隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)走向40奈米以下先進(jìn)制程，產(chǎn)業(yè)上下游皆競相投入先進(jìn)制程研發(fā)，包括臺積電、聯(lián)電、全球晶圓(Global Foundries)皆大手筆添購設(shè)備，更加速跨入20奈米級、10奈米級的制程研發(fā)，半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)者包括艾斯摩爾(ASML)與科磊(KLA-Tencor)等亦積極研發(fā)新設(shè)備。晶圓代工廠2010年底將開始量產(chǎn)28奈米制程，先進(jìn)制程已成為前幾大晶圓代工業(yè)者主要的競逐戰(zhàn)場。以臺積電來說，目前20奈米制程采用浸潤式微影技術(shù)以及雙重曝光(double-patterning)技術(shù)。至于在20奈米級以下，臺積電則是深紫外光(EUV)與無光罩的電子束(e-beam)技術(shù)同步并進(jìn)，日前已采用Mappers的多重電子束技術(shù)成功試產(chǎn)出20奈米DRAM芯片。
至于全球晶圓在9月的全球技術(shù)論壇中則受度發(fā)表20奈米技術(shù)藍(lán)圖，預(yù)計 22/20奈米將會于2012年下半進(jìn)行試產(chǎn)，并于2013年正式進(jìn)入量產(chǎn)。在次世代微影技術(shù)方面，相較于臺積電在深紫外光(EUV)與多重電子束兩路并進(jìn)，全球晶圓壓寶EUV陣營，預(yù)計首臺EUV機(jī)臺將于2012年下半進(jìn)廠，并于2014~2015年間量產(chǎn)。
設(shè)備業(yè)者分析，除晶圓代工外，DRAM廠歷經(jīng)過去1年的慘淡經(jīng)營后，也積極轉(zhuǎn)換至高階制程，希望能提高產(chǎn)品單價，以技術(shù)取得市場優(yōu)勢。同時，為因應(yīng)未來對40奈米以下制程需求，以及IDM擴(kuò)大委外釋單的趨勢，晶圓廠亦積極增建新廠，并且瞄準(zhǔn)高階制程應(yīng)用進(jìn)行擴(kuò)增。
設(shè)備業(yè)者指出，拿40奈米制程與90奈米相較，90奈米制程步驟約550道，40奈米則需要約1,000道工序；在光罩方面，90奈米需要31道工序，40奈米則需要50道；在新材料方面，90奈米約15種，40奈米則超過45種，顯示40奈米制程困難度大幅提升。
在此之下，其實(shí)也讓設(shè)備需求越走越窄，畢竟有能力供應(yīng)高精密度的先進(jìn)儀器廠商并不多，尤其在未來走向22奈米以下制程，需要如深紫外光(EUV)或無光罩電子束等技術(shù)之下，能供應(yīng)的廠商屈指可數(shù)，也將使未來半導(dǎo)體設(shè)備市場生態(tài)出現(xiàn)轉(zhuǎn)變。
微影設(shè)備大廠艾斯摩爾(ASML)的浸潤式微影機(jī)臺銷售暢旺，公司亦指出，最新的NXT 1950i設(shè)備已出貨近20套，全球超過50萬片晶圓，皆透過該設(shè)備進(jìn)行曝光。為推進(jìn)20奈米以下先進(jìn)制程，ASML也已接獲6套超紫外光(EUV)系統(tǒng)，將陸續(xù)出貨。
ASML指出，隨著內(nèi)存業(yè)者推進(jìn)先進(jìn)制程，二線DRAM廠開始轉(zhuǎn)換至40奈米，一線DRAM廠則準(zhǔn)備發(fā)展30奈米技術(shù)，NAND Flash廠則開始發(fā)展sub-30奈米生產(chǎn)技術(shù)。
量測設(shè)備儀器廠科磊(KLA-Tencor)指出，隨著40奈米以下先進(jìn)制程對于良率提升需求，科磊已陸續(xù)推出系列產(chǎn)品，并已跨入20奈米、10奈米級等先進(jìn)制程，如針對20奈米級節(jié)點(diǎn)以下微影覆蓋控制需求，也推出Archer 300CLM迭對(overlay)量測系統(tǒng)，預(yù)期2010年將有22樣新產(chǎn)品問世，帶動業(yè)績成長。