在中國的軌道交通與電網(wǎng)中的英飛凌的IGBT

在科學(xué)技術(shù)飛速發(fā)展的今天，離不開我們科研人員的辛勤付出，制造出如此多的電子產(chǎn)品，然而大家只關(guān)注這些產(chǎn)品的使用，只有研究人員會關(guān)注內(nèi)部結(jié)構(gòu)，這其中就要數(shù)功率器件了。在能源、軌道交通、工業(yè)電子與汽車電子中，功率半導(dǎo)體扮演著關(guān)鍵角色，這些領(lǐng)域?qū)τ诳煽啃砸蠓浅８?。以軌道交通?yīng)用為例，軌道交通會采用IGBT做牽引變流器，這些牽引變流器的性能將決定軌交列車跑得快不快、速度是否均勻、剎車是否可靠，軌道交通的快速發(fā)展，對于IGBT技術(shù)的發(fā)展起到了極大的促進作用。

國產(chǎn)芯片真金質(zhì)!基本半導(dǎo)體挑戰(zhàn)極限高溫測試“火”力全開

挑戰(zhàn)驕陽火焰山，何須芭蕉借又還。 國產(chǎn)芯片真金質(zhì)，不懼火煉過樓蘭。

將ADuM4135柵極驅(qū)動器與Microsemi APTGT75A120T1G 1200 V IGBT模塊配合使用

絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)是適用于高壓應(yīng)用的經(jīng)濟高效型解決方案，如車載充電器、非車載充電器、DC-DC快速充電器、開關(guān)模式電源(SMPS)應(yīng)用。開關(guān)頻率范圍：直流至100kHz。IGBT可以是單一器件，甚至是半橋器件，如為圖1所示設(shè)計選擇的。

IGBT功率半導(dǎo)體項目投資7.5億美元，落戶嘉善

7月16日，浙江嘉善舉行了IGBT功率半導(dǎo)體項目及IGBT技術(shù)研發(fā)中心簽約儀式。IGBT功率半導(dǎo)體項目注冊資金2.5億美元，總投資7.5億美元，主要從事高端絕緣柵雙極型晶體管的自主研發(fā)和制造，一期達產(chǎn)

意法半導(dǎo)體推出600V三相智能關(guān)斷柵極驅(qū)動器，提高工業(yè)應(yīng)用性能和安全性

中國，2019年7月17日——意法半導(dǎo)體的STDRIVE601三相柵極驅(qū)動器用于驅(qū)動600V N溝道功率MOSFET和IGBT管，穩(wěn)健性居目前業(yè)內(nèi)最先進水平，可耐受低至-100V的負尖峰電壓，邏輯輸入響應(yīng)速度在85ns以內(nèi)，處于同級產(chǎn)品一流水平。

什么是IGBT呢？詳細講解IGBT作用及其選型要求

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。

IGBT最不為人知的神秘損壞原因！

尤其在使用單相交流電源的電磁爐電路中，千篇一律的采用大同小異的電源電路結(jié)構(gòu)，如圖中所示，R1與C1+C2之和的乘積——放電時間常數(shù)，遠遠大于交流電半周期的時間（10毫秒），因此，每個半周期所充的電壓都

安森美半導(dǎo)體和格芯合作轉(zhuǎn)讓紐約東菲什基爾300mm晶圓廠的所有權(quán)

安森美半導(dǎo)體公司(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON和格芯(GLOBALFOUNDRIES)宣布就安森美半導(dǎo)體收購GLOBALFOUNDRIES位于紐約東菲什基爾(East Fishkill, New York)的300 mm晶圓廠達成最終協(xié)議。此次收購總代價為4.3億美元，其中1億美元已在簽署最終協(xié)議時支付，其余3.3億美元將在2022年年底支付，之后，安森美半導(dǎo)體將獲得該晶圓廠的全面運營控制權(quán)，該廠的員工將轉(zhuǎn)為安森美半導(dǎo)體的員工。此交易的完成取決于監(jiān)管機構(gòu)的批準(zhǔn)及其它慣例成交

安森美半導(dǎo)體推出基于SiC的兩種IGBT門極驅(qū)動器

安森美半導(dǎo)體，在德國紐倫堡歐洲PCIM 2019展會推出新的基于碳化硅(SiC)的混合IGBT和相關(guān)的隔離型大電流IGBT門極驅(qū)動器隔離型大電流IGBT門極驅(qū)動器。

意法半導(dǎo)體650V高頻IGBT利用最新高速開關(guān)技術(shù)提升應(yīng)用性能

中國，2019年4月30日——意法半導(dǎo)體的HB2 650V IGBT系列采用最新的第三代溝柵場截止(TFS)技術(shù)，可提高PFC轉(zhuǎn)換器、電焊機、不間斷電源(UPS)、太陽能逆變器等中高速應(yīng)用設(shè)計的能效和性能。該系列還包括符合

用超快速IGBT可取代100KHz變換器中的MOSFET

意法半導(dǎo)體的先進IGBT專為軟開關(guān)優(yōu)化設(shè)計 可提高家電感應(yīng)加熱效率

意法半導(dǎo)體的STGWA40IH65DF和STGWA50IH65DF 650V STPOWER™IGBT兩款產(chǎn)品能夠在軟開關(guān)電路中實現(xiàn)最佳的導(dǎo)通和開關(guān)性能，提高諧振轉(zhuǎn)換器在16kHz-60kHz開關(guān)頻率范圍內(nèi)的能效。

TI首款適用于IGBT和SiC MOSFET且集成傳感功能的隔離式柵極驅(qū)動器，可顯著節(jié)約能耗，并為高壓系統(tǒng)構(gòu)筑堅強屏障

新型TI柵極驅(qū)動器提供先進的監(jiān)控和保護功能，同時還能提升汽車和工業(yè)應(yīng)用中的總體系統(tǒng)效率

繼續(xù)快速成長，2019年中國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模逾人民幣2,900億元

TrendForce預(yù)估，2019年中國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模將達到2,907億元人民幣，較2018年成長12.17%，維持雙位數(shù)的成長表現(xiàn)。

開關(guān)電源IGBT的可靠性能解析

　　一、IGBT的簡單介紹　　絕緣柵雙極型晶體管(簡稱“IGBT”)是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET,輸出極為PNP晶體管，它融和了這兩種器件的優(yōu)

基于IGBT的電壓型逆變器輔助開關(guān)電源的設(shè)計

電壓型逆變電源的輔助開關(guān)電源其雙管反激式開關(guān)電源能高效地提供多路直流輸出，電路元件全部由分立式元件構(gòu)成，抗干擾能力強，工作穩(wěn)定可靠，因而能滿足電壓型逆變器等對電

IGBT保護電路設(shè)計總結(jié)

　　本文論述了IGBT的過流保護、過壓保護與過熱保護相關(guān)問題，并從實際應(yīng)用中總結(jié)出各種保護方法，這些方法實用性強，保護效果好，是IGBT保護電路設(shè)計必備知識?！　GBT（

不間斷電源中的IGBT應(yīng)用總結(jié)

　　1. 引言　　在UPS中使用的功率器件有雙極型功率晶體管、功率MOSFET、可控硅和IGBT，IGBT 既有功率MOSFET 易于驅(qū)動，控制簡單、開關(guān)頻率高的優(yōu)點，又有功率晶體管的導(dǎo)通

太陽能逆變器中IGBT和MOSFET技術(shù)解析

　　發(fā)展逆變器技術(shù)是太陽能應(yīng)用提出的要求，本文介紹了太陽能逆變器的原理及架構(gòu)，著重介紹了IGBT和MOSFET技術(shù)，實現(xiàn)智能控制是發(fā)展太陽能逆變器技術(shù)的關(guān)鍵?！　∫?、太陽

IGBT助變頻器實現(xiàn)高效能低損耗

　　·隨著IGBT升級換代，變頻器性能不斷提高，體積不斷減小?！　　と怆姍C在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的一個很大的優(yōu)勢就是貼近系統(tǒng)用戶。　　日本從上世紀(jì)80年代開始使用工業(yè)用的