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高壓無(wú)功補(bǔ)償發(fā)生器（SVG）電源解決方案
SVG是目前無(wú)功功率控制領(lǐng)域內(nèi)的最佳方案。相對(duì)于傳統(tǒng)的調(diào)相機(jī)、電容器電抗器、以晶閘管控制電抗器TCR為主要代表的傳統(tǒng)SVC等方式，SVG有著無(wú)可比擬的優(yōu)勢(shì)。
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Littelfuse將收購(gòu)ON Semiconductor部分產(chǎn)品組合 提高在汽車用電子產(chǎn)品市場(chǎng)的份額
Littelfuse, Inc宣布其已達(dá)成最終協(xié)議，將向ON Semiconductor Corporation收購(gòu)用于汽車點(diǎn)火應(yīng)用的瞬態(tài)電壓抑制(“TVS”)二極管、開(kāi)關(guān)晶閘管和絕緣柵雙極晶體管(
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薄膜電容器: 用于新型IGBT模塊的直流支撐電容器
TDK 集團(tuán)推出新型愛(ài)普科斯 (EPCOS) 直流支撐電容器。該元件專為英飛凌科技公司 (Infineon Technologies) HybridPACK™1-DC6 IGBT模塊而設(shè)計(jì)，采用多觸點(diǎn)結(jié)構(gòu)，具備尺寸大小與IGBT模塊精確匹配的六個(gè)母線端子。
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IGBT最基礎(chǔ)的東西，看完就懂！
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,具有功率MOSFET的高速性能與雙極的低電阻性能兩方面的優(yōu)點(diǎn)
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三大方法快速判斷IGBT是否已經(jīng)損壞
隨著大功率電源設(shè)備的普及率越來(lái)越高，IGBT在大功率電源設(shè)備中的作用也越來(lái)越重要，因此對(duì)IGBT知識(shí)進(jìn)行全方面的了解是非常有必要的。隨著使用頻率的升高，IGBT在使用過(guò)程中
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防止電動(dòng)/混動(dòng)汽車“發(fā)燒”，先測(cè)測(cè)IGBT的熱性能
先來(lái)看幾個(gè)電動(dòng)/混動(dòng)汽車(EV/HEV)由于過(guò)熱問(wèn)題被召回的真實(shí)案例。2016年1月，美國(guó)汽車制造商召回五千多萬(wàn)的汽車;2014年9月，福特公司由于電子混合系統(tǒng)過(guò)熱問(wèn)題召回7400輛汽車;2014年1月，特斯拉為了防止過(guò)熱召回290
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Mentor推出 MicReD Power Tester 600A 解決方案，用于解決電動(dòng)和混合動(dòng)力車 IGBT 熱可靠性問(wèn)題
Mentor Graphics公司今天宣布推出全新的 MicReD® Power Tester 600A 產(chǎn)品，其在功率循環(huán)中能測(cè)試電動(dòng)和混合動(dòng)力車 (EV/HEV) 的功率半導(dǎo)體器件的可靠性。借助 MicReD
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Mentor Graphics 推出獨(dú)特的 MicReD Power Tester 600A 解決方案，用于解決電動(dòng)和混合動(dòng)力車 IGBT 熱可靠性問(wèn)題
Mentor Graphics公司(納斯達(dá)克代碼：MENT)今天宣布推出全新的 MicReD® Power Tester 600A 產(chǎn)品，其在功率循環(huán)中能測(cè)試電動(dòng)和混合動(dòng)力車 (EV/HEV) 的功率半導(dǎo)體器件的可靠性。
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大功率IGBT中濾波電容的選擇與計(jì)算
由于IGBT類電源的特殊性，于一般的電源相比其中很多器件都會(huì)有相應(yīng)的改動(dòng)。濾波電容就是其中一個(gè)變動(dòng)較大的器件。為了為大功率電源進(jìn)行不間斷的供電，濾波電容需要擁有較大
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大功率電源中IGBT電壓與驅(qū)動(dòng)能力是什么關(guān)系?
IGBT作為電壓控制型開(kāi)關(guān)器件，IGBT的開(kāi)關(guān)由柵極的電壓控制。大家都知道柵極電壓升高，IGBT導(dǎo)通，柵極電壓低，IGBT關(guān)斷。但是使用的時(shí)候還是很容易忽略柵極導(dǎo)通電壓的高低對(duì)
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太陽(yáng)能中根據(jù)逆變拓?fù)溥M(jìn)行IGBT選擇
在綠色能源快速發(fā)展的當(dāng)下，太陽(yáng)能發(fā)電對(duì)于人們來(lái)說(shuō)已經(jīng)不是什么新鮮事物。在太陽(yáng)能逆變電源的角度來(lái)說(shuō)，想要獲得更多的效率，IGBT就是必不可少的重要器件。使用IGBT能夠?yàn)樘?yáng)能逆變器帶來(lái)更大的收益。
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安森美半導(dǎo)體推出基于第三代超場(chǎng)截止技術(shù)的1200 V器件
21ic訊 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)： ON)，推出新系列絕緣柵雙極晶體管(IGBT)，采用公司專有的超場(chǎng)截止溝槽技術(shù)。NGTB40N120F
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三個(gè)將造成IGBT損壞的低級(jí)操作錯(cuò)誤
熟悉IGBT的朋友都知道，IGBT的內(nèi)部主要是MOS結(jié)構(gòu)。這就意味著IGBT對(duì)于靜電非常敏感，在使用過(guò)程中稍有不當(dāng)就可能造成IGBT的損壞。那么在使用IGBT時(shí)，需要設(shè)計(jì)者注意哪些問(wèn)題
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避免IGBT不良反應(yīng)的隔離驅(qū)動(dòng)7條經(jīng)驗(yàn)
IGBT技術(shù)大多應(yīng)用在大功率電源場(chǎng)合，要在這些場(chǎng)合應(yīng)用，首先就需要擁有避免欠壓、米勒效應(yīng)、過(guò)載一類的不良反應(yīng)。因此在隔離驅(qū)動(dòng)IGBT功率器件的設(shè)計(jì)上就需要相應(yīng)的設(shè)計(jì)技巧
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大功率電源IGBT損壞的問(wèn)題成因探討
隨著市場(chǎng)對(duì)大功率供電設(shè)備需求日益激增，IGBT不間斷電源開(kāi)始發(fā)揮越來(lái)越重要的作用。IGBT設(shè)備性能的好壞直接影響大功率電源的供電效率。一般來(lái)說(shuō)，較為成熟的IGBT設(shè)計(jì)出現(xiàn)損
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通過(guò)對(duì)耦合電流路徑改造提升IGBT可靠性
隨著大功率與特種電源逐漸在市場(chǎng)上盛行，IGBT技術(shù)也隨著時(shí)間的推移越加成熟。IGBT的可靠性很大程度上決定的了大功率電源的性能，因此人們總是想通過(guò)各種方法來(lái)提高IGBT的效
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東芝面向車載逆變器推出光電隔離型IGBT柵極預(yù)驅(qū)動(dòng)IC
東芝公司(TOKYO：6502)旗下存儲(chǔ)與電子元器件解決方案公司今日宣布推出“TB9150FNG”，這是一款具有各種增強(qiáng)型保護(hù)功能的光電隔離型IGBT[1]柵極預(yù)驅(qū)動(dòng)IC，適用于電動(dòng)和混合動(dòng)力汽車的車載逆變器。樣品發(fā)貨即
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如何依靠輸出邏輯提升IGBT的可靠性
隨著現(xiàn)代電科技設(shè)備的日趨復(fù)雜，原有的電源已經(jīng)無(wú)法再滿足人們的需要。大功率特種電源便應(yīng)運(yùn)而生，而其中較為重要的，就是IGBT技術(shù)。如果想要全面穩(wěn)妥的提高IGBT的可靠性，
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從連接器與電容入手提高IGBT可靠性
隨著不間斷電源等特殊電源的興起，IGBT在電子電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域地位變得越來(lái)越重要，在之前的文章中小編為大家介紹有關(guān)IGBT可靠性中的芯片額定輸出功率密度的問(wèn)題，在本文中，小
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基于高速I(mǎi)GBT的100kHz高壓-低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器
本文分析了一種基于高速I(mǎi)GBT的軟開(kāi)關(guān)移相全橋帶同步整流的DC/DC轉(zhuǎn)換器。移相全橋拓?fù)涞能涢_(kāi)關(guān)技術(shù)是混合動(dòng)力汽車和電動(dòng)汽車高壓-低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器的主流關(guān)鍵技術(shù)。
