中芯國(guó)際總部6月3日發(fā)布消息稱,與中芯北京、北京工業(yè)發(fā)展投資管理及中關(guān)村發(fā)展集團(tuán)成立合資公司,加快二期項(xiàng)目建設(shè)。中芯國(guó)際二期項(xiàng)目于去年9月在開發(fā)區(qū)奠基,將建設(shè)2條產(chǎn)能各為3.5萬片的生產(chǎn)線,技術(shù)水平為45-40納
本報(bào)訊(記者李惠欣)中芯國(guó)際總部6月3日發(fā)布消息稱,與中芯北京、北京工業(yè)發(fā)展投資管理及中關(guān)村發(fā)展集團(tuán)成立合資公司,加快二期項(xiàng)目建設(shè)。 中芯國(guó)際二期項(xiàng)目于去年9月在開發(fā)區(qū)奠基,將建設(shè)2條產(chǎn)能各為3.5萬片
中芯國(guó)際集成電路制造有限公司(中芯國(guó)際),中國(guó)內(nèi)地規(guī)模最大、技術(shù)最先進(jìn)的集成電路晶圓代工企業(yè),今日于上海舉辦其2013年暨第五屆先進(jìn)技術(shù)專題研討會(huì)。此次研討會(huì)以40納米及28納米IP解決方案為主題,旨在促進(jìn)中芯國(guó)
威盛電子及子公司威信科電(WonderMedia)宣布搶進(jìn)低價(jià)平板計(jì)算機(jī)市場(chǎng),新推出40納米ARM Cortex-A9雙核心處理器VIA WM8880,并與深圳最大ODM廠普方達(dá)合作,開出不含存儲(chǔ)器公板(PCBA)僅99元人民幣的超級(jí)震撼價(jià)。業(yè)者
中芯國(guó)際集成電路制造有限公司(“中芯國(guó)際”,紐約證券交易所:SMI,香港聯(lián)交所:981),中國(guó)內(nèi)地規(guī)模最大、技術(shù)最先進(jìn)的集成電路晶圓代工企業(yè),今日于上海舉辦其2013年暨第五屆先進(jìn)技術(shù)專題研討會(huì)。此次研討會(huì)以40納
中芯國(guó)際集成電路制造有限公司(“中芯國(guó)際”,紐約證券交易所:SMI,香港聯(lián)交所:981),中國(guó)內(nèi)地規(guī)模最大、技術(shù)最先進(jìn)的集成電路晶圓代工企業(yè),今日于上海舉辦其2013年暨第五屆先進(jìn)技術(shù)專題研討會(huì)。此次研
中芯國(guó)際集成電路制造有限公司(“中芯國(guó)際”,紐約證券交易所:SMI ,香港聯(lián)交所:981),中國(guó)內(nèi)地規(guī)模最大、技術(shù)最先進(jìn)的集成電路晶圓代工企業(yè),今日于上海舉辦其2013年暨第五屆先進(jìn)技術(shù)專題研討會(huì)。此次
中芯國(guó)際集成電路制造有限公司(\\"中芯國(guó)際\\",紐約證券交易所:SMI ,香港聯(lián)交所:981),中國(guó)內(nèi)地規(guī)模最大、技術(shù)最先進(jìn)的集成電路晶圓代工企業(yè),今日于上海舉辦其2013年暨第五屆先進(jìn)技術(shù)專題研討會(huì)。此次研討會(huì)以4
晶圓代工廠聯(lián)電(2303)昨(8)日舉行法說,第1季稅后純益65.9億元,創(chuàng)近十季來新高,每股稅后純益(EPS)0.52元,其中,業(yè)外獲利有60億元來自收購(gòu)和艦的附加商業(yè)價(jià)值利益回沖。法人預(yù)期,這意味著聯(lián)電當(dāng)初購(gòu)買和艦的
晶圓代工廠聯(lián)電(2303)昨(8)日舉行法說,第1季稅后純益65.9億元,創(chuàng)近十季來新高,每股稅后純益(EPS)0.52元,其中,業(yè)外獲利有60億元來自收購(gòu)和艦的附加商業(yè)價(jià)值利益回沖。 法人預(yù)期,這意味著聯(lián)電當(dāng)初購(gòu)買和
聯(lián)電(2303)昨日召開法說會(huì),盡管聯(lián)電今年還是40納米制程為主力,28納米制程年底拚個(gè)位數(shù)百分點(diǎn),聯(lián)電認(rèn)為,28納米將是強(qiáng)勁且生命周期很長(zhǎng)的制程,20納米制程不會(huì)成為主流,聯(lián)電將在28納米之后直攻14納米,預(yù)計(jì)2015
聯(lián)電(2303)昨日召開法說會(huì),盡管聯(lián)電今年還是40納米制程為主力,28納米制程年底拚個(gè)位數(shù)百分點(diǎn),聯(lián)電認(rèn)為,28納米將是強(qiáng)勁且生命周期很長(zhǎng)的制程,20納米制程不會(huì)成為主流,聯(lián)電將在28納米之后直攻14納米,預(yù)計(jì)2015
英飛凌科技與GLOBALFOUNDRIES 公司宣布,雙方圍繞40納米(nm)嵌入式閃存(eFlash)工藝,簽訂一份合作技術(shù)開發(fā)與生產(chǎn)協(xié)議。雙方合作的重點(diǎn)是立足于英飛凌的嵌入式閃存單元設(shè)計(jì)以及采用40納米工藝制造汽車單片機(jī)和安全微
英飛凌科技(FSE: IFX / OTC QX: IFNNY)與GLOBALFOUNDRIES 公司日前宣布,雙方圍繞40納米(nm)嵌入式閃存(eFlash)工藝,簽訂一份合作技術(shù)開發(fā)與生產(chǎn)協(xié)議。雙方合作的重點(diǎn)是立足于英飛凌的嵌入式閃存單元設(shè)計(jì)以及采用40
英飛凌科技與GLOBALFOUNDRIES 公司今日宣布,雙方圍繞40納米(nm)嵌入式閃存(eFlash)工藝,簽訂一份合作技術(shù)開發(fā)與生產(chǎn)協(xié)議。雙方合作的重點(diǎn)是立足于英飛凌的嵌入式閃存單元設(shè)計(jì)以及采用40納米工藝制造汽車單片機(jī)
燦芯半導(dǎo)體宣布與客戶合作開發(fā)的40納米芯片設(shè)計(jì)項(xiàng)目數(shù)量累計(jì)達(dá)到十個(gè),這些項(xiàng)目均基于中芯國(guó)際的40納米制造工藝。 燦芯半導(dǎo)體開發(fā)的先進(jìn)技術(shù)芯片廣泛應(yīng)用于高成長(zhǎng)的移動(dòng)設(shè)備領(lǐng)域,如智能手機(jī)。燦芯半導(dǎo)體的40納
近期市場(chǎng)上有關(guān)臺(tái)積電(2330)被對(duì)手格羅方德(GlobalFoundries)、聯(lián)電等低價(jià)搶單、或是大客戶大砍第2季投片量等利空消息頻傳,臺(tái)積電雖不對(duì)市場(chǎng)傳言有所評(píng)論及回應(yīng),但設(shè)備業(yè)者表示,并無砍單或搶單問題,其實(shí)只是
聯(lián)華電子與閃存解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商Spansion日前共同宣布,將展開40納米工藝研發(fā)合作,整合聯(lián)華電子40納米LP邏輯工藝,以及Spansion eCT (embedded Charge Trap, eCT)嵌入式電荷擷取閃存技術(shù)。此份非專屬授權(quán)協(xié)議包含
晶圓代工二哥聯(lián)電(2303)昨(4)日宣布,與快閃存儲(chǔ)器廠美商飛索(Spansion)簽訂技術(shù)研發(fā)與授權(quán)協(xié)議,雙方將共同開發(fā)集成邏輯與快閃存儲(chǔ)器技術(shù),以推動(dòng)高效能低功耗電子產(chǎn)品的問世。聯(lián)電及飛索將展開40納米制程研發(fā)
聯(lián)華電子與閃存解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商Spansion日前共同宣布,將展開40納米工藝研發(fā)合作,整合聯(lián)華電子40納米LP邏輯工藝,以及Spansion eCTTM (embedded Charge Trap, eCT)嵌入式電荷擷取閃存技術(shù)。此份非專屬授權(quán)協(xié)議包