑戰(zhàn)臺(tái)積電與聯(lián)電,市場(chǎng)預(yù)期,Global Foundries此次擴(kuò)充德國廠45/40納米產(chǎn)能后,加上聯(lián)電40納米制程良
全球晶圓(Global Foundries)加入晶圓代工戰(zhàn)局后動(dòng)作頻頻,不僅合并特許半導(dǎo)體,并大幅擴(kuò)產(chǎn),更積極布局先進(jìn)制程,挑戰(zhàn)臺(tái)積電與聯(lián)電,市場(chǎng)預(yù)期,Global Foundries此次擴(kuò)充德國廠45/40納米產(chǎn)能后,加上聯(lián)電40納米制程良
全球DRAM產(chǎn)業(yè)40納米大戰(zhàn)出現(xiàn)變量,由于浸潤式機(jī)臺(tái)(ImmersionScanner)遞延交貨之故,瑞晶已松口表示,原本計(jì)劃年底前旗下8萬片12寸晶圓產(chǎn)能要全轉(zhuǎn)進(jìn)45納米制程的目標(biāo),將正式遞延至2011年第1季,其第1臺(tái)浸潤式機(jī)臺(tái)本周
據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,法銀巴黎證券指出,臺(tái)積電因12吋產(chǎn)能大缺貨,正與歐日國際整合組件大廠(IDM)洽談買下設(shè)備產(chǎn)能。臺(tái)積電打的如意算盤是一方面借由買下12吋產(chǎn)能直接掌握客戶訂單,另一方面則在接下來的20納米高端制程
在渡過困難的09年后,全球半導(dǎo)體業(yè)迎來新一輪的高潮。市場(chǎng)相繼出現(xiàn)存儲(chǔ)器, 模擬電路等缺貨現(xiàn)象及OEM庫存不足。具風(fēng)向標(biāo)意義的1Gb DDR2價(jià)格由1,5美元升至3,0美元, 所以虧損了近3年的美光, 爾必達(dá)及海力士都報(bào)導(dǎo)扭虧為盈
力晶半導(dǎo)體(PowerchipSemiconductorCorporation,PSC)公司董事長黃崇仁(FrankHuang)日前透露,該公司將于2010年下半年正式開始量產(chǎn)出貨40納米制程的NAND閃存芯片產(chǎn)品,同時(shí)他還指出力晶的閃存業(yè)務(wù)未來的工作重點(diǎn)
市場(chǎng)調(diào)研公司FBR分析師Hosseini關(guān)于臺(tái)積電與聯(lián)電的競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)展望,認(rèn)為直到年底全球代工業(yè)仍是不錯(cuò), 尤其是高端代工。無論臺(tái)積電或者聯(lián)電它們的硅片出貨量都好于預(yù)期,2010 Q1臺(tái)積電Q/Q持平或者-2%及聯(lián)電為上升3%或者持
TSMC 7日宣布針對(duì)65納米、40納米及28納米工藝推出已統(tǒng)合且可交互操作的多項(xiàng)電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(Electronic Design Automation; EDA) 技術(shù)檔案。這些與設(shè)計(jì)相關(guān)的技術(shù)檔案套裝包括可互通的工藝設(shè)計(jì)套件(iPDK)、工藝設(shè)計(jì)規(guī)
編者點(diǎn)評(píng)(莫大康 SEMI China顧問):中芯國際在高端技術(shù)中又有新的進(jìn)步,值得慶賀,中芯國際在有限的條件下爭(zhēng)取進(jìn)步是夠困難的,但是有時(shí)形勢(shì)逼迫我們,非進(jìn)不可。中芯國際面臨的問題表面上看是個(gè)盈利問題,實(shí)際上反映
繼臺(tái)積電提高2010年資本支出達(dá)48億美元,晶圓專工大廠聯(lián)電3日亦宣布,提高2010年資本支出達(dá)12億~15億美元,其中約有94%將用于擴(kuò)充12寸先進(jìn)制程產(chǎn)能。聯(lián)電執(zhí)行長孫世偉表示,聯(lián)電65納米成長會(huì)非常迅速,45/40納米世代
繼臺(tái)積電提高2010年資本支出達(dá)48億美元,晶圓專工大廠聯(lián)電3日亦宣布,提高2010年資本支出達(dá)12億~15億美元,其中約有94%將用于擴(kuò)充12寸先進(jìn)制程產(chǎn)能。聯(lián)電執(zhí)行長孫世偉表示,聯(lián)電65納米成長會(huì)非常迅速,45/40納米世代
繼臺(tái)積電提高2010年資本支出達(dá)48億美元,晶圓專工大廠聯(lián)電3日亦宣布,提高2010年資本支出達(dá)12億~15億美元,其中約有94%將用于擴(kuò)充12寸先進(jìn)制程產(chǎn)能。聯(lián)電執(zhí)行長孫世偉表示,聯(lián)電65納米成長會(huì)非常迅速,45/40納米世代