加州圣塔克拉拉--(美國商業(yè)資訊)--半導(dǎo)體邏輯非易失性存儲器 (NVM) 知識產(chǎn)權(quán) (IP) 領(lǐng)域的領(lǐng)先供應(yīng)商Kilopass Technology Inc. 今天宣布,該公司的XPM?嵌入式一次性可編程 (OTP) 非易失性存儲器技術(shù)率先在TSMC? 40nm和
據(jù)路透社報道,大陸中芯國際公司計劃將其負責管理的,位于大陸成都的一間國有200mm芯片廠的管理權(quán)轉(zhuǎn)讓給德州儀器公司,目前雙方正就管理權(quán)的交接事宜進行談判。這間設(shè)在大陸成都的200mm晶圓廠情況比較特殊,根據(jù)中芯
道瓊社25日報導(dǎo),三星電子(Samsung Electronics)表示,截至臺北時間25日下午3時為止,南韓京畿省(Gyeonggi)器興市(Giheung)半導(dǎo)體廠房跳電所造成的損失估計不到90億韓圜(790萬美元)。三星并表示,目前尚未找出跳電的
英特爾成都封裝測試工廠今天下線了第4.8億顆芯片,也即將開始2010全新酷睿處理器的生產(chǎn)當中,在今年下半年,這座于2003年開始運作的工廠將要增加晶圓預(yù)處理生產(chǎn)線,至此,英特爾在成都的投資已經(jīng)達到6億美元。今日,
晶圓代工龍頭廠臺積電董事長張忠謀昨天再度對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣提出樂觀看法,強調(diào)今年、甚至明年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)前景一片光明。 盡管因去年下半年基期已高,致今年下半年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣成長恐將趨緩,年增率將不如上半年;不
3月26日上午消息,英特爾成都芯片封裝測試廠第4.8億顆芯片今天下線,并正式投產(chǎn)英特爾的2010酷睿移動處理器。英特爾發(fā)布的消息稱,成都廠目前是英特爾全球最大的芯片封裝測試中心之一,2010年下半年將建設(shè)成為全球晶
盡管2009年全球經(jīng)歷了空前的經(jīng)濟危機,但是MEMS市場并未受到影響,市場規(guī)模幾乎與2008持平,出貨量與2008年同期相比大約增長了10%。這些數(shù)據(jù)表明,MEMS在消費電子市場的滲透率正在不斷提高。iSuppli最新一份市場研究
您知道嗎?眼圖的歷史可以追溯到大約47年前。在力科于2002年發(fā)明基于連續(xù)比特位的方法來測量眼圖之前,1962年-2002的40年間,眼圖的測量是基于采樣示波器的傳統(tǒng)方法。您相信嗎?在長期的培訓和技術(shù)支持工作中,我們發(fā)
成立于1945年的德資雅迪HARTING公司是連接器與工業(yè)網(wǎng)路技術(shù)領(lǐng)域的市場領(lǐng)先者,昨天該公司資深副總裁Philip F. W. Harting洪斐立先生在慕尼黑上海電子展上半開玩笑地表示:“在工業(yè)連接器市場上,我相信我們沒有競爭對
臺積電LED照明技術(shù)研發(fā)中心暨量產(chǎn)廠房昨舉行動土典禮,董事長張忠謀再為半導(dǎo)體市場景氣把脈,并替今明兩年景氣點上光明燈。張忠謀表示,相當看好今年整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是一片光明,甚至現(xiàn)在已可預(yù)期,明年也會是半導(dǎo)體
東芝正式宣布將開始建設(shè)之前延期的NAND型閃存量產(chǎn)線。預(yù)定于2010年7月開始建設(shè)四日市工廠的第五生產(chǎn)車間(Fab5),2011年春季竣工,最早將在2011年夏季投產(chǎn)?,F(xiàn)在,作為NAND量產(chǎn)線東芝已啟動了四日市工廠的第四生產(chǎn)車
在半導(dǎo)體內(nèi)存行業(yè),美國美光科技(MicronTechnology)的地位在不斷提高。該公司2010年2月宣布收購第一大NOR閃存廠商瑞士恒憶(NumonyxB.V.)。除DRAM、NAND閃存外,該公司今后還將涉足NOR閃存、MCP(Multi-chipPacka
一張掛在英特爾上海辦公室和英特爾中國執(zhí)行董事戈峻的一張PPT中的“圖紙”,“泄露”了英特爾大連芯片廠未來布局。昨日,CNET科技資訊網(wǎng)記者在英特爾大連芯片廠采訪了大連市副市長戴玉林與英特爾大連芯片廠總經(jīng)理柯必
近期由于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇,多數(shù)晶圓廠產(chǎn)能吃緊,據(jù)臺灣媒體報道近期博通、阿爾特拉、高通、英偉達等公司高管,紛紛利用到臺灣參加全球半導(dǎo)體聯(lián)盟理事會之便拜訪臺積電董事長張忠謀,希望臺積電能夠盡力提高產(chǎn)能滿足需
根據(jù)DRAMeXchange的預(yù)測,從今年到2012年,DRAM產(chǎn)業(yè)供給方面在產(chǎn)能擴充、資本支出、浸潤式機臺供給有限,以及40nm以下制程轉(zhuǎn)進難度高影響下,位成長有限。而DRAM需求在全球景氣復(fù)蘇,帶動消費者及企業(yè)換機潮,以及智