晶圓

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晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達(dá)99.999999999%。

晶圓雙雄2012投資大縮手

由于2012年全球景氣未有好轉(zhuǎn)跡象，晶圓雙雄資本支出減幅將成法說會(huì)關(guān)注焦點(diǎn)。臺(tái)積電趕在臺(tái)股封關(guān)日的元月18日舉行法說，市場預(yù)期臺(tái)積電2012年資本支出至少將下修1成以上，聯(lián)電預(yù)定農(nóng)歷年后才舉行法說，法人則估聯(lián)電資

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2012-01-06

晶圓聯(lián)電臺(tái)積電半導(dǎo)體
臺(tái)美韓18寸晶圓全表態(tài)，昔日霸主日本何時(shí)參與？

去年9月臺(tái)、美、韓全球3大半導(dǎo)體陣營霸主共同宣布18寸晶圓Global450Consortium計(jì)劃(G450C)，參與者包括臺(tái)積電、英特爾(Intel)、三星電子(SamsungElectronics)、IBM和GlobalFoundries等5家業(yè)者，但名單中獨(dú)缺1980年代

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2012-01-04

英特爾半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 東芝晶圓
晶圓雙雄2012投資大縮手，臺(tái)積電資本支出估逾1成，聯(lián)電減2成

由于2012年全球景氣未有好轉(zhuǎn)跡象，晶圓雙雄資本支出減幅將成法說會(huì)關(guān)注焦點(diǎn)。臺(tái)積電趕在臺(tái)股封關(guān)日的元月18日舉行法說，市場預(yù)期臺(tái)積電2012年資本支出至少將下修1成以上，聯(lián)電預(yù)定農(nóng)歷年后才舉行法說，法人則估聯(lián)電資

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2012-01-04

晶圓聯(lián)電臺(tái)積電半導(dǎo)體
臺(tái)美韓18吋晶圓全表態(tài)，昔日霸主日本何時(shí)參與？

去年9月臺(tái)、美、韓全球3大半導(dǎo)體陣營霸主共同宣布18吋晶圓Global450Consortium計(jì)劃(G450C)，參與者包括臺(tái)積電、英特爾(Intel)、三星電子(SamsungElectronics)、IBM和GlobalFoundries等5家業(yè)者，但名單中獨(dú)缺1980年代

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2012-01-04

英特爾半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 東芝晶圓
臺(tái)美韓18吋晶圓全表態(tài) 昔日霸主日本何時(shí)參與？

去年9月臺(tái)、美、韓全球3大半導(dǎo)體陣營霸主共同宣布18吋晶圓Global 450 Consortium計(jì)劃(G450C)，參與者包括臺(tái)積電、英特爾(Intel)、三星電子(Samsung Electronics)、IBM和Global Foundries等5家業(yè)者，但名單中獨(dú)缺1980

消費(fèi)電子
2012-01-04

英特爾半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 東芝晶圓
臺(tái)美韓18寸晶圓全表態(tài)，昔日霸主日本何時(shí)參與？

去年9月臺(tái)、美、韓全球3大半導(dǎo)體陣營霸主共同宣布18寸晶圓Global 450 Consortium計(jì)劃(G450C)，參與者包括臺(tái)積電、英特爾(Intel)、三星電子(Samsung Electronics)、IBM和Global Foundries等5家業(yè)者，但名單中獨(dú)缺1980

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2012-01-04

英特爾半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 東芝晶圓
晶圓雙雄2012投資大縮手，臺(tái)積電資本支出估逾1成

由于2012年全球景氣未有好轉(zhuǎn)跡象，晶圓雙雄資本支出減幅將成法說會(huì)關(guān)注焦點(diǎn)。臺(tái)積電趕在臺(tái)股封關(guān)日的元月18日舉行法說，市場預(yù)期臺(tái)積電2012年資本支出至少將下修1成以上，聯(lián)電預(yù)定農(nóng)歷年后才舉行法說，法人則估聯(lián)電資

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2012-01-04

晶圓聯(lián)電臺(tái)積電半導(dǎo)體
臺(tái)美韓18吋晶圓全表態(tài) 昔日霸主日本何時(shí)參與？

去年9月臺(tái)、美、韓全球3大半導(dǎo)體陣營霸主共同宣布18吋晶圓Global 450 Consortium計(jì)劃(G450C)，參與者包括臺(tái)積電、英特爾(Intel)、三星電子(Samsung Electronics)、IBM和Global Foundries等5家業(yè)者，但名單中獨(dú)缺1980

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2012-01-03

英特爾半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 東芝晶圓
晶圓雙雄 2012投資大縮手

景氣不明【蕭文康╱臺(tái)北報(bào)導(dǎo)】由于2012年全球景氣未有好轉(zhuǎn)跡象，晶圓雙雄資本支出減幅將成法說會(huì)關(guān)注焦點(diǎn)。臺(tái)積電（2330）趕在臺(tái)股封關(guān)日的元月18日舉行法說，市場預(yù)期臺(tái)積電2012年資本支出至少將下修1成以上，聯(lián)電

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2012-01-03

晶圓聯(lián)電臺(tái)積電半導(dǎo)體
美實(shí)驗(yàn)室開發(fā)砷化鎵新蝕刻法速度/成本獲優(yōu)化

美國伊利諾大學(xué)(University of Illinois)實(shí)驗(yàn)室開發(fā)出一種以金屬為蝕刻催化劑的砷化鎵晶圓蝕刻法，這種蝕刻方法，其制造速度較傳統(tǒng)的濕式蝕刻制程來得快、而成本又較干式蝕刻來得低，一旦該制程獲得推廣，可望有效推

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2012-01-03

金屬砷化鎵 CE 晶圓
臺(tái)美韓18寸晶圓計(jì)劃

全球表態(tài)要加入18寸晶圓(450mm)世代的半導(dǎo)體業(yè)者，主要是臺(tái)、美、韓為主，如2011年9月由臺(tái)積電、英特爾(Intel)、三星電子(Samsung Electronics)、IBM和Global Foundries等5家大廠成立的Global 450 Consortium計(jì)劃(G4

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2012-01-03

GLOBAL 晶圓臺(tái)積電
力成強(qiáng)攻3D IC 沖營運(yùn)

力成（6239）在擁抱蘋果雙i訂單之后，布局多年的先進(jìn)封裝技術(shù)，也將進(jìn)入量產(chǎn)收成階段。力成透露，旗下扎根晶圓重布線（RDL）已正式交出第一批貨；以矽鉆孔（TSV）為基礎(chǔ)的3D IC，也獲四家客戶合作，可望在2013年量產(chǎn)

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2012-01-03

布線封裝技術(shù) IC 晶圓
臺(tái)積電6/8寸晶圓廠獲環(huán)保署節(jié)能減碳行動(dòng)標(biāo)章

臺(tái)積電(TSMC)宣布其 6寸及 8寸廠區(qū)(晶圓二廠、晶圓三廠、晶圓五廠、晶圓六廠、晶圓八廠)同時(shí)獲得2011年度行政院環(huán)保署「節(jié)能減碳行動(dòng)標(biāo)章」，其中晶圓二、五廠更獲得特優(yōu)獎(jiǎng)的肯定，彰顯該公司施行環(huán)保政策、推動(dòng)綠色

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2012-01-03

供應(yīng)鏈晶圓廠晶圓臺(tái)積電
半導(dǎo)體工藝微細(xì)化遇阻

半導(dǎo)體工藝技術(shù)在不斷進(jìn)步。先行廠商已開始量產(chǎn)22/20nm工藝產(chǎn)品，而且還在開發(fā)旨在2~3年后量產(chǎn)的15nm技術(shù)。不過，雖然技術(shù)在不斷進(jìn)步，但很多工藝技術(shù)人員都擁有閉塞感。因?yàn)楣に嚰夹g(shù)革新的關(guān)鍵--微細(xì)化讓人擔(dān)心。決

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2011-12-31

晶體管半導(dǎo)體工藝 EUV 晶圓
華宏、宏力合體瞄準(zhǔn)中芯

長實(shí)（00001-HK）及和黃（00013-HK）持股的宏力半導(dǎo)體，前天與華宏半導(dǎo)體聯(lián)合宣布雙方已完成合并，經(jīng)合并后兩家公司預(yù)計(jì)今年收入約6億元（美金，下同），且月產(chǎn)能達(dá)到13萬片約當(dāng)8寸晶圓，由于華宏與宏力是大陸本土半

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2011-12-31

中芯國際中芯晶圓半導(dǎo)體
IC封測南茂集團(tuán)明年?duì)I收成長15% 資本支出約25億元

IC封測南茂(8150-TW)今(30)日表示，雖然經(jīng)濟(jì)景氣渾沌，不過南茂財(cái)務(wù)剛脫離紓困期，基本面體質(zhì)逐漸改善，除了驅(qū)動(dòng)IC的比重攀升帶動(dòng)營運(yùn)走揚(yáng)，先前也取得AKM測試合約，對明年?duì)I運(yùn)形成支撐，預(yù)期集團(tuán)營運(yùn)表現(xiàn)將優(yōu)于今年

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2011-12-31

封裝 IC 驅(qū)動(dòng)IC 晶圓
半導(dǎo)體工藝微細(xì)化遇阻

半導(dǎo)體工藝技術(shù)在不斷進(jìn)步。先行廠商已開始量產(chǎn)22/20nm工藝產(chǎn)品，而且還在開發(fā)旨在2～3年后量產(chǎn)的15nm技術(shù)。不過，雖然技術(shù)在不斷進(jìn)步，但很多工藝技術(shù)人員都擁有閉塞感。因?yàn)楣に嚰夹g(shù)革新的關(guān)鍵——微細(xì)化

半導(dǎo)體
2011-12-30

晶體管半導(dǎo)體工藝 EUV 晶圓
半導(dǎo)體工藝微細(xì)化遇阻

半導(dǎo)體工藝技術(shù)在不斷進(jìn)步。先行廠商已開始量產(chǎn)22/20nm工藝產(chǎn)品，而且還在開發(fā)旨在2～3年后量產(chǎn)的15nm技術(shù)。不過，雖然技術(shù)在不斷進(jìn)步，但很多工藝技術(shù)人員都擁有閉塞感。因?yàn)楣に嚰夹g(shù)革新的關(guān)鍵——微細(xì)化

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2011-12-30

晶體管半導(dǎo)體工藝 EUV 晶圓
半導(dǎo)體工藝微細(xì)化遇阻

半導(dǎo)體工藝技術(shù)在不斷進(jìn)步。先行廠商已開始量產(chǎn)22/20nm工藝產(chǎn)品，而且還在開發(fā)旨在2～3年后量產(chǎn)的15nm技術(shù)。不過，雖然技術(shù)在不斷進(jìn)步，但很多工藝技術(shù)人員都擁有閉塞感。因?yàn)楣に嚰夹g(shù)革新的關(guān)鍵——微細(xì)化讓人擔(dān)心。

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2011-12-30

晶體管半導(dǎo)體工藝 EUV 晶圓
臺(tái)積電：最快2015年量產(chǎn)14nm、450毫米大晶圓

臺(tái)積電近日宣稱，將會(huì)繼續(xù)按照原定計(jì)劃推進(jìn)450毫米(18英寸)晶圓的發(fā)展，預(yù)計(jì)2013-14年開始試驗(yàn)性生產(chǎn)，2015-16年投入批量生產(chǎn)。臺(tái)積電計(jì)劃在2014年完成大約95％的450毫米晶圓生產(chǎn)設(shè)備的安裝，2015年開始小批量投產(chǎn)。

消費(fèi)電子
2011-12-28

芯片電表晶圓臺(tái)積電

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晶圓

晶圓雙雄2012投資大縮手

臺(tái)美韓18寸晶圓全表態(tài)，昔日霸主日本何時(shí)參與？

晶圓雙雄2012投資大縮手，臺(tái)積電資本支出估逾1成，聯(lián)電減2成

臺(tái)美韓18吋晶圓全表態(tài)，昔日霸主日本何時(shí)參與？

臺(tái)美韓18吋晶圓全表態(tài) 昔日霸主日本何時(shí)參與？

臺(tái)美韓18寸晶圓全表態(tài)，昔日霸主日本何時(shí)參與？

晶圓雙雄2012投資大縮手，臺(tái)積電資本支出估逾1成

臺(tái)美韓18吋晶圓全表態(tài) 昔日霸主日本何時(shí)參與？

晶圓雙雄 2012投資大縮手

美實(shí)驗(yàn)室開發(fā)砷化鎵新蝕刻法速度/成本獲優(yōu)化

臺(tái)美韓18寸晶圓計(jì)劃

力成強(qiáng)攻3D IC 沖營運(yùn)

臺(tái)積電6/8寸晶圓廠獲環(huán)保署節(jié)能減碳行動(dòng)標(biāo)章

半導(dǎo)體工藝微細(xì)化遇阻

華宏、宏力合體瞄準(zhǔn)中芯

IC封測南茂集團(tuán)明年?duì)I收成長15% 資本支出約25億元

半導(dǎo)體工藝微細(xì)化遇阻

半導(dǎo)體工藝微細(xì)化遇阻

半導(dǎo)體工藝微細(xì)化遇阻

臺(tái)積電：最快2015年量產(chǎn)14nm、450毫米大晶圓

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