40納米

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市場不景氣聯(lián)電估Q3營收季下降達(dá)1成

作者：楊輝旭晶圓代工廠聯(lián)電（2303）昨日舉行法說會(huì)，聯(lián)電執(zhí)行長孫世偉表示，由于功能性手機(jī)、電視等終端需求成長力道減弱，半導(dǎo)體需求減緩現(xiàn)象可能會(huì)持續(xù)數(shù)季，聯(lián)電估第三季營收較上季季減11-13％，產(chǎn)能利用率將

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2011-08-08

聯(lián)電臺(tái)積電 40納米
看淡景氣聯(lián)電估Q3營收季減1成

晶圓代工廠聯(lián)電（2303）昨日舉行法說會(huì)，聯(lián)電執(zhí)行長孫世偉表示，由于功能性手機(jī)、電視等終端需求成長力道減弱，半導(dǎo)體需求減緩現(xiàn)象可能會(huì)持續(xù)數(shù)季，聯(lián)電估第三季營收較上季季減11-13％，產(chǎn)能利用率將降至71-73％左右

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2011-08-05

聯(lián)電臺(tái)積電 40納米
十年首見聯(lián)電Q3營收將減10%

聯(lián)電昨（3）日公布第二季每股純益0.26元，符合市場預(yù)期。執(zhí)行長孫世偉表示，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)仍需數(shù)月至數(shù)季調(diào)整，聯(lián)電本季將面臨十年來首次「第三季旺季比第二季衰退」，預(yù)估單季營收季減10%到12%，產(chǎn)能利用率恐低于七成。

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2011-08-04

BORDER STYLE 聯(lián)電 40納米
十年首見聯(lián)電Q3營收將減10%

聯(lián)電昨（3）日公布第二季每股純益0.26元，符合市場預(yù)期。執(zhí)行長孫世偉表示，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)仍需數(shù)月至數(shù)季調(diào)整，聯(lián)電本季將面臨十年來首次「第三季旺季比第二季衰退」，預(yù)估單季營收季減10%到12%，產(chǎn)能利用率恐低于七成。

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2011-08-04

聯(lián)電臺(tái)積電 40納米
封測廠加碼3D IC布局

半導(dǎo)體制程微縮到40納米以下后，3D封測技術(shù)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的角色日趨重要，包括臺(tái)積電、聯(lián)電、日月光、矽品、京元電、力成、頎邦等一線大廠，已經(jīng)開始著手布建3D IC及相對應(yīng)的系統(tǒng)級封測（SiP）產(chǎn)能。而目前最被看

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2011-08-02

芯片 IC INTER 40納米
臺(tái)積電28納米工藝量產(chǎn)延后第四季度或有所起色

超威（AMD）、輝達(dá)（NVIDIA）、高通（Qualcomm）新一世代28納米芯片已于第2季完成設(shè)計(jì)定案（tape-out），并開始與臺(tái)積電討論下半年的投片計(jì)劃。其中超威Southern Islands系列繪圖芯片將于第3季末量產(chǎn)，輝達(dá)Kepler系

消費(fèi)電子
2011-07-29

應(yīng)用處理器臺(tái)積電 40納米
臺(tái)積電28納米工藝量產(chǎn)延后第四季度或有所起色

超威（AMD）、輝達(dá)（NVIDIA）、高通（Qualcomm）新一世代28納米芯片已于第2季完成設(shè)計(jì)定案（tape-out），并開始與臺(tái)積電討論下半年的投片計(jì)劃。其中超威SouthernIslands系列繪圖芯片將于第3季末量產(chǎn)，輝達(dá)Kepler系列

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2011-07-29

應(yīng)用處理器臺(tái)積電 40納米
臺(tái)積電28納米工藝量產(chǎn)受終端市場不振影響

超威(AMD)、輝達(dá)(NVIDIA)、高通(Qualcomm)新一世代28納米芯片已于第2季完成設(shè)計(jì)定案(tape-out)，并開始與臺(tái)積電討論下半年的投片計(jì)劃。其中超威Southern Islands系列繪圖芯片將于第3季末量產(chǎn)，輝達(dá)Kepler系列繪圖芯

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2011-07-29

終端臺(tái)積電 40納米
臺(tái)積電第二財(cái)季凈利潤12.5億美元環(huán)比微降1%

新浪科技訊北京時(shí)間7月28日下午消息，臺(tái)積電今日發(fā)布截至2011年6月30日的第二財(cái)季財(cái)報(bào)。報(bào)告顯示，臺(tái)積電當(dāng)季總營收為1105.1億新臺(tái)幣(約合38.34億美元)，凈利潤359.5億新臺(tái)幣(約合12.47億美元)，攤薄后每股收益1.39

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2011-07-28

臺(tái)積電 40納米
TSMC2011年第二季每股盈余新臺(tái)幣1.39元

TSMC今(28)日公布2011年第二季財(cái)務(wù)報(bào)告，合并營收為新臺(tái)幣1,105.1億元，稅后純益為新臺(tái)幣359.5億元，每股盈余為新臺(tái)幣1.39元（換算成美國存托憑證每單位為0.24美元）。與2010年同期相較，2011年第二季營收增加

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2011-07-28

先進(jìn)制程晶圓 TSMC 40納米
28納米訂單到臺(tái)積電軍心穩(wěn)

超微（AMD）、輝達(dá)（NVIDIA）、高通（Qualcomm）新一世代28納米芯片已于第2季完成設(shè)計(jì)定案（tape-out），并開始與臺(tái)積電（2330）討論下半年的投片計(jì)劃。其中超微Southern Islands系列繪圖芯片將于第3季末量產(chǎn)，輝

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2011-07-28

應(yīng)用處理器臺(tái)積電 40納米
臺(tái)積電28納米工藝量產(chǎn)受終端市場不振影響

臺(tái)積電28納米工藝量產(chǎn)受終端市場不振影響

嵌入式動(dòng)態(tài)
2011-07-26

終端臺(tái)積電 40納米
臺(tái)積電承諾2011年年底推出28納米工藝

知名半導(dǎo)體代工廠商TSMC臺(tái)積電公司日前確認(rèn)，該公司將于2011年年底左右正式開始生產(chǎn)基于28納米制造工藝的半導(dǎo)體芯片。臺(tái)積電計(jì)劃將于2011年第三季度的某個(gè)時(shí)候開始完成28納米制造工藝的商業(yè)化生產(chǎn)，而到2011年第四季

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2011-07-15

AMD 制造工藝臺(tái)積電 40納米
臺(tái)積電承諾2011年年底推出28納米工藝

知名半導(dǎo)體代工廠商TSMC臺(tái)積電公司日前確認(rèn)，該公司將于2011年年底左右正式開始生產(chǎn)基于28納米制造工藝的半導(dǎo)體芯片。臺(tái)積電計(jì)劃將于2011年第三季度的某個(gè)時(shí)候開始完成28納米制造工藝的商業(yè)化生產(chǎn)，而到2011年第四季

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2011-07-15

AMD 制造工藝臺(tái)積電 40納米
臺(tái)積電擴(kuò)大研發(fā)團(tuán)隊(duì) 加速20納米制程開發(fā)

被臺(tái)積電視為下世代主力的20納米制程，目前研發(fā)工作主要需克服的困難，在于良率提升和成本下降，希望能在下一季將良率快速提升。為加速20納米制程研發(fā)工作，臺(tái)積電將研發(fā)單位集中到新竹12廠，并擴(kuò)大研發(fā)團(tuán)隊(duì)，包含許

消費(fèi)電子
2011-07-14

半導(dǎo)體設(shè)備 ASML 臺(tái)積電 40納米
臺(tái)積電擴(kuò)大研發(fā)團(tuán)隊(duì) 加速20納米制程開發(fā)

被臺(tái)積電視為下世代主力的20納米制程，目前研發(fā)工作主要需克服的困難，在于良率提升和成本下降，希望能在下一季將良率快速提升。為加速20納米制程研發(fā)工作，臺(tái)積電將研發(fā)單位集中到新竹12廠，并擴(kuò)大研發(fā)團(tuán)隊(duì)，包含許

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2011-07-14

半導(dǎo)體設(shè)備 ASML 臺(tái)積電 40納米
DRAM產(chǎn)業(yè)技術(shù)轉(zhuǎn)型期成本下降趨勢放緩

據(jù)IHSiSuppli公司的研究，隨著DRAM市場過渡到效率更高的低納米技術(shù)，該產(chǎn)業(yè)的成本削減及節(jié)省步伐從2012年開始將放緩。雖然最近幾個(gè)季度DRAM產(chǎn)業(yè)在推低光刻節(jié)點(diǎn)方面比較積極，但在今年剩余時(shí)間內(nèi)力度將逐漸減弱。今年

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2011-07-12

DRAM 節(jié)點(diǎn) ISUPPLI 40納米
DRAM產(chǎn)業(yè)技術(shù)轉(zhuǎn)型期成本保持平緩

隨著DRAM市場過渡到效率更高的低納米技術(shù)，該產(chǎn)業(yè)的成本削減及節(jié)省步伐從2012年開始將放緩。雖然最近幾個(gè)季度DRAM產(chǎn)業(yè)在推低光刻節(jié)點(diǎn)方面比較積極，但在今年剩余時(shí)間內(nèi)力度將逐漸減弱。今年第一季度該產(chǎn)業(yè)的加權(quán)平均

消費(fèi)電子
2011-07-12

DRAM 節(jié)點(diǎn) ISUPPLI 40納米
世芯董事長關(guān)建英：下一季9成以上都是先進(jìn)制程

2003年由一群硅谷和日本工程師創(chuàng)立的世芯電子(Alchip)，2011年7月6日于內(nèi)湖科技園區(qū)舉行營運(yùn)總部喬遷開幕茶會(huì)，世芯的后端供應(yīng)商、客戶和合作伙伴都齊聚共襄盛舉。董事長關(guān)建英聲音宏亮充滿活力，在會(huì)場四處跟合作廠

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2011-07-11

集成先進(jìn)制程臺(tái)積電 40納米
世芯董事長關(guān)建英：下一季9成以上都是先進(jìn)制程

2003年由一群硅谷和日本工程師創(chuàng)立的世芯電子(Alchip)，2011年7月6日于內(nèi)湖科技園區(qū)舉行營運(yùn)總部喬遷開幕茶會(huì)，世芯的后端供應(yīng)商、客戶和合作伙伴都齊聚共襄盛舉。董事長關(guān)建英聲音宏亮充滿活力，在會(huì)場四處跟合作廠

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2011-07-11

集成先進(jìn)制程臺(tái)積電 40納米

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40納米

市場不景氣聯(lián)電估Q3營收季下降達(dá)1成

看淡景氣聯(lián)電估Q3營收季減1成

十年首見聯(lián)電Q3營收將減10%

十年首見聯(lián)電Q3營收將減10%

封測廠加碼3D IC布局

臺(tái)積電28納米工藝量產(chǎn)延后第四季度或有所起色

臺(tái)積電28納米工藝量產(chǎn)延后第四季度或有所起色

臺(tái)積電28納米工藝量產(chǎn)受終端市場不振影響

臺(tái)積電第二財(cái)季凈利潤12.5億美元環(huán)比微降1%

TSMC2011年第二季每股盈余新臺(tái)幣1.39元

28納米訂單到臺(tái)積電軍心穩(wěn)

臺(tái)積電28納米工藝量產(chǎn)受終端市場不振影響

臺(tái)積電承諾2011年年底推出28納米工藝

臺(tái)積電承諾2011年年底推出28納米工藝

臺(tái)積電擴(kuò)大研發(fā)團(tuán)隊(duì) 加速20納米制程開發(fā)

臺(tái)積電擴(kuò)大研發(fā)團(tuán)隊(duì) 加速20納米制程開發(fā)

DRAM產(chǎn)業(yè)技術(shù)轉(zhuǎn)型期成本下降趨勢放緩

DRAM產(chǎn)業(yè)技術(shù)轉(zhuǎn)型期成本保持平緩

世芯董事長關(guān)建英：下一季9成以上都是先進(jìn)制程

世芯董事長關(guān)建英：下一季9成以上都是先進(jìn)制程

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