-
40納米成DRAM廠流行口號(hào)
近期DRAM廠掀起一股40納米熱潮，這一切都要從爾必達(dá)(Elpida)說(shuō)起。因?yàn)闋柋剡_(dá)2009年沒(méi)錢(qián)轉(zhuǎn)進(jìn)50納米技術(shù)制程后，最后決定跳過(guò)50納米，直接轉(zhuǎn)進(jìn)45納米，這下刺激了美光(Micron)陣營(yíng)，南亞科和華亞科近期宣布42納米制程
-
美光、爾必達(dá)提前導(dǎo)入40納米4大DRAM陣營(yíng)火藥味濃
2010年4大DRAM陣營(yíng)三星電子(SamsungElectronics)、海力士(Hynix)、爾必達(dá)(Elpida)和美光(Micron)戰(zhàn)場(chǎng)直接拉到40納米世代！繼爾必達(dá)跳過(guò)50納米制程，大舉轉(zhuǎn)換至45納米后，美光陣營(yíng)也不甘示弱宣布年中將同步轉(zhuǎn)42納米。
-
臺(tái)積電12寸廠2年內(nèi)達(dá)10座 堪稱業(yè)界之冠
臺(tái)積電新竹Fab 12第5期(phase 5)19日正式舉行上梁典禮，臺(tái)積電營(yíng)運(yùn)資深副總劉德音表示，phase 5預(yù)計(jì)2010年第3季投入28納米制程量產(chǎn)，此外，南科Fab 14第4期廠房過(guò)完農(nóng)歷年后亦將開(kāi)始動(dòng)工興建，以加速擴(kuò)充40納米制程產(chǎn)
-
臺(tái)積電12寸廠2年內(nèi)達(dá)10座 40納米良率底定28納米3Q量產(chǎn)
臺(tái)積電新竹Fab 12第5期(phase 5)19日正式舉行上梁典禮，臺(tái)積電營(yíng)運(yùn)資深副總劉德音表示，phase 5預(yù)計(jì)2010年第3季投入28納米制程量產(chǎn)，此外，南科Fab 14第4期廠房過(guò)完農(nóng)歷年后亦將開(kāi)始動(dòng)工興建，以加速擴(kuò)充40納米制程產(chǎn)
-
預(yù)測(cè)2010年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的25大事件(下)
2010已經(jīng)到來(lái)，不過(guò)整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)仍然存在著許多不確定因素……別慌張，來(lái)參考一下未卜先知水晶球吧！下面是來(lái)自EETimes美國(guó)版資深編輯Mark LaPedus針對(duì)新年度產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)所做的25項(xiàng)預(yù)測(cè)及其分析，或許您可以從中獲得一
-
臺(tái)積電斯大林格勒保衛(wèi)戰(zhàn)占先機(jī)
超微(AMD；AMD-US)旗下晶圓代工廠Global Fundries(GF) 8日宣布與高通(Qualcomm；QCOM-US)簽下45/40納米與28納米代工合約，臺(tái)積電(TSMC；TSM-US；2330-TW)稍后同時(shí)宣布，正與高通攜手推進(jìn)28納米，預(yù)計(jì)今年中投產(chǎn)，顯示
-
臺(tái)積電40納米業(yè)績(jī)沖百億新臺(tái)幣
臺(tái)積電40納米良率上軌道后，去年第四季40納米占單季營(yíng)收10%，約新臺(tái)幣90億元，在恩威迪亞、超微、博通等主力客戶助攻下，法人樂(lè)觀認(rèn)為本季臺(tái)積電40納米挑戰(zhàn)百億元（新臺(tái)幣，下同），在40納米代工市場(chǎng)市占率高達(dá)90%至
-
爾必達(dá)40納米制程正式對(duì)戰(zhàn)美光
一度缺席全球DRAM產(chǎn)業(yè)50納米制程大戰(zhàn)的爾必達(dá)(Elpida)，隨著美光(Micron)2010年加入50納米制程，爾必達(dá)狀況更顯得困窘，在經(jīng)過(guò)近1年臥薪嘗膽后，爾必達(dá)2010年開(kāi)春終于宣布，40納米6F2制程技術(shù)已于廣島廠順利完成試產(chǎn)
-
臺(tái)積電40納米業(yè)績(jī) 沖百億新臺(tái)幣
臺(tái)積電40納米良率上軌道后，去年第四季40納米占單季營(yíng)收10%，約新臺(tái)幣90億元，在恩威迪亞、超微、博通等主力客戶助攻下，法人樂(lè)觀認(rèn)為本季臺(tái)積電40納米挑戰(zhàn)百億元（新臺(tái)幣，下同），在40納米代工市場(chǎng)市占率高達(dá)90%至
-
海力士發(fā)表40納米制程繪圖芯片DRAM
韓國(guó)存儲(chǔ)器廠海力士(Hynix)于2009年12月20日發(fā)表40納米制程2GbGDDR5繪圖芯片DRAM，工作頻寬為7Gbps，32位元I/O通道，數(shù)據(jù)處理速率每秒28GB/s，電壓為1。35V。 新推出的GDDR5繪圖DRAM采用海力士40納米制程制造，體積
-
三星加速制程微縮 DRAM進(jìn)入40納米世代
三星電子(Samsung Electronics)加速制程微縮，積極導(dǎo)入40納米制程，第4季已開(kāi)始小幅試產(chǎn)DDR3，預(yù)計(jì)2010年下半40納米將成為主流制程，成本結(jié)構(gòu)再度領(lǐng)先競(jìng)爭(zhēng)同業(yè)，而美光 (Micron)陣營(yíng)50納米制程2010年大量產(chǎn)出，爾必
-
40納米良率大降 張忠謀：4Q一定解決
近期半導(dǎo)體業(yè)界再度傳出臺(tái)積電40納米制程良率大降至40%，導(dǎo)致繪圖芯片大客戶恩威迪亞(NVIDIA)、超微(AMD)出貨計(jì)畫(huà)順延，臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀29日對(duì)此證實(shí)指出，臺(tái)積電40納米制程確實(shí)遇到設(shè)備腔體接合(chamber matchin
-
臺(tái)積電12寸新廠南北齊攻 總投資額上看60億美元
隨著聯(lián)電、中芯等競(jìng)爭(zhēng)者45納米制程推展進(jìn)程加快，晶圓代工龍頭臺(tái)積電決定擴(kuò)大投資力道，全面拉開(kāi)與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手差距，臺(tái)積電計(jì)劃南、北開(kāi)攻，啟動(dòng)新竹、南科12寸晶圓廠全新擴(kuò)產(chǎn)計(jì)畫(huà)，總投資額將上看60億美元，預(yù)計(jì)2010年
-
臺(tái)積電12寸新廠南北齊攻 總投資額上看60億美元
隨著聯(lián)電、中芯等競(jìng)爭(zhēng)者45納米制程推展進(jìn)程加快，晶圓代工龍頭臺(tái)積電決定擴(kuò)大投資力道，全面拉開(kāi)與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手差距，臺(tái)積電計(jì)劃南、北開(kāi)攻，啟動(dòng)新竹、南科12寸晶圓廠全新擴(kuò)產(chǎn)計(jì)畫(huà)，總投資額將上看60億美元，預(yù)計(jì)2010年
-
中芯國(guó)際將45納米工藝技術(shù)延伸至40納米以及55納米
中芯國(guó)際集成電路制造有限公司（「中芯國(guó)際」，紐約證交所股票代碼：SMI，香港聯(lián)合交易所股票代碼：0981今天宣布其45納米的互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)技術(shù)將延伸至40納米以及55納米。這些新工藝技術(shù)進(jìn)一步豐富了中
-
中芯國(guó)際將45納米工藝延伸至40納米及55納米
中芯國(guó)際(NYSE：SMI)日前宣布其45納米的互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)技術(shù)將延伸至40納米以及55納米。這些新工藝技術(shù)進(jìn)一步豐富了中芯國(guó)際現(xiàn)有的技術(shù)能力，更好地滿足全球客戶的需求，包括快速增長(zhǎng)的中國(guó)市場(chǎng)在內(nèi)。其
- 得捷芯聞解碼研習(xí)站第一期：探索能源采集芯片的奧義
- 了解華邦優(yōu)質(zhì)技術(shù)資源， 闖三關(guān)，驗(yàn)證您的內(nèi)存/存儲(chǔ)達(dá)人身份
- ST超低功耗MCU來(lái)襲，挑戰(zhàn)趣味游戲，見(jiàn)證STM32U3的電池增壽能力
- PI邀您探索神秘節(jié)能空間，點(diǎn)亮你的專屬“智慧客廳”
- 基恩士新型顯微系統(tǒng)產(chǎn)品“VHX-X1系列”來(lái)襲，填寫(xiě)有獎(jiǎng)問(wèn)卷
- STM32C0系列MCU新品來(lái)襲，更高性能+更低成本，你值得擁有
- 挑戰(zhàn)趣味測(cè)試，驗(yàn)證您是存儲(chǔ)達(dá)人還是內(nèi)存大神
