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TrendForce集邦咨詢: 英偉達(dá)H20出口解禁助力需求釋放，預(yù)估中國外購AI芯片比例將回升至49%
July 16, 2025 ---- TrendForce集邦咨詢表示，美國有望允許NVIDIA(英偉達(dá))恢復(fù)對(duì)中國市場(chǎng)銷售H20 GPU，政策轉(zhuǎn)折將有助帶動(dòng)當(dāng)?shù)谹I與云端業(yè)者的需求回補(bǔ)，預(yù)期H20將重新成為該市場(chǎng)高端AI芯片主力，帶動(dòng)HBM需求同步增加。
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TrendForce集邦咨詢: 2025年第一季度DRAM產(chǎn)業(yè)營收為270.1億美元
June 3, 2025 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，2025年第一季由于一般型DRAM(Conventional DRAM)合約價(jià)下跌，加上HBM出貨規(guī)模收斂，DRAM產(chǎn)業(yè)營收為270.1億美元，季減5.5%。在平均銷售單價(jià)方面，由于Samsung(三星)更改HBM3e產(chǎn)品設(shè)計(jì)，HBM產(chǎn)能排擠效應(yīng)減弱，促使下游業(yè)者去化庫存，導(dǎo)致多數(shù)產(chǎn)品合約價(jià)延續(xù)2024年第四季以來的跌勢(shì)。
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你了解HBM高帶寬內(nèi)存嗎？你了解HBM3嗎？
為增進(jìn)大家對(duì)HBM高帶寬內(nèi)存的認(rèn)識(shí)，本文將對(duì)HBM高帶寬內(nèi)存以及HBM3予以介紹。
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為什么HBM高帶寬內(nèi)存很重要？看完你就懂了
為增進(jìn)大家對(duì)HBM高帶寬內(nèi)存的認(rèn)識(shí)，本文將對(duì)HBM高帶寬內(nèi)存以及HBM高帶寬內(nèi)存的重要性予以介紹。
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HBM技術(shù)有什么優(yōu)勢(shì)？HBM技術(shù)有哪些應(yīng)用？
為增進(jìn)大家對(duì)HBM技術(shù)的認(rèn)識(shí)，本文將對(duì)HBM技術(shù)的優(yōu)勢(shì)以及HBM技術(shù)的應(yīng)用予以介紹。
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HBM寬帶技術(shù)是什么？HBM寬帶技術(shù)存在哪些技術(shù)難點(diǎn)？
為增進(jìn)大家對(duì)HBM寬帶技術(shù)的認(rèn)識(shí)，本文將對(duì)HBM寬帶技術(shù)、HBM寬帶技術(shù)的難點(diǎn)予以介紹。
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TrendForce集邦咨詢: Server DRAM與HBM持續(xù)支撐，4Q24 DRAM產(chǎn)業(yè)營收季增9.9%
Feb. 27, 2025 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，2024年第四季全球DRAM產(chǎn)業(yè)營收突破280億美元，較前一季成長9.9%;由于Server DDR5的合約價(jià)上漲，加上HBM集中出貨，前三大業(yè)者營收皆持續(xù)季增。平均銷售單價(jià)方面，多數(shù)應(yīng)用產(chǎn)品的合約價(jià)皆反轉(zhuǎn)下跌，只有美系CSP增加采購大容量Server DDR5，成為支撐Server DRAM(服務(wù)器內(nèi)存)價(jià)格續(xù)漲的主因。
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實(shí)現(xiàn)芯粒間高速互連互通，助力中國Chiplet產(chǎn)業(yè)發(fā)展
Chiplet技術(shù)不僅為國內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)提供了突破傳統(tǒng)單片設(shè)計(jì)的機(jī)會(huì)，也在芯片產(chǎn)業(yè)自主可控的過程中扮演了重要角色。互連IP，作為Chiplet架構(gòu)的核心組件之一，正是實(shí)現(xiàn)不同模塊之間高效通信的關(guān)鍵，為系統(tǒng)集成和功能擴(kuò)展提供了強(qiáng)大支持。在這一過程中，奎芯科技作為國內(nèi)半導(dǎo)體互連IP領(lǐng)域的先鋒企業(yè)，積極推動(dòng)Chiplet技術(shù)的發(fā)展和應(yīng)用。
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TrendForce集邦咨詢: HBM5 20hi后產(chǎn)品將采用Hybrid Bonding技術(shù)，或引發(fā)商業(yè)模式變革
Oct. 30, 2024 ---- HBM產(chǎn)品已成為DRAM產(chǎn)業(yè)關(guān)注焦點(diǎn)，這使得Hybrid Bonding (混合鍵合)等先進(jìn)封裝技術(shù)發(fā)展備受矚目。根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究，三大HBM原廠正在考慮是否于HBM4 16hi采用Hybrid Bonding，并已確定將在HBM5 20hi世代中使用這項(xiàng)技術(shù)。
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TrendForce集邦咨詢: HBM3e 12hi面臨良率和驗(yàn)證挑戰(zhàn)，2025年HBM是否過剩仍待觀察
Sep. 30, 2024 ---- 近期市場(chǎng)對(duì)于2025年HBM可能供過于求的擔(dān)憂加劇，而據(jù)TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，由于明年廠商能否如期大量轉(zhuǎn)進(jìn)HBM3e仍是未知數(shù)，加上量產(chǎn)HBM3e 12hi的學(xué)習(xí)曲線長，目前尚難判定是否會(huì)出現(xiàn)產(chǎn)能過剩局面。
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TrendForce集邦咨詢:英偉達(dá)2025年推Blackwell Ultra、B200A，將拉升HBM3e 12hi消耗比重至40%
Aug. 8 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新HBM報(bào)告，隨著AI芯片的迭代，單一芯片搭載的HBM(高帶寬內(nèi)存)容量也明顯增加。NVIDIA(英偉達(dá))目前是HBM市場(chǎng)的最大買家，預(yù)期2025年推出Blackwell Ultra、B200A等產(chǎn)品后，其在HBM市場(chǎng)的采購比重將突破70%。
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TrendForce集邦咨詢：預(yù)計(jì)2025年存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)營收將因價(jià)格上漲和HBM、QLC技術(shù)的崛起而創(chuàng)新高
Jul. 22, 2024 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)分析報(bào)告，受惠于位元需求成長、供需結(jié)構(gòu)改善拉升價(jià)格，加上HBM(高帶寬內(nèi)存)等高附加價(jià)值產(chǎn)品崛起，預(yù)估DRAM(內(nèi)存)及NAND Flash(閃存)產(chǎn)業(yè)2024年?duì)I收年增幅度將分別增加75%和77%。而2025年產(chǎn)業(yè)營收將持續(xù)維持成長，DRAM年增約51%、NAND Flash年增長則來到29%，營收將創(chuàng)歷史新高，并且推動(dòng)資本支出回溫、帶動(dòng)上游原料需求，只是存儲(chǔ)器買方成本壓力將隨之上升。
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HBM內(nèi)存嚴(yán)重供不應(yīng)求！存儲(chǔ)龍頭擴(kuò)產(chǎn)激戰(zhàn)：產(chǎn)能一搶而空
7月12日消息，隨著人工智能技術(shù)的飛速發(fā)展，作為AI芯片的關(guān)鍵技術(shù)支持，高頻寬存儲(chǔ)器(HBM)成為市場(chǎng)上的新寵，導(dǎo)致HBM內(nèi)存目前面臨嚴(yán)重的供不應(yīng)求局面。
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SK海力士豪擲746億美元，誓要引領(lǐng)HBM高帶寬內(nèi)存市場(chǎng)
在全球經(jīng)濟(jì)放緩和內(nèi)存芯片過剩庫存的雙重打擊下，SK海力士在2022年遭遇了十年來的首次虧損。然而，這家韓國芯片巨頭并未因此氣餒，反而宣布了一項(xiàng)高達(dá)103萬億韓元（約合746億美元）的巨額投資計(jì)劃，旨在未來三年內(nèi)重塑其在半導(dǎo)體和內(nèi)存制造領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。
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突破計(jì)算存儲(chǔ)密集型工作負(fù)載中的網(wǎng)絡(luò)和內(nèi)存瓶頸，AMD推出集成HBM的Alveo V80加速卡
大數(shù)據(jù)集計(jì)算的真正限制來自網(wǎng)絡(luò)和內(nèi)存兩大瓶頸，而AMD Alveo V80則能夠處理掉這兩大瓶頸，并且?guī)椭蛻舸蠓档蚑CO。
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SK海力士計(jì)劃在日美生產(chǎn)HBM？
據(jù)韓國經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，SK海力士母公司SK集團(tuán)會(huì)長崔泰源（Chey Tae Won）在接受采訪時(shí)表示，該公司正在研究在日本和美國等其他國家建設(shè)高帶寬存儲(chǔ)（HBM）工廠的可能性。SK海力士正在提高HBM的產(chǎn)量，以滿足人工智能（AI）熱潮對(duì)高性能芯片激增的需求。
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TrendForce集邦咨詢：HBM3e產(chǎn)出放量帶動(dòng)，2024年底HBM投片量預(yù)估占先進(jìn)制程比重35%
May 20, 2024 ---- 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究，三大原廠開始提高先進(jìn)制程的投片，繼存儲(chǔ)器合約價(jià)翻揚(yáng)后，公司資金投入開始增加，產(chǎn)能提升將集中在今年下半年，預(yù)期1alpha nm(含)以上投片至年底將占DRAM總投片比重約40%。其中，HBM由于獲利表現(xiàn)佳，加上需求持續(xù)看增，故生產(chǎn)順序最優(yōu)先。但受限于良率僅約50~60%，且晶圓面積相較DRAM產(chǎn)品，放大逾60%，意即所占投片比重高。以各家TSV產(chǎn)能來看，至年底HBM將占先進(jìn)制程比重35%，其余則用以生產(chǎn)LPDDR5(X)與DDR5產(chǎn)品。
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TrendForce集邦咨詢：2025年HBM價(jià)格調(diào)漲約5~10%，占DRAM總產(chǎn)值預(yù)估將逾三成
May 6, 2024 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，受惠于HBM銷售單價(jià)較傳統(tǒng)型DRAM(Conventional DRAM)高出數(shù)倍，相較DDR5價(jià)差大約五倍，加上AI芯片相關(guān)產(chǎn)品迭代也促使HBM單機(jī)搭載容量擴(kuò)大，推動(dòng)2023~2025年間HBM之于DRAM產(chǎn)能及產(chǎn)值占比均大幅向上。產(chǎn)能方面，2023~2024年HBM占DRAM總產(chǎn)能分別是2%及5%，至2025年占比預(yù)估將超過10%。產(chǎn)值方面，2024年起HBM之于DRAM總產(chǎn)值預(yù)估可逾20%，至2025年占比有機(jī)會(huì)逾三成。
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TrendForce集邦咨詢：DRAM廠陸續(xù)恢復(fù)生產(chǎn)，預(yù)估對(duì)第二季總DRAM位元產(chǎn)出影響低于1%
Apr. 10, 2024 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢于403震后對(duì)DRAM產(chǎn)業(yè)影響的最新調(diào)查，各供貨商所需檢修及報(bào)廢晶圓數(shù)量不一，且廠房設(shè)備本身抗震能力均能達(dá)到一定的抗震效果，因此整體沖擊較小。美光、南亞科、力積電、華邦電等，均大致恢復(fù)100%的產(chǎn)線運(yùn)作，其中僅有美光已經(jīng)轉(zhuǎn)進(jìn)至先進(jìn)制程，多為1alpha與1beta nm，預(yù)估將影響整體DRAM產(chǎn)出位元占比;其余DRAM廠仍停留在38、25nm，產(chǎn)出占比相對(duì)小。整體而言，預(yù)期本次地震對(duì)第二季DRAM產(chǎn)出位元影響仍可控制在1%以內(nèi)。
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TrendForce集邦咨詢：2024全年HBM供給位元年增預(yù)估高達(dá)260%，產(chǎn)能將占DRAM產(chǎn)業(yè)14%
Mar. 18, 2024 ---- 由于HBM售價(jià)高昂、獲利高，進(jìn)而造就廣大資本支出投資。據(jù)TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷預(yù)估，截至2024年底，整體DRAM產(chǎn)業(yè)規(guī)劃生產(chǎn)HBM TSV的產(chǎn)能約為250K/m，占總DRAM產(chǎn)能(約1,800K/m)約14%，供給位元年成長約260%。此外，2023年HBM產(chǎn)值占比之于DRAM整體產(chǎn)業(yè)約8.4%，至2024年底將擴(kuò)大至20.1%。
