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NEC等發(fā)布基于噴墨法的碳納米管FET成果：“水基液滴材料較佳”
由NEC、產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所和東京大學(xué)組成的聯(lián)合研究小組發(fā)布了以噴墨法試制的碳納米管FET相關(guān)研究成果。當(dāng)碳納米管溶劑使用水時(shí)，繪圖精度提高，而且還獲得了較高的FET特性。該研究小組在“第57屆應(yīng)用物理學(xué)相關(guān)聯(lián)合
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2009-2010年全球CMOS相機(jī)模組行業(yè)研究報(bào)告
日前，水清木華發(fā)布了2009-2010年全球CMOS相機(jī)模組行業(yè)研究報(bào)告。從報(bào)告中我們不難看出，CMOS相機(jī)模組行業(yè)仍是日本企業(yè)的天下。排名第一的FUJINON是富士膠卷旗下一員，在300萬像素以上手機(jī)鏡頭領(lǐng)域市場(chǎng)占有率超過50%
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韓國(guó)成功開發(fā)高性能熱感知傳感器
韓國(guó)研究人員日前開發(fā)成功高性能熱感知傳感器。這種傳感器可將現(xiàn)有同類傳感器的熱感知性能提高100倍，能有效防止電池因過熱而爆炸。韓國(guó)電子通信研究院研究小組去年9月通過絕緣體導(dǎo)電實(shí)驗(yàn)，首次證實(shí)科學(xué)家50多年前提
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晶圓出貨大增 致新3月營(yíng)收沖上4億元
致新科技拜3、4月晶圓出貨量大增，可望滿足部分下游筆記本電腦(NB)客戶先前供貨不及訂單，短期公司營(yíng)收可望恢復(fù)相當(dāng)?shù)某砷L(zhǎng)動(dòng)能，據(jù)了解，致新3月營(yíng)收將重回新臺(tái)幣4億元水平，較2月3.45億元成長(zhǎng)逾15%，累計(jì)公司第1季營(yíng)
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曹興誠(chéng)：和艦案更一審違法違憲
怒很大高等法院昨天審理和艦案更一審，聯(lián)電榮譽(yù)董事長(zhǎng)曹興誠(chéng)，不滿最高法院將已定讞的背信罪又發(fā)回更審，當(dāng)庭發(fā)飆走人。圖/劉宗龍 臺(tái)灣高等法院昨（23）日下午針對(duì)和艦案開庭，聯(lián)電榮譽(yù)董事長(zhǎng)曹興誠(chéng)當(dāng)庭發(fā)飆走人
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曹興誠(chéng)嗆法官 當(dāng)庭拂袖走人
高等法院昨天審理和艦案更一審，「意外」演出聯(lián)電榮譽(yù)董事長(zhǎng)曹興誠(chéng)與副董宣明智「哥倆」一起嗆法院，當(dāng)庭連袂拂袖離庭，卻巧妙留下律師，繼續(xù)為他主張權(quán)益的戲碼。曹興誠(chéng)說：「司法不能變成絞肉機(jī)，我拒絕當(dāng)作俎上
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精兵簡(jiǎn)政導(dǎo)致人心惶惶 中芯復(fù)蘇舉步維艱
剛剛經(jīng)歷過敗訴官司、高層更迭和業(yè)績(jī)下滑的中芯國(guó)際正在通過新任CEO王寧國(guó)的種種改革來擺脫目前的低迷狀況。在目前來看再次重振微風(fēng)確實(shí)有些難度。 【IT商業(yè)新聞網(wǎng)訊】（記者 王小凡）這幾天關(guān)于中芯國(guó)際裁員和募資擴(kuò)
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張忠謀：上修半導(dǎo)體年增率
臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀 臺(tái)積電（2330）董事長(zhǎng)張忠謀昨（22）日應(yīng)邀出席高盛證券舉辦投資論壇，據(jù)與會(huì)法人表示，張忠謀除了認(rèn)為外界無需擔(dān)心臺(tái)積電資本支出大幅增加，也將今年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)產(chǎn)值年增率，由1月底法說會(huì)中
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Diodes雙極型三極管采用新型PowerDI5封裝
新封裝盡顯尺寸和熱能管理優(yōu)勢(shì)，較體積更大的SOT223和DPAK (TO252) 產(chǎn)品節(jié)省更多空間 Diodes公司推出歷來首批采用其微型PowerDI5表面貼裝封裝的雙極型晶體三極管產(chǎn)品。新產(chǎn)品應(yīng)用Diodes的第五代矩陣射極工藝，率先
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英特爾和AMD公司對(duì)各自處理器陣容進(jìn)行擴(kuò)充
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，據(jù)主要芯片生產(chǎn)商透露，英特爾公司及AMD公司近期內(nèi)都已對(duì)其各自的電腦處理器產(chǎn)品陣容進(jìn)行擴(kuò)充。這些即將發(fā)行的新處理器芯片產(chǎn)品包括六芯處理器及低電壓處理器。英特爾公司即將推出的處理器芯片產(chǎn)品時(shí)
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半導(dǎo)體業(yè)界的HKMG攻防戰(zhàn)：詳解兩大工藝流派之爭(zhēng)
隨著晶體管尺寸的不斷縮小，HKMG(high-k絕緣層+金屬柵極)技術(shù)幾乎已經(jīng)成為45nm以下級(jí)別制程的必備技術(shù)。不過在制作HKMG結(jié)構(gòu)晶體管的工藝方面，業(yè)內(nèi)卻存在兩大各自固執(zhí)己見的不同陣營(yíng)，分別是以IBM為代表的Gate-first
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聯(lián)發(fā)科調(diào)整晶圓供應(yīng)商名單聯(lián)電取代臺(tái)積電居首
晶圓第二大廠商聯(lián)電趁晶圓代工先進(jìn)制程全面吃緊，本季優(yōu)先提供大客戶產(chǎn)能保障，策略奏效。業(yè)界傳出，聯(lián)電本季成為聯(lián)發(fā)科手機(jī)芯片代工最大供貨商，取代臺(tái)積電，不僅對(duì)聯(lián)電攻占大客戶有指標(biāo)意義，也有助于挹注營(yíng)收。對(duì)
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形形色色的傳感器感知傳輸鋪就物聯(lián)網(wǎng)基礎(chǔ)
編者語(yǔ)：國(guó)大電器有限公司調(diào)查發(fā)現(xiàn)把物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)鏈分為DCM三個(gè)大業(yè)務(wù)層面，同時(shí)DCM也是一個(gè)物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)的典型技術(shù)架構(gòu)，并且汽車空氣流量計(jì)和壓力傳感器占有重要的組成部分。形形色色的傳感器感知傳輸鋪就物聯(lián)網(wǎng)基礎(chǔ)感
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物聯(lián)網(wǎng)別再上演“標(biāo)準(zhǔn)”鬧劇
在一次次國(guó)家技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的遴選中，我們不斷看到利益爭(zhēng)奪和互相指責(zé)，卻看不到足夠的科學(xué)精神與公平權(quán)威。這樣的“鬧劇”絕不能在物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展道路上重演了。如果產(chǎn)學(xué)研各方口中說的是自主創(chuàng)新，心里只想著局
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硅晶圓漲勢(shì)確立 崇越年成長(zhǎng)上看3成
半導(dǎo)體產(chǎn)能吃緊，晶圓代工產(chǎn)能利用率預(yù)估將維持高檔至第3季，讓硅晶圓供貨吃緊，從2009年第4季小幅漲價(jià)試水溫后，2010年首季再漲5%，第2季漲勢(shì)確立，崇越率先喊漲1~2成，在硅晶圓漲價(jià)以及系統(tǒng)工程接單挹注下，預(yù)期20
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