TrendForce集邦咨詢：HBM3原由SK海力士獨供，三星獲AMD驗證通過將急起直追

Mar. 13, 2024 ---- 據(jù)TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，目前2024年HBM(High Bandwidth Memory)市場主流為HBM3，NVIDIA新世代含B100或H200的規(guī)格則為最新HBM3e產(chǎn)品。不過，由于AI需求高漲，目前英偉達(NVIDIA)以及其他品牌的GPU或ASIC供應(yīng)緊俏，除了CoWoS是供應(yīng)瓶頸，HBM亦同，主要是HBM生產(chǎn)周期較DDR5更長，投片到產(chǎn)出與封裝完成需要兩個季度以上所致。

傳HBM良率僅為65%，存儲大廠力爭通過英偉達測試

HBM高帶寬存儲芯片被廣泛應(yīng)用于最先進的人工智能（AI）芯片，據(jù)業(yè)界消息，英偉達的質(zhì)量測試對存儲廠商提出挑戰(zhàn)，因為相比傳統(tǒng)DRAM產(chǎn)品，HBM的良率明顯較低。

TrendForce集邦咨詢：量價齊揚，2023年第四季DRAM產(chǎn)業(yè)營收季增近三成

Mar. 5, 2024 ---- 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，受惠于備貨動能回溫，以及三大原廠控產(chǎn)效益顯現(xiàn)，主流產(chǎn)品的合約價格走揚，帶動2023年第四季全球DRAM產(chǎn)業(yè)營收達174.6億美元，季增29.6%。目前觀察2024年第一季DRAM市場趨勢，原廠目標仍為改善獲利，漲價意圖強烈，促使DRAM合約價季漲幅近兩成，然出貨位元則面臨傳統(tǒng)淡季而略微衰退。

美光發(fā)布第二代HBM3，加速AI計算應(yīng)用

AI應(yīng)用爆發(fā)促進了數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)構(gòu)架的發(fā)展，而HBM市場也將受益于此，據(jù)悉未來三年HBM的年復(fù)合增長率將超過50%。目前HBM技術(shù)最新已經(jīng)發(fā)展到了HBM3e，而預(yù)期明年的大規(guī)模AI計算系統(tǒng)商用上，HBM3和HBM3e將會成為主流。

TrendForce集邦咨詢：大型云端業(yè)者積極建置AI 服務(wù)器，加速推升AI芯片與HBM需求，預(yù)估2024年先進封裝產(chǎn)能將提升3~4成

TrendForce集邦咨詢：AI服務(wù)器需求帶動， HBM供應(yīng)龍頭SK海力士今年市占率將逾五成

Apr. 18, 2023 ---- AI服務(wù)器出貨動能強勁帶動HBM(high bandwidth memory)需求提升，據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，2022年三大原廠HBM市占率分別為SK海力士(SK hynix)50%、三星(Samsung)約40%、美光(Micron)約10%。此外，高階深度學(xué)習(xí)AI GPU的規(guī)格也刺激HBM產(chǎn)品更迭，2023下半年伴隨NVIDIA H100與AMD MI300的搭載，三大原廠也已規(guī)劃相對應(yīng)規(guī)格HBM3的量產(chǎn)。因此，在今年將有更多客戶導(dǎo)入HBM3的預(yù)期下，SK海力士作為目前唯一量產(chǎn)新世代HBM3產(chǎn)品的供應(yīng)商，其整體HBM市占率可望藉此提升至53%，而三星、美光則預(yù)計陸續(xù)在今年底至明年初量產(chǎn)，HBM市占率分別為38%及9%。

扎根中國，瑞薩電子看好數(shù)據(jù)需求和CASE領(lǐng)域

瑞薩電子本著扎根中國、服務(wù)中國的原則，一直致力于推動在中國的本土化活動。瑞薩電子比較看好的有數(shù)據(jù)和數(shù)據(jù)中心相關(guān)領(lǐng)域以及對數(shù)據(jù)需求的爆炸式增長，提供從網(wǎng)絡(luò)核心，從內(nèi)存和接口、光學(xué)產(chǎn)品到低延遲HBM（一直到網(wǎng)絡(luò)端點）的所有解決方案。此外，還將擴展模擬和電源產(chǎn)品到xEV（BMIC / IGBT），ADAS/自動駕駛傳感器（Lidar / Radar）領(lǐng)域，這一戰(zhàn)略也已經(jīng)通過Intersil/IDT的收購付諸實踐。

臺積電宣布3200平方毫米巨型芯片：整合封裝12顆HBM

除了5nm、4nm、3nm、2nm工藝進展和規(guī)劃，臺積電近日還公布了不少新的芯片封裝技術(shù)，畢竟隨著高性能計算需求的與日俱增、半導(dǎo)體工藝的日益復(fù)雜，單靠升級制程工藝已經(jīng)不能解決所有問題。 臺積電的CoW

從HBM到HBM2E，推動超高速存儲器半導(dǎo)體發(fā)展

雖然封裝不易，但 HBM 存儲器依舊會被 AMD 或者是 NVIDIA 導(dǎo)入。SK海力士宣布推出 HBM2E 標準存儲器，而這也是接續(xù) Samsung 之后的第二家;不同于 Samsung 稱為 Flashbolt，SK海力士方面只用 HBM2E 來稱呼它。

DDR內(nèi)存會很快被HBM內(nèi)存淘汰嗎？

這一年來有關(guān)國內(nèi)公司進軍內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的消息甚囂塵上，紫光公司憑借原有的英飛凌、奇夢達基礎(chǔ)在DDR3內(nèi)存上已經(jīng)作出了突破，小批量生產(chǎn)了DDR3內(nèi)存，下半年還會推出更主流的DDR4內(nèi)存芯片，正在努力追趕國際主流水平。但是放眼整個內(nèi)存市場，DDR5內(nèi)存很快就要來了，更可怕的是未來即便是DDR5內(nèi)存也很可能被更新的技術(shù)淘汰，業(yè)界已經(jīng)有人提出了DDR內(nèi)存將死的看法，未來需要高帶寬的產(chǎn)品將轉(zhuǎn)向HBM內(nèi)存，2020年會有HBM 3內(nèi)存，2024年則會有HBM 4內(nèi)存，屆時帶寬可達8TB/s，單插槽容量可達512GB。

HBM顯存大升級：單顆容量8GB 帶寬256GB/s

AMD Fiji系列顯卡已經(jīng)首發(fā)用上了HBM高帶寬顯存，而在今年，AMD、NVIDIA的新一代顯卡都會用上第二代的HBM2。近日，JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會宣布，JESD235 HBM DRAM標準規(guī)范升級為新版“JESD235A”。新版充分融入了