雙方將共同開發(fā)整合邏輯與閃存技術(shù),以推動(dòng)高效能低功耗電子產(chǎn)品的問世聯(lián)華電子與閃存解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商Spansion 4日共同宣布,將展開40納米工藝研發(fā)合作,整合聯(lián)華電子40納米LP邏輯工藝,以及Spansion eCTTM (embedd
晶圓代工二哥聯(lián)電(2303)昨(4)日宣布,與快閃存儲(chǔ)器廠美商飛索(Spansion)簽訂技術(shù)研發(fā)與授權(quán)協(xié)議,雙方將共同開發(fā)集成邏輯與快閃存儲(chǔ)器技術(shù),以推動(dòng)高效能低功耗電子產(chǎn)品的問世。 聯(lián)電及飛索將展開40納米制
國際主要半導(dǎo)體代工制造商中芯國際集成電路制造有限公司(紐約交易所:SMI;香港聯(lián)交所:981)(“中芯”或“本公司”)近日公布截至二零一二年十二月三十一日止三個(gè)月的綜合經(jīng)營業(yè)績。 所有貨幣
國際主要半導(dǎo)體代工制造商中芯國際集成電路制造有限公司(紐約交易所:SMI;香港聯(lián)交所:981)(“中芯”或“本公司”)近日公布截至二零一二年十二月三十一日止三個(gè)月的綜合經(jīng)營業(yè)績。所有貨幣以美元
聯(lián)華電子與ASIC設(shè)計(jì)服務(wù)領(lǐng)導(dǎo)廠商智原科技日前共同宣布,雙方因應(yīng)客戶需求,已經(jīng)完成并交付3億邏輯閘(300-milliongatecount)系統(tǒng)單芯片解決方案。此款高復(fù)雜度SoC的產(chǎn)出,主要奠基于雙方豐富的設(shè)計(jì)、生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)、先進(jìn)的
燦芯半導(dǎo)體宣布與客戶合作開發(fā)的40納米芯片設(shè)計(jì)項(xiàng)目數(shù)量累計(jì)達(dá)到十個(gè),這些項(xiàng)目均基于中芯國際的40納米制造工藝。燦芯半導(dǎo)體開發(fā)的先進(jìn)技術(shù)芯片廣泛應(yīng)用于高成長的移動(dòng)設(shè)備領(lǐng)域,如智能手機(jī)。燦芯半導(dǎo)體的40納米項(xiàng)目
上海,2013年1月9日-- 國際領(lǐng)先的ASIC設(shè)計(jì)公司及一站式服務(wù)供應(yīng)商,燦芯半導(dǎo)體(上海)有限公司(以下簡稱“燦芯半導(dǎo)體”)今日宣布與客戶合作開發(fā)的40納米芯片設(shè)計(jì)項(xiàng)目數(shù)量累計(jì)達(dá)到十個(gè),這些項(xiàng)目均基于中芯國
聯(lián)電(2303)執(zhí)行長孫世偉表示,40納米制程于今年底到達(dá)15%營收的內(nèi)部目標(biāo)可望提前完成。先進(jìn)制程的28納米進(jìn)度符合預(yù)期。此外,第四季將持續(xù)處分業(yè)外持股以緩和認(rèn)列日本子公司損失對(duì)損益的影響。 聯(lián)電公司指出,40納米
中芯國際二期項(xiàng)目日前在北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)奠基,將建設(shè)2條產(chǎn)能各為3.5萬片的生產(chǎn)線。建成后將實(shí)現(xiàn)技術(shù)水平為32-28納米的芯片在國內(nèi)量產(chǎn)“零”的突破,進(jìn)一步減弱國內(nèi)高技術(shù)芯片對(duì)進(jìn)口的依賴。該項(xiàng)目是本市
中芯國際二期項(xiàng)目日前在北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)奠基,將建設(shè)2條產(chǎn)能各為3.5萬片的生產(chǎn)線。建成后將實(shí)現(xiàn)技術(shù)水平為32-28納米的芯片在國內(nèi)量產(chǎn)“零”的突破,進(jìn)一步減弱國內(nèi)高技術(shù)芯片對(duì)進(jìn)口的依賴。該項(xiàng)目是本市繼京東方8
昨日,中芯國際二期項(xiàng)目在北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)奠基,將建設(shè)2條產(chǎn)能各為3.5萬片的生產(chǎn)線。建成后將實(shí)現(xiàn)技術(shù)水平為32-28納米的芯片在國內(nèi)量產(chǎn)“零”的突破,進(jìn)一步減弱國內(nèi)高技術(shù)芯片對(duì)進(jìn)口的依賴。該項(xiàng)目是本市繼京東方
昨日,中芯國際二期項(xiàng)目在北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)奠基,將建設(shè)2條產(chǎn)能各為3.5萬片的生產(chǎn)線。建成后將實(shí)現(xiàn)技術(shù)水平為32-28納米的芯片在國內(nèi)量產(chǎn)“零”的突破,進(jìn)一步減弱國內(nèi)高技術(shù)芯片對(duì)進(jìn)口的依賴。該項(xiàng)目是本市繼京東方
本報(bào)訊(記者 湯一原 實(shí)習(xí)記者 孫奇茹)昨日,中芯國際二期項(xiàng)目在北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)奠基,將建設(shè)2條產(chǎn)能各為3.5萬片的生產(chǎn)線。建成后將實(shí)現(xiàn)技術(shù)水平為32-28納米的芯片在國內(nèi)量產(chǎn)“零”的突破,進(jìn)一步減弱國內(nèi)高技術(shù)
在低于40納米的超深亞微米VLSI設(shè)計(jì)中,時(shí)鐘樹網(wǎng)絡(luò)在電路時(shí)序收斂、功耗、PVT變異容差和串?dāng)_噪聲規(guī)避方面所起的作用要更重要得多。高性能DSP芯片會(huì)有大量關(guān)鍵時(shí)序路徑,會(huì)要求時(shí)鐘偏斜超低的全局時(shí)鐘分布。兩點(diǎn)間時(shí)鐘
雖然晶圓雙雄40納米以上產(chǎn)品面臨產(chǎn)能松動(dòng),吸引客戶下單僅能打價(jià)格牌,但在高單價(jià)的28納米制程營收占比持續(xù)放大挹注下,臺(tái)積電、聯(lián)電平均晶圓報(bào)價(jià)(ASP)上揚(yáng)趨勢仍然不變。晶圓雙雄今年力拚28納米與40納米先進(jìn)制程,
雖然晶圓雙雄40納米以上產(chǎn)品面臨產(chǎn)能松動(dòng),吸引客戶下單僅能打價(jià)格牌,但在高單價(jià)的28納米制程營收占比持續(xù)放大挹注下,臺(tái)積電、聯(lián)電平均晶圓報(bào)價(jià)(ASP)上揚(yáng)趨勢仍然不變。晶圓雙雄今年力拚28納米與40納米先進(jìn)制程,
工信部電信研究院標(biāo)準(zhǔn)化研究所所長王志勤日前介紹,在6月份全球LTE商用網(wǎng)絡(luò)已經(jīng)達(dá)到了95個(gè),其中也有7個(gè)是TDD的,還有2個(gè)是混合網(wǎng)絡(luò)的。她表示, 去年全球LTE基站數(shù)已經(jīng)達(dá)到了10萬個(gè),比較集中在北美,日韓等國家,
圖/經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)提供 半導(dǎo)體業(yè)界傳出,臺(tái)積電、聯(lián)電為提升產(chǎn)能利用率,9月起針對(duì)40納米以上營收主力制程,祭出價(jià)格折讓,并恢復(fù)自然跌價(jià)等淡季措施,等于「變相降價(jià)」,降幅上看5%,藉此穩(wěn)住第4季毛利率。 臺(tái)積電、
聯(lián)電第2季營收季增16.2%,小幅超越公司預(yù)期的15% 財(cái)測,加上臺(tái)積電28納米供不應(yīng)求,聯(lián)電順勢承接高通題材,第3季營收成長受到市場期待。聯(lián)電日前除息,除息參考價(jià)為12.5元,上周五(13)日以12元作收,下跌0.05元。法
聯(lián)電(2303)今日宣布與美商萊迪思半導(dǎo)體(Lattice)建立長期技術(shù)伙伴關(guān)系。雙方將在聯(lián)華電子先進(jìn)制程平臺(tái)上,持續(xù)現(xiàn)有的努力,攜手制造萊迪斯的非揮發(fā)性產(chǎn)品,并且進(jìn)而將此合作關(guān)系迅速拓展到萊迪思其它的產(chǎn)品線上。萊迪