DRAM

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急單到存儲器封測廠本季展望

存儲器大廠爾必達(dá)（916665）、力晶及南科等本季積極提升DRAM產(chǎn)能，后段封測協(xié)力廠力成、華東等急單涌入，5月營收大幅增溫，7月可望回復(fù)歷史高峰。日本強(qiáng)震一度為半導(dǎo)體封測業(yè)帶來不小沖擊，除了主要矽晶圓短缺，

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2011-05-30

存儲器 DRAM 爾必達(dá) MOBILE
京元電高筑墻挺立24年

5月的新竹油桐花盛開，京元電每年都選在此時(shí)舉辦家庭日。今年大家特別開心，因?yàn)楣救ツ隊(duì)I收創(chuàng)成立24年來新高，已經(jīng)連續(xù)兩年加薪。相較于二年前金融風(fēng)暴景氣低迷，無薪假、減薪的低潮，京元電快速走出陰霾，這二年

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2011-05-30

電子聯(lián)電存儲器 DRAM
矽品喊漲價(jià)Q3營運(yùn)吃補(bǔ)

日本地震引發(fā)材料成本上揚(yáng)，矽品精密工業(yè)總經(jīng)理蔡祺文昨（28）日表示，矽品為適度反應(yīng)成本，近日陸續(xù)調(diào)漲部分封裝產(chǎn)品價(jià)格，法人推估漲幅在5%至10%之間，有助挹注第三季營運(yùn)成長力道。展望未來，短期雖有日本震災(zāi)

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2011-05-29

半導(dǎo)體封裝 MCU DRAM
封測代工喊漲廠商Q3受補(bǔ)

日本311大地震后，包括銀膠、環(huán)氧樹脂、導(dǎo)線架等封裝材料價(jià)格上漲，加上時(shí)間接近第3季傳統(tǒng)旺季，封測廠產(chǎn)能利用率上升，部份產(chǎn)線已呈現(xiàn)滿載現(xiàn)象，為了反應(yīng)材料上漲成本及部份產(chǎn)能供不應(yīng)求等實(shí)際市況，包括日月光、矽

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2011-05-27

封裝環(huán)氧樹脂存儲器 DRAM
韓DRAM微細(xì)制程比重高占市場優(yōu)勢

據(jù)韓國電子新聞報(bào)導(dǎo)，韓國半導(dǎo)體業(yè)者在衡量存儲器芯片業(yè)者競爭力高低的微細(xì)制程比重大占優(yōu)勢，維持在全球DRAM市場的主導(dǎo)權(quán)，尤其40納米等級微細(xì)制程擴(kuò)大，使韓國企業(yè)市占率隨之?dāng)U大，在2011年第1季寫下不錯(cuò)成績，其

智能硬件
2011-05-26

美光 40納米 DRAM 爾必達(dá)
韓DRAM微細(xì)制程比重高占市場優(yōu)勢

據(jù)韓國電子新聞報(bào)導(dǎo)，韓國半導(dǎo)體業(yè)者在衡量存儲器芯片業(yè)者競爭力高低的微細(xì)制程比重大占優(yōu)勢，維持在全球DRAM市場的主導(dǎo)權(quán)，尤其40納米等級微細(xì)制程擴(kuò)大，使韓國企業(yè)市占率隨之?dāng)U大，在2011年第1季寫下不錯(cuò)成績，其它

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2011-05-26

美光 40納米 DRAM 爾必達(dá)
京元電獲美廠F-RAM大單

低功耗鐵電存儲器（F-RAM）供應(yīng)商美國Ramtron表示，與封測廠京元電（2449）擴(kuò)大合作，Ramtron將把全部的F-RAM產(chǎn)品交由京元電封裝及測試。Ramtron表示，京元電在特殊存儲器封測市場具有技術(shù)領(lǐng)先地位，可為Ramtron提供

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2011-05-26

鐵電存儲器 F-RAM RAMTRON DRAM
茂德以人民幣1億元賣掉重慶8吋晶圓廠

DRAM廠茂德23日公告，旗下大陸重慶8吋晶圓廠暫訂以人民幣1億元（約新臺幣4.54億元），賣給大陸中航航空電子系統(tǒng)公司。完成交易后，茂德將把營運(yùn)重心全數(shù)聚焦在臺灣12吋晶圓廠。茂德2007年底迄今，投入渝德的資本額約

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2011-05-26

晶圓廠航空電子系統(tǒng) DRAM
海力士半導(dǎo)體廠氣體外泄

據(jù)韓國電子新聞報(bào)導(dǎo)，韓國半導(dǎo)體大廠海力士(Hynix)位于京畿道利川的工廠發(fā)生氣體外泄事故。19日晚間約10點(diǎn)50分，在維修D(zhuǎn)RAM半導(dǎo)體產(chǎn)線蒸鍍設(shè)備過程中，海力士合作廠2位員工因操作不當(dāng)，使設(shè)備內(nèi)殘留的液化氣體外泄。

半導(dǎo)體
2011-05-25

半導(dǎo)體電子海力士 DRAM
韓DRAM微細(xì)制程比重高　占市場優(yōu)勢

據(jù)南韓電子新聞報(bào)導(dǎo)，南韓半導(dǎo)體業(yè)者在衡量記憶體晶片業(yè)者競爭力高低的微細(xì)制程比重大占優(yōu)勢，維持在全球DRAM市場的主導(dǎo)權(quán)，尤其40奈米等級微細(xì)制程擴(kuò)大，使南韓企業(yè)市占率隨之?dāng)U大，在2011年第1季寫下不錯(cuò)成績，其他

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2011-05-25

美光海力士 DRAM 爾必達(dá)
去年DRAM模組廠排名金士頓市占破5成稱王

研究機(jī)構(gòu)集邦科技針對2010年DRAM模組廠進(jìn)行調(diào)查，公布最新的市占排名，其中獨(dú)立記憶體廠金士頓市占率首度突破50%，不但穩(wěn)居龍頭，其市占率與業(yè)績增加幅度均傲視同業(yè)，反觀其他的競爭同業(yè)，市占率普遍都有下滑的跡象。

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2011-05-25

金士頓 GE PI DRAM
Q2續(xù)虧臺DRAM廠寄望Q3

受到DRAM產(chǎn)業(yè)第2季轉(zhuǎn)虧為盈機(jī)會(huì)落空，以及南科（2408）6月停止信用交易在即，南科股價(jià)寫下減資掛牌以來的新低水平，即將面臨票面保衛(wèi)戰(zhàn)，同集團(tuán)的華亞科（3474）亦受到影響，股價(jià)亦創(chuàng)2年多以來的新低紀(jì)錄，隨著兩檔D

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2011-05-25

DRAM
爾必達(dá)投資800億日元應(yīng)對DRAM 50％/年的需求增長

日本爾必達(dá)存儲器正致力于通過小額設(shè)備投資實(shí)現(xiàn)大幅增產(chǎn)的“高明投資”方式。該公司預(yù)計(jì)2011財(cái)年（2011年4月～2012年3月）的DRAM需求增幅將達(dá)到50％/年，但卻打算以較上財(cái)年減少30％的設(shè)備投資額（800億日元）來應(yīng)對

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2011-05-23

嵌入式 5NM DRAM 爾必達(dá)
爾必達(dá)投資800億日元應(yīng)對DRAM 50％/年的需求增長

日本爾必達(dá)存儲器正致力于通過小額設(shè)備投資實(shí)現(xiàn)大幅增產(chǎn)的“高明投資”方式。該公司預(yù)計(jì)2011財(cái)年（2011年4月～2012年3月）的DRAM需求增幅將達(dá)到50％/年，但卻打算以較上財(cái)年減少30％的設(shè)備投資額（800億日

智能硬件
2011-05-23

嵌入式 5NM DRAM 爾必達(dá)
DRAM產(chǎn)業(yè)為徹底復(fù)蘇爭取時(shí)間

茂德在2010年已將新竹12?晶圓廠賣給旺宏，是賣廠止血的第1步，當(dāng)時(shí)出售價(jià)格超過新臺幣80億元，業(yè)界認(rèn)為此價(jià)格對茂德算有利；之后DRAM價(jià)格進(jìn)入二度崩盤，業(yè)界也點(diǎn)名重慶渝德廠應(yīng)該是下一個(gè)處分目標(biāo)，因此市場對于茂德

消費(fèi)電子
2011-05-20

美光晶圓廠 NAND DRAM
DRAM產(chǎn)業(yè)賣廠爭取時(shí)間　治標(biāo)難治本

據(jù)DIGITIMES Research，中國大陸早在1988年就有由恩智浦(NXP)與上?；瘜W(xué)工業(yè)區(qū)投資實(shí)業(yè)合資成立第1家IC制造廠商上海先進(jìn)半導(dǎo)體(ASMC)，其后尚有首鋼日電(SGNEC)、無錫華潤上華(CSMC)、華虹NEC (HH NEC)等晶圓代工廠

智能硬件
2011-05-19

美光晶圓廠 NAND DRAM
從兩岸虧損企業(yè)談產(chǎn)業(yè)整合

兩岸上市公司最新財(cái)報(bào)顯示，臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)除瑞晶電子外，其余全部大幅虧損。大陸企業(yè)中，電子書龍頭漢王科技虧損超過4000萬元（人民幣，下同），預(yù)計(jì)全年將虧損1億。這2件事看似無關(guān)，其實(shí)均與“規(guī)模、品牌、價(jià)

半導(dǎo)體
2011-05-19

三星電子書 IPAD DRAM
ASML單價(jià)近一億美元的EUV光刻機(jī)訂單已達(dá)10臺　預(yù)計(jì)2012年開始正式交貨

2010年浸潤式微米光刻機(jī)臺設(shè)備(Immersion Scanner)大缺貨，形成DRAM產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)進(jìn)40納米工藝的天險(xiǎn)，隨著缺貨問題解決，ASML針對20納米工藝，推出深紫外光(EUV)機(jī)臺，目前已有10臺訂單在手，預(yù)計(jì)2012年將正式交貨；不過，

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2011-05-19

EUV光刻機(jī) ASML EUV DRAM
ASML單價(jià)近一億美元的EUV光刻機(jī)訂單已達(dá)10臺　預(yù)計(jì)2012年開始正式交貨

2010年浸潤式微米光刻機(jī)臺設(shè)備(ImmersionScanner)大缺貨，形成DRAM產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)進(jìn)40納米工藝的天險(xiǎn)，隨著缺貨問題解決，ASML針對20納米工藝，推出深紫外光(EUV)機(jī)臺，目前已有10臺訂單在手，預(yù)計(jì)2012年將正式交貨；不過，對

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2011-05-18

EUV光刻機(jī) ASML EUV DRAM
ASML單價(jià)近一億美元EUV光刻機(jī)訂單已達(dá)10臺

2010年浸潤式微米光刻機(jī)臺設(shè)備(Immersion Scanner)大缺貨，形成DRAM產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)進(jìn)40納米工藝的天險(xiǎn)，隨著缺貨問題解決，ASML針對20納米工藝，推出深紫外光(EUV)機(jī)臺，目前已有10臺訂單在手，預(yù)計(jì)2012年將正式交貨;不過，對

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2011-05-18

EUV光刻機(jī) ASML EUV DRAM

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DRAM

急單到存儲器封測廠本季展望

京元電高筑墻挺立24年

矽品喊漲價(jià)Q3營運(yùn)吃補(bǔ)

封測代工喊漲廠商Q3受補(bǔ)

韓DRAM微細(xì)制程比重高占市場優(yōu)勢

韓DRAM微細(xì)制程比重高占市場優(yōu)勢

京元電獲美廠F-RAM大單

茂德以人民幣1億元賣掉重慶8吋晶圓廠

海力士半導(dǎo)體廠氣體外泄

韓DRAM微細(xì)制程比重高　占市場優(yōu)勢

去年DRAM模組廠排名金士頓市占破5成稱王

Q2續(xù)虧臺DRAM廠寄望Q3

爾必達(dá)投資800億日元應(yīng)對DRAM 50％/年的需求增長

爾必達(dá)投資800億日元應(yīng)對DRAM 50％/年的需求增長

DRAM產(chǎn)業(yè)為徹底復(fù)蘇爭取時(shí)間

DRAM產(chǎn)業(yè)賣廠爭取時(shí)間　治標(biāo)難治本

從兩岸虧損企業(yè)談產(chǎn)業(yè)整合

ASML單價(jià)近一億美元的EUV光刻機(jī)訂單已達(dá)10臺　預(yù)計(jì)2012年開始正式交貨

ASML單價(jià)近一億美元的EUV光刻機(jī)訂單已達(dá)10臺　預(yù)計(jì)2012年開始正式交貨

ASML單價(jià)近一億美元EUV光刻機(jī)訂單已達(dá)10臺

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