臺(tái)積電

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臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司，簡(jiǎn)稱(chēng)臺(tái)積電、TSMC，屬于半導(dǎo)體制造公司。成立于1987年，是全球第一家專(zhuān)業(yè)積體電路制造服務(wù)（晶圓代工foundry）企業(yè)，總部與主要工廠位于臺(tái)灣新竹科學(xué)園區(qū)。2017年，領(lǐng)域占有率56%。2018年一季度，合并營(yíng)收85億美元，同比增長(zhǎng)6%，凈利潤(rùn)30億美元，同比增長(zhǎng)2.5%，毛利率為50.3%，凈利率為36.2%，其中10納米晶圓出貨量占據(jù)了總晶圓營(yíng)收的19%，另外7納米FinFET制程技術(shù)即將量產(chǎn)。截止2018年4月19日，美股TSM，市值2174億美元，靜態(tài)市盈率19。

臺(tái)積「以韓制韓」搶三星訂單

臺(tái)積電昨（12）日宣布，新世代的CoWoS測(cè)試芯片已設(shè)計(jì)定案、步入試產(chǎn)階段；負(fù)責(zé)存儲(chǔ)器的合作伙伴海力士（Hynix）證實(shí)，臺(tái)積電與海力士進(jìn)行技術(shù)結(jié)盟。業(yè)界解讀，臺(tái)積電攜手海力士對(duì)抗三星，可望加速爭(zhēng)取到蘋(píng)果行動(dòng)處

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2012-10-13

三星海力士臺(tái)積電 OS
臺(tái)積電推20奈米及3D IC設(shè)計(jì)參考流程

臺(tái)積電日前(10/9)宣布，推出支援20奈米制程與CoWoS（Chip on Wafer on Substrate）技術(shù)的設(shè)計(jì)參考流程，展現(xiàn)了該公司在開(kāi)放創(chuàng)新平臺(tái)（Open Innovation Platform, OIP）架構(gòu)中支援20奈米與CoWoS技術(shù)的設(shè)計(jì)環(huán)境已準(zhǔn)備就

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2012-10-13

晶片 IC設(shè)計(jì) 臺(tái)積電 OS
力抗三星臺(tái)積電晶圓、封測(cè)一手抓

為抗拒三星和Intel跨足晶圓代工的競(jìng)爭(zhēng)，以及從三星手上搶下蘋(píng)果處理器（A7）的訂單，臺(tái)積電近年來(lái)跨業(yè)整合的策略明確，從入股Mapper、ASML等半導(dǎo)體設(shè)備商，轉(zhuǎn)投資創(chuàng)意電子，擴(kuò)大晶圓代工事業(yè)，到布建逾400人的封測(cè)團(tuán)

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2012-10-13

晶片晶圓三星臺(tái)積電
晶圓代工苦尋下一波亮點(diǎn)

還記得上半年時(shí)，全球最大半導(dǎo)體設(shè)備廠應(yīng)用材料董事長(zhǎng)暨執(zhí)行長(zhǎng)麥可.史賓林特(Mike Splinter)說(shuō)，受惠行動(dòng)裝置對(duì)3G/4G LTE基頻芯片、ARM應(yīng)用處理器的爆炸性需求，今年會(huì)是晶圓代工年(Year of Foundry)。相較今年

消費(fèi)電子
2012-10-12

半導(dǎo)體市場(chǎng) 晶圓代工智能型臺(tái)積電
臺(tái)積電Q3超水準(zhǔn)演出后慎防三星挾降息逆勢(shì)坐大

晶圓代工龍頭臺(tái)積電(2330-TW)(TSM-US)今年第三季業(yè)績(jī)交出了優(yōu)于財(cái)測(cè)的亮麗成績(jī)單后，接下來(lái)，將面臨一段臺(tái)積電董事長(zhǎng)暨總執(zhí)行長(zhǎng)張忠謀所預(yù)告的「小幅修正」。此外，亞洲貨幣的競(jìng)貶態(tài)勢(shì)恐將也使三星挾降息逆勢(shì)坐大，臺(tái)

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2012-10-12

晶圓代工終端三星臺(tái)積電
發(fā)布設(shè)計(jì)參考流程臺(tái)積20nm/3D IC就緒

臺(tái)積電20奈米(nm)及三維晶片(3D IC)設(shè)計(jì)參考流程出爐。臺(tái)積電日前正式宣布推出20奈米制程，以及應(yīng)用于3D IC生產(chǎn)的CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)兩項(xiàng)設(shè)計(jì)參考流程，以維持旗下半導(dǎo)體制程技術(shù)領(lǐng)先競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手半年到1

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2012-10-12

晶片聯(lián)電 IC 臺(tái)積電
臺(tái)積電Q3超水準(zhǔn)演出后慎防三星挾降息逆勢(shì)坐大

晶圓代工龍頭臺(tái)積電(2330-TW)(TSM-US)今年第三季業(yè)績(jī)交出了優(yōu)于財(cái)測(cè)的亮麗成績(jī)單后，接下來(lái)，將面臨一段臺(tái)積電董事長(zhǎng)暨總執(zhí)行長(zhǎng)張忠謀所預(yù)告的「小幅修正」。此外，亞洲貨幣的競(jìng)貶態(tài)勢(shì)恐將也使三星挾降息逆勢(shì)坐大，臺(tái)

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2012-10-11

晶圓代工終端三星臺(tái)積電
臺(tái)積電推20nm及CoWoS參考流程

臺(tái)積電9日宣布，已領(lǐng)先業(yè)界成功推出支援20nm制程與CoWoS（ChiponWaferonSubstrate）技術(shù)的設(shè)計(jì)參考流程，展現(xiàn)該公司在開(kāi)放創(chuàng)新平臺(tái)（OpenInnovationPlatform,OIP）架構(gòu)中，支援20nm與CoWoS技術(shù)的設(shè)計(jì)環(huán)境已準(zhǔn)備就緒。

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2012-10-11

晶片 CE 臺(tái)積電 OS
偉哉ASML!三晶圓巨頭捧兩千億拜其研發(fā)

這家公司就是阿斯麥（ASML），2012年8月底，三星電子終于決定投資阿斯麥，這一次，英特爾、臺(tái)積電和三星電子，總共投資阿斯麥52.3億歐元，三家公司奉上新臺(tái)幣逾兩千億元資金，“拜托”阿斯麥趕快研發(fā)出下一代的微影設(shè)

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2012-10-11

英特爾晶圓 ASML 臺(tái)積電
晶圓代工苦尋下一波亮點(diǎn)

還記得上半年時(shí)，全球最大半導(dǎo)體設(shè)備廠應(yīng)用材料董事長(zhǎng)暨執(zhí)行長(zhǎng)麥可.史賓林特（MikeSplinter）說(shuō)，受惠行動(dòng)裝置對(duì)3G/4GLTE基頻芯片、ARM應(yīng)用處理器的爆炸性需求，今年會(huì)是晶圓代工年（YearofFoundry）。相較今年全球半

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2012-10-11

半導(dǎo)體市場(chǎng) 晶圓代工智能型臺(tái)積電
臺(tái)積電推支援20奈米制程與CoWoS技術(shù)的設(shè)計(jì)參考流程

臺(tái)積電9日宣布，已領(lǐng)先業(yè)界成功推出支援20奈米制程與CoWoS(ChiponWaferonSubstrate)技術(shù)的設(shè)計(jì)參考流程，展現(xiàn)該公司在開(kāi)放創(chuàng)新平臺(tái)(OpenInnovationPlatform,OIP)架構(gòu)中，支援20奈米與CoWoS技術(shù)的設(shè)計(jì)環(huán)境已準(zhǔn)備就緒。

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2012-10-11

晶片 NI 臺(tái)積電 OS
臺(tái)積電推20奈米及CoWoS參考流程

臺(tái)積電(2330)9日宣布，已領(lǐng)先業(yè)界成功推出支援20奈米制程與CoWoS（ChiponWaferonSubstrate）技術(shù)的設(shè)計(jì)參考流程，展現(xiàn)該公司在開(kāi)放創(chuàng)新平臺(tái)（OpenInnovationPlatform,OIP）架構(gòu)中，支援20奈米與CoWoS技術(shù)的設(shè)計(jì)環(huán)境已

消費(fèi)電子
2012-10-11

晶片 NI 臺(tái)積電 OS
臺(tái)積電推20nm及CoWoS參考流程

臺(tái)積電9日宣布，已領(lǐng)先業(yè)界成功推出支援20nm制程與CoWoS（ChiponWaferonSubstrate）技術(shù)的設(shè)計(jì)參考流程，展現(xiàn)該公司在開(kāi)放創(chuàng)新平臺(tái)（OpenInnovationPlatform,OIP）架構(gòu)中，支援20nm與CoWoS技術(shù)的設(shè)計(jì)環(huán)境已準(zhǔn)備就緒。

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2012-10-11

晶片 NI 臺(tái)積電 OS
功耗更低臺(tái)積電推出20nm工藝參考流程

作為全球?qū)I(yè)集成電路制造商的臺(tái)積電，它的每一步行動(dòng)都影響著整個(gè)移動(dòng)芯片。目前，已經(jīng)應(yīng)用的最低制程工藝移動(dòng)芯片為28nm。最近臺(tái)積電宣布正式推出支持20nm制程工藝以及CoWoS技術(shù)的芯片設(shè)計(jì)參考流程。臺(tái)積

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2012-10-11

NVIDIA AMD 移動(dòng)芯片臺(tái)積電
瑞信：臺(tái)積電資本支出提升后有高折舊風(fēng)險(xiǎn)降評(píng)至中立

外資持續(xù)聚焦臺(tái)積電(2330-TW)后市，繼美林證券認(rèn)為臺(tái)積電股價(jià)已反映明年產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇和市占利多，調(diào)降評(píng)等至劣于大盤(pán)表現(xiàn)后。瑞信證券表示，臺(tái)積電將面臨資本支出提升后的高折舊風(fēng)險(xiǎn)，預(yù)估至2014年為止資本支出將持續(xù)占營(yíng)

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2012-10-10

蘋(píng)果英特爾三星臺(tái)積電
臺(tái)積電推20奈米及CoWoS參考流程

臺(tái)積電(2330)今(9)日宣布，已領(lǐng)先業(yè)界成功推出支援20奈米制程與CoWoS（ChiponWaferonSubstrate）技術(shù)的設(shè)計(jì)參考流程，展現(xiàn)該公司在開(kāi)放創(chuàng)新平臺(tái)（OpenInnovationPlatform,OIP）架構(gòu)中，支援20奈米與CoWoS技術(shù)的設(shè)計(jì)環(huán)

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2012-10-10

晶片 CE 臺(tái)積電 OS
聯(lián)電Q3營(yíng)收季增3.28% 世界先進(jìn)季增3.4%

聯(lián)電(2303-TW)(UMC-US)、世界先進(jìn)(5347-TW)今(9日)公布9月?tīng)I(yíng)收，聯(lián)電9月?tīng)I(yíng)收91.13億元，世界先進(jìn)9月?tīng)I(yíng)收14.62億元；二者分別季增3.28%、3.4%。聯(lián)電9月?tīng)I(yíng)收力守90億元大關(guān)，月減7%來(lái)到91.13億元，年增11.45%。聯(lián)電第3

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2012-10-10

晶片聯(lián)電臺(tái)積電
緊咬臺(tái)積電不放格羅方德后年量產(chǎn)14nm

格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)將于2014年量產(chǎn)14nm方案。為與臺(tái)積電爭(zhēng)搶下一波行動(dòng)裝置晶片制造商機(jī)，GLOBALFOUNDRIES將率先導(dǎo)入三維鰭式電晶體(3DFinFET)架構(gòu)于14nm制程產(chǎn)品中，預(yù)計(jì)明年客戶即可開(kāi)始投片，后年則可望大

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2012-10-10

格羅方德 FINFET GLOBALFOUNDRIES 臺(tái)積電
晶圓代工廠競(jìng)爭(zhēng)白熱化技術(shù)角逐戰(zhàn)再度展開(kāi)

在晶圓代工領(lǐng)域中，技術(shù)領(lǐng)先者和落后者之間的鴻溝正不斷加大。據(jù)ICInsights表示，目前的純晶圓代工業(yè)務(wù)已分為兩大陣營(yíng)：一邊由四家公司提供最先進(jìn)的制程技術(shù);而另一邊則由規(guī)模較小的多家廠商構(gòu)成。ICInsights指出，臺(tái)

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2012-10-10

晶圓代工 IC INSIGHT 臺(tái)積電
晶圓代工廠再展開(kāi)技術(shù)角逐戰(zhàn)

在晶圓代工領(lǐng)域中，技術(shù)領(lǐng)先者和落后者之間的鴻溝正不斷加大。據(jù)ICInsights表示，目前的純晶圓代工業(yè)務(wù)已分為兩大陣營(yíng)：一邊由四家公司提供最先進(jìn)的制程技術(shù)；而另一邊則由規(guī)模較小的多家廠商構(gòu)成。ICInsights指出，

消費(fèi)電子
2012-10-10

晶圓代工 IC GLOBALFOUNDRIES 臺(tái)積電

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臺(tái)積電

臺(tái)積「以韓制韓」搶三星訂單

臺(tái)積電推20奈米及3D IC設(shè)計(jì)參考流程

力抗三星臺(tái)積電晶圓、封測(cè)一手抓

晶圓代工苦尋下一波亮點(diǎn)

臺(tái)積電Q3超水準(zhǔn)演出后慎防三星挾降息逆勢(shì)坐大

發(fā)布設(shè)計(jì)參考流程臺(tái)積20nm/3D IC就緒

臺(tái)積電Q3超水準(zhǔn)演出后慎防三星挾降息逆勢(shì)坐大

臺(tái)積電推20nm及CoWoS參考流程

偉哉ASML!三晶圓巨頭捧兩千億拜其研發(fā)

晶圓代工苦尋下一波亮點(diǎn)

臺(tái)積電推支援20奈米制程與CoWoS技術(shù)的設(shè)計(jì)參考流程

臺(tái)積電推20奈米及CoWoS參考流程

臺(tái)積電推20nm及CoWoS參考流程

功耗更低臺(tái)積電推出20nm工藝參考流程

瑞信：臺(tái)積電資本支出提升后有高折舊風(fēng)險(xiǎn)降評(píng)至中立

臺(tái)積電推20奈米及CoWoS參考流程

聯(lián)電Q3營(yíng)收季增3.28% 世界先進(jìn)季增3.4%

緊咬臺(tái)積電不放格羅方德后年量產(chǎn)14nm

晶圓代工廠競(jìng)爭(zhēng)白熱化技術(shù)角逐戰(zhàn)再度展開(kāi)

晶圓代工廠再展開(kāi)技術(shù)角逐戰(zhàn)

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