DRAM

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海力士2Q營收26億美元

韓半導(dǎo)體大廠海力士(Hynix)21日上午發(fā)布2011年第2季財報。海力士第2季營收2.76兆韓元(約26.15億美元)，營業(yè)利益4,470億韓元(約4.24億美元)，與2010年同期相比營收減少16%、營業(yè)利益減少56%，然與2011年第1季相比，雖

電子設(shè)計自動化
2011-07-24

海力士 DRAM NANDFLASH TOSHIBA
DDR3仍將是主流DRAM技術(shù)

據(jù)IHS iSuppli公司的研究，DDR3的市場份額穩(wěn)定在85-90%，2011年以及至少未來三年仍將是DRAM市場的主流技術(shù)，隨后才會逐漸讓位給速度更快的下一代技術(shù)。2011年DRAM模組出貨量將達(dá)8.08億個左右，預(yù)計DDR3將占89%，高于

智能硬件
2011-07-22

內(nèi)存 PC DDR3 DRAM
需求疲軟而產(chǎn)量不減 DRAM市場Q3持續(xù)供過于求

第2季DRAM報價下跌幅度相當(dāng)大，主要是日本311地震后，下游客戶擔(dān)心斷鏈危機擴大，因此提前拉貨，但最后發(fā)現(xiàn)PC終端需求低于預(yù)期，導(dǎo)致整個第2季記憶體市場都處于消化庫存情況，且一直到第3季庫存水位仍是偏高，因此DR

消費電子
2011-07-21

PID SAMSUNG ELECTRONICS DRAM
臺塑將導(dǎo)入20納米DRAM制程

臺塑表示不會放棄DRAM產(chǎn)業(yè)，將跨入20納米微縮制程提高產(chǎn)品競爭力。臺塑主管指出，目前50納米的制程已經(jīng)沒有競爭力;南科與華亞科除由40納米跨入30納米的制程之外，更進(jìn)入一項空前的微縮制程，制程一舉由30納米跨入20納

電子設(shè)計自動化
2011-07-21

平板計算機 IPAD DRAM
未來幾年P(guān)C中的DRAM含量增長速度將會放慢

據(jù)IHS iSuppli公司的內(nèi)存與存儲報告，個人電腦(PC)中的DRAM含量增長速度將出現(xiàn)歷史性的下降，2012年以后每臺新PC中的DRAM含量的平均年度增長速度將不會超過35%，低于最近25年48%的平均水平。繼2009和2010年分別增長3

智能硬件
2011-07-20

內(nèi)存硬件 PC DRAM
第3季度DRAM展望

第2季DRAM報價下跌幅度相當(dāng)大，主要是日本311地震后，下游客戶擔(dān)心斷鏈危機擴大，因此提前拉貨，但最后發(fā)現(xiàn)PC終端需求低于預(yù)期，導(dǎo)致整個第2季記憶體市場都處于消化庫存情況，且一直到第3季庫存水位仍是偏高，因此DR

模擬
2011-07-20

PID SAMSUNG ELECTRONICS DRAM
瑞薩談DRAM封裝的耐濕性故障：“30多年來首次公開提及”

筆者感覺最具有沖擊力的是瑞薩的演講。演講者是田中政樹（品質(zhì)保證統(tǒng)括部MCU品質(zhì)保證第一部高級專家）（圖1）。田中介紹了30～40年前在日立制作所發(fā)生的、與DRAM封裝的耐濕性相關(guān)聯(lián)的故障。該故障是首次在日立以外的

模擬
2011-07-20

芯片日立封裝 DRAM
記憶體產(chǎn)業(yè)變化劇烈，封測供應(yīng)鏈跟著起漣漪

2008-2009年金融海嘯期間，全球記憶體產(chǎn)業(yè)風(fēng)云變色，DRAM廠奇夢達(dá)宣布破產(chǎn)倒閉，NOR Flash快閃記憶體廠Spansion飛索也申請重整與破產(chǎn)保護(hù)，到了2011年，DRAM廠商持續(xù)陷入苦戰(zhàn)，也讓后段封測供應(yīng)鏈跟著起了變化，其中

模擬
2011-07-18

供應(yīng)鏈封裝 LCD驅(qū)動 DRAM
合約價跌跌不休 DRAM廠恐啟動減產(chǎn)機制

目前各DRAM廠雖無積極擴產(chǎn)，不過在加速制程轉(zhuǎn)換下，使得產(chǎn)出量大為提升，而隨著2Gb價格來到現(xiàn)金成本，大部分DRAM廠財務(wù)狀況與現(xiàn)金水位都尚未回復(fù)至金融風(fēng)暴前的水平，以及下半年P(guān)C內(nèi)存搭載未顯著提升、加上全球經(jīng)濟衰

模擬
2011-07-15

內(nèi)存 GB DDR3 DRAM
美林：SCM循環(huán)負(fù)面看待，最不青睞封測雙雄

美銀美林證券全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)研究部主管何浩銘(Daniel Heyler)昨天出具半導(dǎo)體研究報告指出，維持對半導(dǎo)體合約制造商（SCM，包括晶圓代工廠、封裝測試廠）循環(huán)持負(fù)面立場，在存貨建置及需求皆走軟下，除頎邦評等為中立

模擬
2011-07-15

臺積電晶圓廠 IC設(shè)計 DRAM
DRAM報價直落爾必達(dá)逆勢大舉募資

DRAM產(chǎn)業(yè)產(chǎn)品價格一再破底，但DRAM廠募資腳步卻從未停歇，像茂德計劃募資是為尋找活下去的救命錢，爾必達(dá)(Elpida)日前也宣布要發(fā)行500 億日圓(約新臺幣179億元)新股和近300億日圓的可轉(zhuǎn)債，決定大舉投入30納米和25納

消費電子
2011-07-13

存儲器爾必達(dá) DDR3 DRAM
DRAM產(chǎn)業(yè)技術(shù)轉(zhuǎn)型期成本下降趨勢放緩

據(jù)IHSiSuppli公司的研究，隨著DRAM市場過渡到效率更高的低納米技術(shù)，該產(chǎn)業(yè)的成本削減及節(jié)省步伐從2012年開始將放緩。雖然最近幾個季度DRAM產(chǎn)業(yè)在推低光刻節(jié)點方面比較積極，但在今年剩余時間內(nèi)力度將逐漸減弱。今年

模擬
2011-07-12

40納米節(jié)點 ISUPPLI DRAM
DRAM產(chǎn)業(yè)技術(shù)轉(zhuǎn)型期成本保持平緩

隨著DRAM市場過渡到效率更高的低納米技術(shù)，該產(chǎn)業(yè)的成本削減及節(jié)省步伐從2012年開始將放緩。雖然最近幾個季度DRAM產(chǎn)業(yè)在推低光刻節(jié)點方面比較積極，但在今年剩余時間內(nèi)力度將逐漸減弱。今年第一季度該產(chǎn)業(yè)的加權(quán)平均

消費電子
2011-07-12

40納米節(jié)點 ISUPPLI DRAM
爾必達(dá)擬發(fā)行新股和可轉(zhuǎn)換債券融資800億日元

（萬學(xué)）北京時間7月11日消息，據(jù)國外媒體報道，三名知情人士透露，全球第三大DRAM存儲器制造商爾必達(dá)（Elpida）計劃通過發(fā)行新股和可轉(zhuǎn)換債券融資800億日元（折合9.92億美元）。據(jù)知情人士透露，該公司董事會

消費電子
2011-07-12

存儲器爾必達(dá) 內(nèi)存芯片 DRAM
封測3雄力成6月最亮

封測三雄日月光(2311)、矽品(2325)、力成(6239)，6月合并營收增減互見，但以整體第二季營收來看，季營收仍比第一季成長，受到客戶延遲下單沖擊不大，相較其他半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)表現(xiàn)為佳，以力成6月合并營收續(xù)創(chuàng)歷史新高最為

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2011-07-12

平板電腦 Flash DRAM
DRAM錢坑　臺塑集團進(jìn)退兩難

聯(lián)電榮譽副董事長宣明智暗指臺塑集團可以出面集成臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)，南亞科表示，無法評論此事；存儲器業(yè)界則認(rèn)為，臺塑集團雖然資金實力雄厚，但DRAM產(chǎn)業(yè)走到現(xiàn)在已不是資金問題，沒有技術(shù)和專利也是關(guān)鍵，現(xiàn)在就算再投

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2011-07-11

集成美光 PC DRAM
DRAM錢坑臺塑集團進(jìn)退兩難

聯(lián)電榮譽副董事長宣明智暗指臺塑集團可以出面集成臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)，南亞科表示，無法評論此事;存儲器業(yè)界則認(rèn)為，臺塑集團雖然資金實力雄厚，但DRAM 產(chǎn)業(yè)走到現(xiàn)在已不是資金問題，沒有技術(shù)和專利也是關(guān)鍵，現(xiàn)在就算再投

電子設(shè)計自動化
2011-07-11

集成美光 PC DRAM
三星挖角梁孟松　搶救晶圓代工

三星電子(Samsung Electronics)想要進(jìn)軍全球晶圓代工市場的意思，累積起來也有近10年歷史，從最早期口號比動作多，到近年來廣告比動作多的情形來看，三星在全球晶圓代工市場的努力，比起家大業(yè)大的DRAM與Flash產(chǎn)品線

電子設(shè)計自動化
2011-07-08

三星晶圓代工臺積電 DRAM
存儲器3Q景氣 NAND Flash略優(yōu)于DRAM

存儲器產(chǎn)業(yè)度過辛苦的第2季后，第3季景氣恐沒有這么快復(fù)蘇，業(yè)界預(yù)期NANDFlash產(chǎn)業(yè)景氣在第3季中之后，會隨著消費性電子產(chǎn)品需求出籠而開始翻揚，但業(yè)界對于DRAM市場看法則是分歧，7月合約價續(xù)跌已成定局，部分業(yè)者認(rèn)

智能硬件
2011-07-08

存儲器 Flash NAND DRAM
存儲器3Q景氣　NAND Flash略優(yōu)于DRAM

存儲器產(chǎn)業(yè)度過辛苦的第2季后，第3季景氣恐沒有這么快復(fù)蘇，業(yè)界預(yù)期NANDFlash產(chǎn)業(yè)景氣在第3季中之后，會隨著消費性電子產(chǎn)品需求出籠而開始翻揚，但業(yè)界對于DRAM市場看法則是分歧，7月合約價續(xù)跌已成定局，部分業(yè)者認(rèn)

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2011-07-07

存儲器 Flash NAND DRAM

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DRAM

海力士2Q營收26億美元

DDR3仍將是主流DRAM技術(shù)

需求疲軟而產(chǎn)量不減 DRAM市場Q3持續(xù)供過于求

臺塑將導(dǎo)入20納米DRAM制程

未來幾年P(guān)C中的DRAM含量增長速度將會放慢

第3季度DRAM展望

瑞薩談DRAM封裝的耐濕性故障：“30多年來首次公開提及”

記憶體產(chǎn)業(yè)變化劇烈，封測供應(yīng)鏈跟著起漣漪

合約價跌跌不休 DRAM廠恐啟動減產(chǎn)機制

美林：SCM循環(huán)負(fù)面看待，最不青睞封測雙雄

DRAM報價直落爾必達(dá)逆勢大舉募資

DRAM產(chǎn)業(yè)技術(shù)轉(zhuǎn)型期成本下降趨勢放緩

DRAM產(chǎn)業(yè)技術(shù)轉(zhuǎn)型期成本保持平緩

爾必達(dá)擬發(fā)行新股和可轉(zhuǎn)換債券融資800億日元

封測3雄力成6月最亮

DRAM錢坑　臺塑集團進(jìn)退兩難

DRAM錢坑臺塑集團進(jìn)退兩難

三星挖角梁孟松　搶救晶圓代工

存儲器3Q景氣 NAND Flash略優(yōu)于DRAM

存儲器3Q景氣　NAND Flash略優(yōu)于DRAM

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