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[導讀] 蕭錚浩/綜合外電 受惠市場需求旺盛,各大晶圓代工廠2011年紛紛沖刺提高資本支出,然半導體市調機構IC Insights指出,若業(yè)者持續(xù)維持高額度的資本支出,半導體市場可能會在2012年底出現(xiàn)供過于求的局面。 201



蕭錚浩/綜合外電 受惠市場需求旺盛,各大晶圓代工廠2011年紛紛沖刺提高資本支出,然半導體市調機構IC Insights指出,若業(yè)者持續(xù)維持高額度的資本支出,半導體市場可能會在2012年底出現(xiàn)供過于求的局面。

2010年、2011年晶圓代工產(chǎn)業(yè)資本支出大幅上揚,根據(jù)IC Insights估計,2010年和2011年加總的晶圓代工產(chǎn)業(yè)資本支出金額可能會高達335億美元,幾乎相等于2005~2009年5年加總的資本支出。

2011年晶圓代工主要業(yè)者持續(xù)維持高額資本支出,2011年Global Foundries提升資本支出至54億美元,較2010年大幅增加96%,臺積電提升資本支出至78億美元,較2010年增加32%,聯(lián)電亦將維持資本支出在和2010年相同的18億美元,該預算較2009年的5.51億美元成長227%。

2011年三星電子(Samsung Electronics)也將投資高達92億美元發(fā)展半導體事業(yè),報導指出,三星計劃大幅升級1座既有晶圓廠,或興建專門用于代工事業(yè)的新廠房??傆嬵A估2011年晶圓代工產(chǎn)業(yè)資本支出將成長至197億美元,較2010年高出43%,更較2009年高出146%。

晶圓代工業(yè)者競相增加資本支出,主因受惠晶圓代工市場需求強勁,整體產(chǎn)業(yè)成長可望較整體半導體市場幅度更大? CGlobal Foundries財務長Robert Krakauer日前表示,大幅擴充投資額并非臆測性的策略,而是基于客戶回饋。Krakauer進一步表示,公司不需要和競爭對手爭搶訂單,即能達成成長目標。

然受資本支出高漲影響,晶圓代工產(chǎn)業(yè)亦出現(xiàn)供過于求的風險,依照過? b導體市場市況經(jīng)驗顯示,包括DRAM及快閃記憶體市場均曾在業(yè)者大舉增加資本支出后,出現(xiàn)供過于求的情況。

IC Insights表示,2011年、甚至到2012年業(yè)者龐大的資本支出,恐導致市場供過于求的疑慮逐漸成形,并且壓低業(yè)者獲利能力。若2012年主要晶圓代工業(yè)者依然維持2011年的資本支出水平,2012年底前晶圓代工產(chǎn)業(yè)很可能步入供給過剩的階段。



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