碳化硅和氮化鎵開關器件是電源電路中的主要元件。雖然這些器件在運行速度、高電壓、處理電流和低功耗等固有特性方面表現出更高的性能，但設計人員往往只關注這些器件，而經常忽略相關的驅動器。

柵極驅動器的作用

有效的電源電路不僅僅由 SiC 和 GaN MOSFET 等固定組件組成。柵極驅動器是一個獨立組件，位于電子開關之前，可確保最佳能量傳輸以有效驅動它們。僅僅將方波或矩形波直接傳輸到組件的柵極端子是不夠的。然而，必須適當地安排驅動信號以提供正確的電位，從而確保振蕩對不同組件而言是最佳的。這有助于最大限度地減少寄生元件并盡可能地減輕功率損耗。因此，設計人員必須根據電路執(zhí)行項目，并考慮終端負載。這涉及研究和開發(fā)能夠有效驅動功率組件的高質量柵極驅動器。

驅動器效率低下不僅會導致大量功率損耗，還經常導致同步不當，從而導致電路運行異常，甚至導致 MOSFET 損壞。這些器件由電壓控制，其柵極用作控制端子，與器件電氣隔離。要激活 MOSFET，必須由特定驅動器向此端子施加電壓。

MOSFET 的柵極端子可視為非線性電容器。通過向柵極電容器施加電荷，該器件被激活并允許電流在漏極和源極端子之間通過。相反，該電容器的放電將其轉換為“關閉”狀態(tài)。為了激活 MOSFET，需要在柵極和源極端子之間提供大于閾值電壓 (VTH) 的電壓。該值是給電容器充電并允許 MOSFET 導通所需的最小值。通常，諸如微控制器 (MCU) 之類的數字系統不夠強大，無法直接激活該器件。因此，始終需要一個接口(即驅動器)來將控制邏輯與電源開關連接起來。

柵極驅動器主要用作電平轉換器。然而，柵極電容器不具備瞬間充電的能力;它需要一定的時間才能達到最大充電量。在此短暫時間內，設備以較大的電流和電壓運行，從而產生大量以熱量形式存在的電能。遺憾的是，這些能量仍未得到利用，這代表著電力的耗盡。為了最大限度地縮短切換時間并允許柵極電容器快速充電，狀態(tài)之間的轉換必須非常迅速，這需要較大的電流瞬變。下面描述了碳化硅 (SiC) 金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET) 作為電子開關時的行為。它說明了瞬態(tài)事件期間不同點的關鍵信號。

· 頂部的“V(脈沖)”信號表示為系統供電的 PWM 波。這是一個理想的矩形信號，頻率在本例中為 100 kHz。這是一個完美的信號。

· “V(柵極)”信號表示柵極端子上的實際信號。如您所見，其趨勢是不規(guī)則的，因為柵極電容不是線性的，其電壓在幾分鐘后達到最大值，這是電容器充電至最大容量所需的時間。該間隔由時間常數 RC 決定，在本例中約為 150 ns。

· “I(負載)”信號表示流過負載和漏極端子的電流。最初，當 MOSFET 開啟時，該信號為低電平，然后當 MOSFET 關閉時，該信號達到最大電平。此序列無限重復。請注意，切換不是立即且瞬時的，而是遵循柵極電壓的切換。

· “V(漏極)”信號顯示的是VGS電壓的變化趨勢，顯然，它與電流呈反相，并且始終跟隨柵極電容的充電速度。

· 最后顯示了 MOSFET 的功耗(VDS × ID)，與驅動信號的上升沿和下降沿相對應，它呈現出較高的有害峰值。這就是功率損失，這是柵極驅動器必須盡可能降低的一個因素。