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三星資本支出與預(yù)期大相徑庭
三星電子執(zhí)行長(zhǎng)崔志成(Choi Gee-sung) 25日表示，三星下半年的資本支出也不會(huì)減少，且還會(huì)高于原先預(yù)期，因?yàn)楣具^(guò)去一貫的傳統(tǒng)都不會(huì)僅依據(jù)一年的營(yíng)運(yùn)展望來(lái)擬定投資計(jì)畫(huà)；這象征在DRAM 產(chǎn)業(yè)價(jià)格血流成河，且NAND
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DRAM產(chǎn)業(yè)大者愈大 過(guò)去十年僅三星獲利
個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)銷(xiāo)售量不如預(yù)期，又遇上平板計(jì)算機(jī)擠壓市場(chǎng)，導(dǎo)致2011年DRAM報(bào)價(jià)持續(xù)下跌，目前已瀕臨變動(dòng)成本邊緣，過(guò)去3年1次循環(huán)的存儲(chǔ)器景氣，現(xiàn)在景氣循環(huán)的時(shí)間周期大幅縮小，加上制程技術(shù)進(jìn)展快速，臺(tái)系DRAM廠
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三星今年資本支出不降反升 同業(yè)擔(dān)憂
外電指出，三星電子(Samsung Electronics)執(zhí)行長(zhǎng)崔志成(Choi Gee-sung) 25日表示，三星下半年的資本支出也不會(huì)減少，且還會(huì)高于原先預(yù)期，因?yàn)楣具^(guò)去一貫的傳統(tǒng)都不會(huì)僅依據(jù)一年的營(yíng)運(yùn)展望來(lái)擬定投資計(jì)畫(huà);這象征在
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DRAM價(jià)格慘跌，廠商或重演標(biāo)準(zhǔn)型產(chǎn)品史
DRAM價(jià)格慘跌，也拖累DRAM廠營(yíng)運(yùn)表現(xiàn)疲弱，為拯救低迷的營(yíng)運(yùn)，各廠也紛紛減少標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)能，轉(zhuǎn)向其他利基型產(chǎn)品，希望能擺脫價(jià)格波動(dòng)造成的影響，對(duì)此，市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Gartner（顧能）半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)首席分析師王哲宏認(rèn)為
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三星、海力士代工起家 鍥而不舍拚半導(dǎo)體龍頭
三星電子(SamsungElectronics)現(xiàn)在在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)呼風(fēng)喚雨，但在20年前，三星在DRAM產(chǎn)業(yè)也不過(guò)是個(gè)技術(shù)仰賴(lài)日本大廠授權(quán)的業(yè)者，誰(shuí)也沒(méi)料想到今日會(huì)茁壯成全球記憶體產(chǎn)業(yè)霸主，甚至整個(gè)集團(tuán)勢(shì)力如八爪章魚(yú)般，縱橫于科
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DRAM廠拼轉(zhuǎn)型 長(zhǎng)期恐重演標(biāo)準(zhǔn)型產(chǎn)品歷史
DRAM價(jià)格慘跌，也拖累DRAM廠營(yíng)運(yùn)表現(xiàn)疲弱，為拯救低迷的營(yíng)運(yùn)，各廠也紛紛減少標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)能，轉(zhuǎn)向其他利基型產(chǎn)品，希望能擺脫價(jià)格波動(dòng)造成的影響，對(duì)此，市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Gartner(顧能)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)首席分析師王哲宏認(rèn)為，
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DRAM廠拼轉(zhuǎn)型 長(zhǎng)期恐重演標(biāo)準(zhǔn)型產(chǎn)品歷史
DRAM價(jià)格慘跌，也拖累DRAM廠營(yíng)運(yùn)表現(xiàn)疲弱，為拯救低迷的營(yíng)運(yùn)，各廠也紛紛減少標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)能，轉(zhuǎn)向其他利基型產(chǎn)品，希望能擺脫價(jià)格波動(dòng)造成的影響，對(duì)此，市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Gartner(顧能)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)首席分析師王哲宏認(rèn)為，
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DRAM廠拚轉(zhuǎn)型 長(zhǎng)期恐重演標(biāo)準(zhǔn)型產(chǎn)品歷史
DRAM價(jià)格慘跌，也拖累DRAM廠營(yíng)運(yùn)表現(xiàn)疲弱，為拯救低迷的營(yíng)運(yùn)，各廠也紛紛減少標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)能，轉(zhuǎn)向其他利基型產(chǎn)品，希望能擺脫價(jià)格波動(dòng)造成的影響，對(duì)此，市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Gartner(顧能)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)首席分析師王哲宏認(rèn)為，
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DRAM產(chǎn)業(yè)過(guò)去十年僅三星獲利
個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)銷(xiāo)售量不如預(yù)期，又遇上平板計(jì)算機(jī)擠壓市場(chǎng)，導(dǎo)致2011年DRAM報(bào)價(jià)持續(xù)下跌，目前已瀕臨變動(dòng)成本邊緣，過(guò)去3年1次循環(huán)的存儲(chǔ)器景氣，現(xiàn)在景氣循環(huán)的時(shí)間周期大幅縮小，加上制程技術(shù)進(jìn)展快速，臺(tái)系DRAM廠
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DRAM廠拚轉(zhuǎn)型 Gartner：長(zhǎng)期恐重演標(biāo)準(zhǔn)型產(chǎn)品歷史
DRAM價(jià)格慘跌，也拖累DRAM廠營(yíng)運(yùn)表現(xiàn)疲弱，為拯救低迷的營(yíng)運(yùn)，各廠也紛紛減少標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)能，轉(zhuǎn)向其他利基型產(chǎn)品，希望能擺脫價(jià)格波動(dòng)造成的影響，對(duì)此，市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Gartner(顧能)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)首席分析師王哲宏認(rèn)為，
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DRAM產(chǎn)業(yè)過(guò)去十年僅三星一家獲利 大者愈大趨勢(shì)仍難擋
個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)銷(xiāo)售量不如預(yù)期，又遇上平板計(jì)算機(jī)擠壓市場(chǎng)，導(dǎo)致2011年DRAM報(bào)價(jià)持續(xù)下跌，目前已瀕臨變動(dòng)成本邊緣，過(guò)去3年1次循環(huán)的存儲(chǔ)器景氣，現(xiàn)在景氣循環(huán)的時(shí)間周期大幅縮小，加上制程技術(shù)進(jìn)展快速，臺(tái)系DRAM廠
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DRAM產(chǎn)業(yè)過(guò)去十年僅三星一家獲利
個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)銷(xiāo)售量不如預(yù)期，又遇上平板計(jì)算機(jī)擠壓市場(chǎng)，導(dǎo)致2011年DRAM報(bào)價(jià)持續(xù)下跌，目前已瀕臨變動(dòng)成本邊緣，過(guò)去3年1次循環(huán)的存儲(chǔ)器景氣，現(xiàn)在景氣循環(huán)的時(shí)間周期大幅縮小，加上制程技術(shù)進(jìn)展快速，臺(tái)系DRAM廠
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DRAM產(chǎn)業(yè)過(guò)去十年僅三星一家獲利 大者愈大勢(shì)難擋
個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)銷(xiāo)售量不如預(yù)期，又遇上平板計(jì)算機(jī)擠壓市場(chǎng)，導(dǎo)致2011年DRAM報(bào)價(jià)持續(xù)下跌，目前已瀕臨變動(dòng)成本邊緣，過(guò)去3年1次循環(huán)的存儲(chǔ)器景氣，現(xiàn)在景氣循環(huán)的時(shí)間周期大幅縮小，加上制程技術(shù)進(jìn)展快速，臺(tái)系DR
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海力士2Q營(yíng)收26億美元
韓半導(dǎo)體大廠海力士(Hynix)21日上午發(fā)布2011年第2季財(cái)報(bào)。海力士第2季營(yíng)收2.76兆韓元(約26.15億美元)，營(yíng)業(yè)利益4,470億韓元(約4.24億美元)，與2010年同期相比營(yíng)收減少16%、營(yíng)業(yè)利益減少56%，然與2011年第1季相比，雖
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DDR3仍將是主流DRAM技術(shù)
據(jù)IHS iSuppli公司的研究，DDR3的市場(chǎng)份額穩(wěn)定在85-90%，2011年以及至少未來(lái)三年仍將是DRAM市場(chǎng)的主流技術(shù)，隨后才會(huì)逐漸讓位給速度更快的下一代技術(shù)。2011年DRAM模組出貨量將達(dá)8.08億個(gè)左右，預(yù)計(jì)DDR3將占89%，高于
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需求疲軟而產(chǎn)量不減 DRAM市場(chǎng)Q3持續(xù)供過(guò)于求
第2季DRAM報(bào)價(jià)下跌幅度相當(dāng)大，主要是日本311地震后，下游客戶(hù)擔(dān)心斷鏈危機(jī)擴(kuò)大，因此提前拉貨，但最后發(fā)現(xiàn)PC終端需求低于預(yù)期，導(dǎo)致整個(gè)第2季記憶體市場(chǎng)都處于消化庫(kù)存情況，且一直到第3季庫(kù)存水位仍是偏高，因此DR
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臺(tái)塑將導(dǎo)入20納米DRAM制程
臺(tái)塑表示不會(huì)放棄DRAM產(chǎn)業(yè)，將跨入20納米微縮制程提高產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。臺(tái)塑主管指出，目前50納米的制程已經(jīng)沒(méi)有競(jìng)爭(zhēng)力;南科與華亞科除由40納米跨入30納米的制程之外，更進(jìn)入一項(xiàng)空前的微縮制程，制程一舉由30納米跨入20納
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未來(lái)幾年P(guān)C中的DRAM含量增長(zhǎng)速度將會(huì)放慢
據(jù)IHS iSuppli公司的內(nèi)存與存儲(chǔ)報(bào)告，個(gè)人電腦(PC)中的DRAM含量增長(zhǎng)速度將出現(xiàn)歷史性的下降，2012年以后每臺(tái)新PC中的DRAM含量的平均年度增長(zhǎng)速度將不會(huì)超過(guò)35%，低于最近25年48%的平均水平。繼2009和2010年分別增長(zhǎng)3
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第3季度DRAM展望
第2季DRAM報(bào)價(jià)下跌幅度相當(dāng)大，主要是日本311地震后，下游客戶(hù)擔(dān)心斷鏈危機(jī)擴(kuò)大，因此提前拉貨，但最后發(fā)現(xiàn)PC終端需求低于預(yù)期，導(dǎo)致整個(gè)第2季記憶體市場(chǎng)都處于消化庫(kù)存情況，且一直到第3季庫(kù)存水位仍是偏高，因此DR
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瑞薩談DRAM封裝的耐濕性故障：“30多年來(lái)首次公開(kāi)提及”
筆者感覺(jué)最具有沖擊力的是瑞薩的演講。演講者是田中政樹(shù)（品質(zhì)保證統(tǒng)括部MCU品質(zhì)保證第一部高級(jí)專(zhuān)家）（圖1）。田中介紹了30～40年前在日立制作所發(fā)生的、與DRAM封裝的耐濕性相關(guān)聯(lián)的故障。該故障是首次在日立以外的
小小Lotous
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