三星上周五宣布,已開(kāi)始量產(chǎn)行業(yè)首款eMMC5.0存儲(chǔ)產(chǎn)品。這是全球速度最快的嵌入式存儲(chǔ)芯片,三星將提供16GB、32GB和64GB三種規(guī)格的產(chǎn)品。三星這一eMMC5.0產(chǎn)品提供了400MB/s的接口速度,從而帶來(lái)了更快的應(yīng)用啟動(dòng)和加載
21ic訊 東芝公司(Toshiba Corporation)日前宣布,該公司已經(jīng)為智能手機(jī)和平板電腦等移動(dòng)設(shè)備的高電流充電電路的開(kāi)關(guān)推出了超緊湊型MOSFET,包括兩種電池。隨著更多功能添加至智能手機(jī)和手機(jī)、平板電腦和筆記本電腦等
日前,日本東京大學(xué)的兩位材料科學(xué)家TakaoSomeya和MartinKaltenbrunner研制出一種帶有傳感器的透明塑料有機(jī)薄膜,據(jù)英國(guó)新科學(xué)家雜志報(bào)道,其可作為醫(yī)學(xué)植入器,其結(jié)構(gòu)非常微妙,不會(huì)引起人們的刻意關(guān)注,或者它可作
IC封測(cè)大廠日月光(2311)在上周五法說(shuō)會(huì)中釋出Q3封測(cè)材料營(yíng)收季增1-5%,毛利率則持平24%高檔水位的財(cái)測(cè),成長(zhǎng)格局并不令外資機(jī)構(gòu)意外,包括巴克萊、德意志銀行、小摩、野村、美銀美林均表達(dá)對(duì)日月光營(yíng)運(yùn)的正面看法;即
臺(tái)積電28日在紐約州魚溪市(Fishkill)進(jìn)行第二天的美東征才活動(dòng)。臺(tái)積電著眼于此區(qū)域豐沛的半導(dǎo)體人才,期待志同道合的菁英加入。 臺(tái)積電北美人力資源處資深處長(zhǎng)曾春良說(shuō),「臺(tái)積電是一家龍頭企業(yè),每個(gè)人都想來(lái)
聯(lián)電(2303)昨(29)日宣布,12寸URAM嵌入式存儲(chǔ)器技術(shù)獲得中國(guó)大陸數(shù)碼電視解調(diào)器芯片設(shè)計(jì)公司高拓訊達(dá)(AltoBeam)的訂單,未來(lái)將運(yùn)用在高拓訊達(dá)推出的DVB-T2/T/C/S2/S解調(diào)器ATBM7812,以因應(yīng)未來(lái)數(shù)碼電視市場(chǎng)需求
半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備領(lǐng)導(dǎo)者愛(ài)德萬(wàn)測(cè)試發(fā)表多功能NEO-SSD平臺(tái),揮軍高階PCI Express(PCIe)3.0 NVMe企業(yè)級(jí)/消費(fèi)性應(yīng)用固態(tài)硬盤(SSD)測(cè)試市場(chǎng),愛(ài)德萬(wàn)以此平臺(tái)為基礎(chǔ)開(kāi)發(fā)了一系列測(cè)試解決方案,預(yù)定于今年第4季開(kāi)始向客戶
應(yīng)用材料公司(Applied Materials)為其 SEMVision 系列推出一套最新缺陷檢測(cè)及分類技術(shù),加速達(dá)成10奈米及以下的先進(jìn)晶片生產(chǎn)良率。Applied SEMVision G6 缺陷分析系統(tǒng)結(jié)合前所未有高解析度、多維影像分析功能,及革命
2009年,TI(德州儀器)建造了行業(yè)里第一個(gè)300mm的用于模擬芯片的晶圓廠,此舉改變了半導(dǎo)體行業(yè)的局面。 到那時(shí)為止,模擬芯片的制造使用的是200mm以及更小尺寸的晶圓。在300mm晶圓廠里,TI(德州儀器)可以獲得比
聯(lián)電將跳過(guò)20奈米(nm)制程節(jié)點(diǎn),全力卡位14奈米鰭式電晶體(FinFET)市場(chǎng)。由于20奈米研發(fā)所費(fèi)不貲,加上市場(chǎng)需求仍不明朗,因此聯(lián)電已計(jì)劃在量產(chǎn)28奈米后,直接跨過(guò)20奈米節(jié)點(diǎn),加速挺進(jìn)更具投資效益的14奈米FinFET世
目前,中國(guó)家電、手機(jī)、電腦、汽車等整機(jī)企業(yè)所需的核心芯片80%以上依賴進(jìn)口,這固然與整個(gè)工業(yè)發(fā)展基礎(chǔ)不完備、產(chǎn)業(yè)配套環(huán)境不完善等因素有關(guān),但芯片與整機(jī)脫節(jié)也是不可忽視的一大因素。我國(guó)《集成電路產(chǎn)業(yè)“十二五
日經(jīng)新聞(Nikkei)與路透周六引述知情人士指出,日本芯片大廠瑞薩電子(RenesasElectronics)擬關(guān)閉位于山形縣鶴岡市的系統(tǒng)LSI芯片廠,最快將于2015會(huì)計(jì)年度執(zhí)行(2014年4月初起)。消息人士透露,由于瑞薩未能找到買
英特爾目前仍然牢牢把持著數(shù)據(jù)中心,至少是數(shù)據(jù)中心內(nèi)的大部分服務(wù)器,自然希望在保持現(xiàn)狀之外在網(wǎng)絡(luò)及存儲(chǔ)業(yè)務(wù)等毗鄰領(lǐng)域占據(jù)統(tǒng)治地位。有鑒于此,芯片巨頭舉辦了為期一天的記者與分析師招待會(huì)。同時(shí)參加的還有公司
1983年時(shí)任三星會(huì)長(zhǎng)的李秉喆發(fā)表“我想以我們民族特有的強(qiáng)韌精神和創(chuàng)造力為基礎(chǔ)來(lái)推進(jìn)半導(dǎo)體事業(yè)”的“東京宣言”。在初期,因日本企業(yè)的牽制和缺乏技術(shù)而困難重重,但1994年(三星)世界首次開(kāi)發(fā)出245兆位(Mb)D-RAM
《中國(guó)科學(xué)報(bào)》24日?qǐng)?bào)道,國(guó)防科技大學(xué)教授徐暉表示,憶阻器帶來(lái)的變革,將在世界電子科技領(lǐng)域引發(fā)一場(chǎng)基礎(chǔ)性的影響重大的競(jìng)賽。憶阻器是一種能夠模仿神經(jīng)功能的微電子元件,由極薄的納米薄膜(二氧化鈦納米薄膜)制成