繼被歐盟處罰10多億美元后,英特爾有些像認(rèn)錯(cuò)的小學(xué)生一樣,習(xí)慣低頭了。前天,這家巨頭跟美國(guó)聯(lián)邦貿(mào)易委員會(huì)達(dá)成和解協(xié)議,英特爾表示未來(lái)將不再使用威脅和捆綁銷售等手段來(lái)抑制競(jìng)爭(zhēng)。該委員會(huì)公布了英特爾之前采用
2010中國(guó)(大連)國(guó)際專利技術(shù)與產(chǎn)品交易會(huì)召開(kāi)。英特爾作為全球創(chuàng)新計(jì)算領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)廠商,在此次活動(dòng)上展示了創(chuàng)立42年來(lái)在技術(shù)創(chuàng)新和專利領(lǐng)域的重要成果,分享了創(chuàng)新和知識(shí)產(chǎn)權(quán)管理的成功理念與經(jīng)驗(yàn),以致力于推動(dòng)中國(guó)
存儲(chǔ)器大廠華邦第2季毛利率大幅提升至25%,稅后獲利較上季成長(zhǎng)率高達(dá)222%;總經(jīng)理詹東義表示,華邦宣告轉(zhuǎn)型告捷,第2季標(biāo)準(zhǔn)型DRAM營(yíng)收比重降至2%,未來(lái)華邦是全方面存儲(chǔ)器供應(yīng)商,第2季表現(xiàn)最佳的是NORFlash產(chǎn)品線,
晶圓代工廠第3季展望樂(lè)觀,業(yè)績(jī)也持續(xù)走高,聯(lián)電7月?tīng)I(yíng)收較6月走高,月增4.7%,創(chuàng)近69個(gè)月來(lái)新高紀(jì)錄,臺(tái)積電旗下世界先進(jìn)受惠于晶圓出貨成長(zhǎng),亦帶動(dòng)7月?tīng)I(yíng)收較上月成長(zhǎng)8%,也創(chuàng)下近9年半來(lái)新高水平。 聯(lián)電于日前
IC封測(cè)廠7月業(yè)績(jī)表現(xiàn)不同調(diào),日月光7月合并營(yíng)收持續(xù)攀高,續(xù)創(chuàng)歷史新高;硅格 7月合并營(yíng)收則較6月下滑3.5%,中止單月?tīng)I(yíng)收連續(xù)創(chuàng)歷史新高紀(jì)錄的局面,主要系臺(tái)灣IC設(shè)計(jì)客戶下單相對(duì)疲軟所致。日月光表示,由于先前基期
“截至2010年2月18日,HDMI的采用廠商數(shù)量已達(dá)到970家,預(yù)計(jì)今年底將達(dá)到1千家?!盚DMILicensingLLC總裁SteveVenuti在2010年7月初的臺(tái)北、上海、深圳HDMI®巡回技術(shù)研討會(huì)上驕傲地與大中華地區(qū)的電子行業(yè)產(chǎn)品經(jīng)理
測(cè)量電源分配系統(tǒng)階躍響應(yīng)的測(cè)試夾具,在圖中,從測(cè)試夾具上施加一個(gè)小的電流階躍到電源系統(tǒng),來(lái)看看是什么反應(yīng)。這個(gè)探頭裝置的輸出阻抗是25歐在圖中,從測(cè)試夾具上施加一個(gè)小的電流階躍到電源系統(tǒng),來(lái)看看是什么反應(yīng)
封測(cè)雙雄已公布 7 月?tīng)I(yíng)收,皆維持成長(zhǎng)趨勢(shì),月增幅度皆在 1 %以內(nèi);龍頭日月光(2311-TW)公布 7 月?tīng)I(yíng)收,封測(cè)營(yíng)收達(dá)112.06億元,較 6 月的111.03億元微增0.9%,較去年同期80.5億元增加了39.2%。 由于上半年基期已
在3月22日 NXP提交給美國(guó)證交會(huì)的文件中,表明此次IPO,僅拿出公司總股數(shù)的14%,其上市股價(jià)最終為每股14美元。NXP的IPO可能是今年在美國(guó)上市公司中最大之一,達(dá)到4.76億美元,但比預(yù)期己經(jīng)低了許多。公司在4月時(shí)曾作
晶圓代工廠聯(lián)電(2303)及世界先進(jìn)(5347)7月?tīng)I(yíng)收,均比6月增溫。其中,聯(lián)電7月?tīng)I(yíng)收達(dá)108.21億元,為歷史單月第5高﹔世界先進(jìn)的15.92億元,則是創(chuàng)下9年半來(lái)新高。由于上游IDM廠及IC設(shè)計(jì)公司持續(xù)下單,第3季晶圓代
歐洲最大,旨在研發(fā)高度整合電子系統(tǒng)級(jí)封裝(system-in-package, SiP ) 解決方案的項(xiàng)目計(jì)劃已經(jīng)啟動(dòng),共有來(lái)自歐洲九個(gè)國(guó)家、總計(jì) 40 家微電子公司和研究機(jī)構(gòu)參與該 ESiP 計(jì)劃 (Efficient Silicon Multi-Chip Syst
國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)日前公布2010第二季SMG (Silicon manufacturers Group)硅晶圓出貨報(bào)告,第二季全球硅晶圓出貨總面積達(dá)2,365百萬(wàn)平方英寸,較上一季成長(zhǎng)7%,更比去年同期增加40%,創(chuàng)歷年新高。 據(jù)
聯(lián)電(2303)初估7月?tīng)I(yíng)收攀高至108.2億元,較6月再成長(zhǎng)4.7%,并創(chuàng)下逾五年以來(lái)新高紀(jì)錄。 聯(lián)電自5月?tīng)I(yíng)收重登百億元關(guān)卡后,已連續(xù)第三個(gè)月站穩(wěn)百億營(yíng)收,7月?tīng)I(yíng)收一舉創(chuàng)下69個(gè)月以來(lái)新高紀(jì)錄;預(yù)估第三季單月?tīng)I(yíng)收均在
IC封測(cè)廠硅格(6257)表示,自結(jié)七月份合并營(yíng)業(yè)收入為新臺(tái)幣4.35億元,較上月減少3.5%,但仍保持今年第三高營(yíng)收紀(jì)錄,比較去年同期成長(zhǎng)39%,累計(jì)今年前七月之營(yíng)業(yè)額為新臺(tái)幣28.66億元,比較去年同期增加49%。
美國(guó)IBM T.J.華生研究中心(IBM T.J. Watson Research Center)在半導(dǎo)體制造技術(shù)相關(guān)國(guó)際會(huì)議“2010 Symposium on VLSI Technology”上宣布,試制出了采用最小直徑為3nm的硅納米線FET的25級(jí)CMOS環(huán)形振蕩器,并實(shí)際確