3D IC產(chǎn)業(yè)鏈依制程介紹
[導讀]3D IC產(chǎn)業(yè)鏈依制程可概略區(qū)分成3大技術主軸，分別是前段(Front-end)、中段(Middle-end)及后段(Backend)。前段制程涵蓋芯片前段CMOS制程、晶圓穿孔、絕緣層(Isolation)、銅或鎢電鍍(Plating)，由晶圓廠負責。為了日后
3D IC產(chǎn)業(yè)鏈依制程可概略區(qū)分成3大技術主軸，分別是前段(Front-end)、中段(Middle-end)及后段(Backend)。前段制程涵蓋芯片前段CMOS制程、晶圓穿孔、絕緣層(Isolation)、銅或鎢電鍍(Plating)，由晶圓廠負責。為了日后芯片堆棧需求，TSV芯片必須經(jīng)過晶圓研磨薄化(Wafer Thinning)、布線(RDL)、晶圓凸塊等制程，稱之為中段，可由晶圓廠或封測廠負責。后段則是封裝測試制程，包括晶圓切割、芯片堆棧、覆晶、覆晶強化(Underfill)、高分子封模(Molding)、雷射印碼等。
在芯片堆棧技術中，有晶圓-晶圓堆棧(Wafer-to-Wafer Stacking)、芯片-晶圓堆棧(Die-to-Wafer Stacking)、芯片-芯片堆棧(Die-to-Die Stacking)等3種。透過薄化TSV芯片堆棧將可充分利用厚度方向優(yōu)勢，實現(xiàn)高傳輸速度、芯片級微型化封裝，滿足可攜式電子產(chǎn)品輕、薄趨勢。(李洵穎)
在芯片堆棧技術中，有晶圓-晶圓堆棧(Wafer-to-Wafer Stacking)、芯片-晶圓堆棧(Die-to-Wafer Stacking)、芯片-芯片堆棧(Die-to-Die Stacking)等3種。透過薄化TSV芯片堆棧將可充分利用厚度方向優(yōu)勢，實現(xiàn)高傳輸速度、芯片級微型化封裝，滿足可攜式電子產(chǎn)品輕、薄趨勢。(李洵穎)
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