在公布最新季度財(cái)報(bào)的同時(shí),臺(tái)積電也第一次公開承認(rèn),其40nm制造工藝碰到了一些麻煩。 臺(tái)積電在去年底基本準(zhǔn)時(shí)地上馬了40nm生產(chǎn)線,并在今年第一季度貢獻(xiàn)了大約1%的收入,高于預(yù)期水準(zhǔn),預(yù)計(jì)今年第二季度會(huì)達(dá)到2%左
全球硅IP龍頭安謀(ARM)宣布與臺(tái)積電40納米泛用型制程合作實(shí)體IP。未來將鎖定磁碟機(jī)、機(jī)上盒、行動(dòng)運(yùn)算裝置、網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用、高傳真電視和繪圖處理器等芯片市場提供臺(tái)積電制程、安謀IP庫的制造服務(wù)。 安謀表示,與臺(tái)積電4
臺(tái)積電首場技術(shù)論壇率先在舊金山舉行,臺(tái)積電總執(zhí)行長蔡力行以投資未來「Invest to the Future」為題表示,盡管目前確實(shí)看到客戶急單需求,但未來依然充滿挑戰(zhàn),臺(tái)積電抱以謹(jǐn)慎樂觀態(tài)度。臺(tái)積電指出,在此時(shí)前景混沌
ARM公司近日宣布,開始向臺(tái)積電的40納米G制造工藝提供業(yè)界最完善的IP平臺(tái)。這一最新的、已通過流片驗(yàn)證的物理IP能夠滿足性能驅(qū)動(dòng)消費(fèi)產(chǎn)品的高成本效率開發(fā);這些產(chǎn)品要求在不提高功耗的前提下提供先進(jìn)的功能。這一平
臺(tái)積電投資未來 擴(kuò)充研發(fā)、設(shè)計(jì)核心部門
40納米G物理IP平臺(tái)(ARM)
繼05年率先開發(fā)出60納米內(nèi)存、06年開發(fā)出50納米內(nèi)存后,三星電子日前研發(fā)出了世界首款40納米1GDDR2動(dòng)態(tài)內(nèi)存(1納米等于十億分之一米),今年第3季度將實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。 據(jù)了解,40納米內(nèi)存與目前普遍使用的50、60納米內(nèi)存相
近日消息,三星電子研制開發(fā)出了世界首款40納米工藝DDR2動(dòng)態(tài)內(nèi)存產(chǎn)品(1納米等于十億分之一米)。繼05年率先開發(fā)出60納米內(nèi)存,06年開發(fā)出50納米內(nèi)存后,09年伊始三星電子再次通過成功開發(fā)40納米動(dòng)態(tài)內(nèi)存產(chǎn)品,向外界
“我們明年將縮減20%資本支出,但并不減少在科研方面的投入?!?1月25日,全球半導(dǎo)體代工龍頭臺(tái)積電代理發(fā)言人曾晉浩向本報(bào)表示,在經(jīng)濟(jì)衰退的當(dāng)口,臺(tái)積電以減少產(chǎn)能擴(kuò)張,加速技術(shù)研發(fā)來蓄勢待發(fā),年研發(fā)支出仍維持
“我們明年將縮減20%資本支出,但并不減少在科研方面的投入。”11月25日,全球半導(dǎo)體代工龍頭臺(tái)積電代理發(fā)言人曾晉浩向本報(bào)表示,在經(jīng)濟(jì)衰退的當(dāng)口,臺(tái)積電以減少產(chǎn)能擴(kuò)張,加速技術(shù)研發(fā)來蓄勢待發(fā),年研發(fā)
據(jù)來自臺(tái)灣地區(qū)的報(bào)道稱,Nvidia和AMD已經(jīng)同臺(tái)積電簽署了在2009年第一季度生產(chǎn)40納米芯片的合同。 Nvidia和AMD目前已經(jīng)在利用55納米工藝生產(chǎn)圖形處理器芯片。Nvidia預(yù)計(jì)將在2009年年初將其GeForce 200系
臺(tái)積電公司日前表示,40納米泛用型(40G)及40納米低耗電(40LP)工藝正式進(jìn)入量產(chǎn),成為專業(yè)集成電路制造服務(wù)領(lǐng)域唯一量產(chǎn)40納米工藝的公司。同時(shí),也針對40納米泛用型及40納米低耗電工藝提供全備的設(shè)計(jì)服務(wù),包括組
近兩年,國際上大的半導(dǎo)體公司都推出了65納米產(chǎn)品,并開始了45納米/40納米產(chǎn)品的研發(fā),而國內(nèi)也已經(jīng)有五六家企業(yè)開始了65納米的設(shè)計(jì)。但總體來說,65納米/40納米設(shè)計(jì)目前仍然還是一個(gè)新生事物,企業(yè)要解決一系列的技
10月6日消息,中國芯片制造商中芯國際公布了該公司的生產(chǎn)工藝計(jì)劃。中芯國際計(jì)劃明年投產(chǎn)45和40納米工藝的芯片。據(jù)國外媒體報(bào)道稱,中芯國際還希望2011年投產(chǎn)32納米工藝的芯片,并表示該公司正在與IBM談判有關(guān)許可32
40、30納米產(chǎn)能傾巢出 NAND Flash烏云密布,4大陣營新世代產(chǎn)線起跑 3Q價(jià)格大戰(zhàn)一觸即發(fā)。