上周臺積電發(fā)布了2018年報,全年營收342億美元,占到了全球晶圓代工市場份額的56%,可謂一家獨大。在先進(jìn)工藝上,臺積電去年量產(chǎn)7nm工藝,進(jìn)度領(lǐng)先友商一年以上,今年量產(chǎn)7nm EUV工藝,明年還有5nm EUV工藝,3nm工藝工廠也在建設(shè)中了
4月22日,臺積電完成全球首顆3D IC 封裝,預(yù)計將于2021 年量產(chǎn)。業(yè)界認(rèn)為,此技術(shù)主要是為了應(yīng)用在5nm以下先進(jìn)制程,并為定制化異質(zhì)芯片鋪路,當(dāng)然也更加鞏固了蘋果訂單。
臺積電總裁魏哲家在昨(18)日的財報會議中指出,預(yù)計5nm制程一開始起步將會比7nm慢一些些,但由于極紫外光(EUV)技術(shù)成熟度會加快,讓很多芯片能更有效率,因此看好5nm整體放量速度將會比7nm要快,并成為臺積電下一波成長主力。
據(jù)臺灣地區(qū)《經(jīng)濟(jì)日報》報道,17日臺積電2018年年報出爐,臺積電董事長劉德音和總裁魏哲家首度聯(lián)名,在致股東報告書中表示,臺積電先進(jìn)制程7納米領(lǐng)先對手至少一年,并強調(diào)5G和人工智能(AI)將驅(qū)動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)持續(xù)成長。
4月18日,13時01分在臺灣花蓮縣附近發(fā)生6.1級左右地震。臺積電發(fā)言人Elizabeth Sun稱目前為止地震還沒有造成影響。
隨著臺積電成功開發(fā)6納米制程,臺積電與三星電子將更激烈爭奪半導(dǎo)體代工第一的位置,但韓媒分析指出,若兩公司持續(xù)以數(shù)字為中心打宣傳戰(zhàn)的話,未來只會越來越艱辛。
而6nm EUV工藝主要為2020年的A14等芯片做好準(zhǔn)備。同時,臺積電也5nm制程已經(jīng)完成研發(fā),據(jù)悉,6nm和5nm都有可能應(yīng)用于蘋果2020年iPhone的A14系列芯片中,主要看哪一個方案更優(yōu)。
據(jù)臺灣地區(qū)《經(jīng)濟(jì)日報》報道,昨日臺積電2018年年報出爐,臺積電董事長劉德音和總裁魏哲家首度聯(lián)名,在致股東報告書中表示,臺積電先進(jìn)制程7納米領(lǐng)先對手至少一年,并強調(diào)5G和人工智能(AI)將驅(qū)動報道體產(chǎn)業(yè)持續(xù)成長。
臺積電18日召開財報會,公布第1季營收2187.4億元(新臺幣,下同),較去年同期減少11.8%。稅后純益613.94億元、每股盈余2.37元,均較去年同期減少31.6%。
鴻海董事長郭臺銘日前宣布,今年的董監(jiān)事改選,名單將著重于強化董事經(jīng)營,還要把他個人色彩降到最低。只不過,對于外界來說,郭臺銘三個字早就跟鴻海畫上等號,就算有再強的董事,光是能不能淡化郭臺銘的光環(huán),恐怕就沒有那么容易了。
IP開發(fā)商円星科技(M31)宣布,將在臺積電28納米嵌入式閃存存儲器制程技術(shù)(TSMC 28nm Embedded Flash Process) 開發(fā)SRAM Compiler IP,此系列IP預(yù)計于今年第3季提供客戶設(shè)計整合使用。
全球晶圓代工大廠臺積電16日宣布,將推出6納米制程技術(shù),預(yù)計在2020年一季度進(jìn)行試產(chǎn),可支持高階到中階產(chǎn)品,以及AI、5G基礎(chǔ)架構(gòu)等應(yīng)用。
據(jù)經(jīng)濟(jì)日報報道,晶圓代工廠臺積電創(chuàng)辦人張忠謀退休金曝光,據(jù)臺積電年報資料顯示,實際支付張忠謀退休金7617萬1995元新臺幣(下同)(約合1654萬人民幣)。
半導(dǎo)體制程工藝對各類芯片來說意義非凡,在一般情況下更先進(jìn)、密度更高的制程工藝可以讓芯片獲得更好的能耗比,同時發(fā)熱量等一些物理特性也會得到改善。
臺積電提交公告表示,6納米技術(shù)提供客戶更多具成本效益的優(yōu)勢,并且延續(xù)7納米技術(shù)在功耗及效能上的領(lǐng)先地位。臺積電的6納米技術(shù)的邏輯密度比7納米技術(shù)增加18%。
IC設(shè)計服務(wù)廠創(chuàng)意電子持續(xù)積極沖刺先進(jìn)制程技術(shù),今年3月完成5納米測試芯片設(shè)計定案,預(yù)計投入新臺幣10億元開發(fā)5納米制程設(shè)計流程,將于第4季完成驗證。
今天,臺積電提交公告表示,6納米技術(shù)提供客戶更多具成本效益的優(yōu)勢,并且延續(xù)7納米技術(shù)在功耗及效能上的領(lǐng)先地位。臺積電的6納米技術(shù)的邏輯密度比7納米技術(shù)增加18%。
4月16日,三星電子宣布其基于EUV的5 nm FinFET工藝技術(shù)已完成開發(fā),現(xiàn)已可以為客戶提供樣品。
要說中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈最完整地區(qū),非臺灣莫屬。不論是上游的IC設(shè)計、中游的晶圓生產(chǎn),還是下游的封裝和測試,臺積電、聯(lián)發(fā)科、聯(lián)華電子、日月光……哪一個拎出來,都是全球半導(dǎo)體行業(yè)響當(dāng)當(dāng)?shù)墓尽?
當(dāng)前用于蘋果A12、驍龍855、麒麟980的7nm工藝是臺積電的第一代,而技術(shù)更先進(jìn)、集成EUV光刻技術(shù)的第二代7nm也終于塵埃落定。最新報道稱,臺積電將在今年第二季度末開始7nm EUV量產(chǎn),其中麒麟985先行。