DRAM

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臺(tái)DRAM產(chǎn)業(yè)要有活路　集成是唯一之道

存儲(chǔ)器模塊廠金士頓(Kingston)不畏存儲(chǔ)器景氣波動(dòng)，2010年全球獨(dú)立DRAM模塊廠市占率首度突破50%大關(guān)，NAND Flash市場(chǎng)布局也成功跨足固態(tài)硬盤(SSD)市場(chǎng)，面對(duì)臺(tái)灣上游DRAM廠仍處于生存困境的當(dāng)下，金士頓創(chuàng)辦人之一的

智能硬件
2011-06-08

DRAM 集成金士頓 Flash
步上DRAM產(chǎn)業(yè)規(guī)模競(jìng)賽后塵　晶圓代工決勝18寸廠

從技術(shù)投資與市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力的觀點(diǎn)來看，半導(dǎo)體業(yè)者從12寸廠拓展至18寸廠，以提升產(chǎn)能規(guī)模，已是不可避免的發(fā)展趨勢(shì)。然而，18寸廠的建置正面臨嚴(yán)峻考驗(yàn)，因此未來全球半導(dǎo)體業(yè)者在18寸晶圓廠的布局結(jié)果，將進(jìn)一步影響半

智能硬件
2011-06-08

三星晶圓代工臺(tái)積電 DRAM
固態(tài)硬盤蓬勃發(fā)展有望取代傳統(tǒng)硬盤

隨著現(xiàn)代社會(huì)對(duì)存儲(chǔ)容量及速度要求的不斷提高，固態(tài)硬盤已經(jīng)與人們緊密聯(lián)系起來，時(shí)至今日，固態(tài)硬盤終于有了取代傳統(tǒng)硬盤成為新的存儲(chǔ)霸主的趨勢(shì)。硬盤概念的提出要追溯到2006年，當(dāng)時(shí)便已經(jīng)有硬盤廠商提出了固態(tài)硬

消費(fèi)電子
2011-06-07

固態(tài)硬盤 SATA PCIE DRAM
海力士半導(dǎo)體30納米工藝轉(zhuǎn)換遇瓶頸

全球主要DRAM內(nèi)存芯片業(yè)者陸續(xù)投入微細(xì)制程轉(zhuǎn)換作業(yè)，然而海力士半導(dǎo)體(Hynix)在轉(zhuǎn)換到30納米制程上正遭遇瓶頸。在微細(xì)制程轉(zhuǎn)換競(jìng)爭(zhēng)中，一直緊追在海力士之后的爾必達(dá)(Elpida)，可能會(huì)更快完成制程轉(zhuǎn)換作業(yè)，并動(dòng)搖海

消費(fèi)電子
2011-06-07

半導(dǎo)體爾必達(dá) 海力士 DRAM
韓媒稱海力士半導(dǎo)體30納米工藝轉(zhuǎn)換不順

據(jù)南韓電子新聞報(bào)導(dǎo)，全球主要DRAM內(nèi)存芯片業(yè)者陸續(xù)投入微細(xì)制程轉(zhuǎn)換作業(yè)，然而海力士半導(dǎo)體(Hynix)在轉(zhuǎn)換到30納米制程上正遭遇瓶頸。在微細(xì)制程轉(zhuǎn)換競(jìng)爭(zhēng)中，一直緊追在海力士之后的爾必達(dá)(Elpida)，可能會(huì)更快完成

半導(dǎo)體
2011-06-07

半導(dǎo)體爾必達(dá) 海力士 DRAM
步上DRAM產(chǎn)業(yè)規(guī)模競(jìng)賽后塵　晶圓代工決勝18寸廠

從技術(shù)投資與市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力的觀點(diǎn)來看，半導(dǎo)體業(yè)者從12寸廠拓展至18寸廠，以提升產(chǎn)能規(guī)模，已是不可避免的發(fā)展趨勢(shì)。然而，18寸廠的建置正面臨嚴(yán)峻考驗(yàn)，因此未來全球半導(dǎo)體業(yè)者在18寸晶圓廠的布局結(jié)果，將進(jìn)一步影響半

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2011-06-07

三星晶圓代工臺(tái)積電 DRAM
步上DRAM產(chǎn)業(yè)規(guī)模競(jìng)賽后塵　晶圓代工決勝18寸廠

從技術(shù)投資與市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力的觀點(diǎn)來看，半導(dǎo)體業(yè)者從12寸廠拓展至18寸廠，以提升產(chǎn)能規(guī)模，已是不可避免的發(fā)展趨勢(shì)。然而，18寸廠的建置正面臨嚴(yán)峻考驗(yàn)，因此未來全球半導(dǎo)體業(yè)者在18寸晶圓廠的布局結(jié)果，將進(jìn)一步影響半

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2011-06-06

三星晶圓代工臺(tái)積電 DRAM
iSuppli：今年DRAM市場(chǎng)出貨量上升10.8％

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，根據(jù)IHSiSuppli公司最新研究報(bào)告指出，得益于DRAM整體出貨量上升10.8％，今年全球DRAM模組市場(chǎng)仍將持續(xù)增長(zhǎng)，且連續(xù)兩年都呈現(xiàn)雙位數(shù)增長(zhǎng)。該項(xiàng)報(bào)告指出，全的DRAM模組的整體出貨量，預(yù)估今年將達(dá)到

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2011-06-03

內(nèi)存電腦 ISUPPLI DRAM
傳海力士30奈米制程遇瓶頸　恐動(dòng)搖市場(chǎng)地位

據(jù)南韓電子新聞報(bào)導(dǎo)，全球主要DRAM記憶體晶片業(yè)者陸續(xù)投入微細(xì)制程轉(zhuǎn)換作業(yè)，然而海力士半導(dǎo)體(Hynix)在轉(zhuǎn)換到30奈米制程上正遭遇瓶頸。在微細(xì)制程轉(zhuǎn)換競(jìng)爭(zhēng)中，一直緊追在海力士之后的爾必達(dá)(Elpida)，可能會(huì)更快完成

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2011-06-02

晶片爾必達(dá) 海力士 DRAM
CMOS封裝板出貨旺　競(jìng)國(guó)擬再擴(kuò)產(chǎn)

李洵穎／臺(tái)北印刷電路板(PCB)競(jìng)國(guó)實(shí)業(yè)受惠于智慧型手機(jī)及平板電腦的出貨強(qiáng)勁，帶動(dòng)CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor；CMOS)視訊鏡頭用封裝板出貨動(dòng)能強(qiáng)勁，加上DRAM用模組板在客戶釋單下，競(jìng)國(guó)計(jì)劃擴(kuò)產(chǎn)

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2011-06-01

封裝 CMOS DRAM
爾必達(dá)與聯(lián)電力成合作開發(fā)TSV產(chǎn)品

看好3D市場(chǎng)，DRAM大廠爾必達(dá)日前宣布，將與臺(tái)灣力成科技、聯(lián)華電子正式簽約，攜手展開TSV產(chǎn)品的共同開發(fā);爾必達(dá)表示，三方還將針對(duì)3D IC整合技術(shù)、28納米先進(jìn)制程TSV(Through-Silicon Via, 直通硅晶穿孔)進(jìn)行開發(fā)與商

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2011-06-01

聯(lián)電電力爾必達(dá) DRAM
iSuppli研究報(bào)告稱今年DRAM市場(chǎng)將維持連續(xù)2年雙位數(shù)成長(zhǎng)

IHSiSuppli(IHS-US)最新研究報(bào)告指出，受惠于動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)整體出貨量彈升10.8%，今年全球的DRAM模塊市場(chǎng)成長(zhǎng)仍將持續(xù)增長(zhǎng)，且連續(xù)兩年都呈現(xiàn)雙位數(shù)成長(zhǎng)。該項(xiàng)報(bào)告指出，全球DRAM模塊的整體出貨量，預(yù)估今年

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2011-05-31

AC ISUPPLI DDR3 DRAM
iSuppli研究報(bào)告稱今年DRAM市場(chǎng)將維持連續(xù)2年雙位數(shù)成長(zhǎng)

IHS iSuppli (IHS-US) 最新研究報(bào)告指出，受惠于動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存 (DRAM) 整體出貨量彈升 10.8%，今年全球的 DRAM 模塊市場(chǎng)成長(zhǎng)仍將持續(xù)增長(zhǎng)，且連續(xù)兩年都呈現(xiàn)雙位數(shù)成長(zhǎng)。該項(xiàng)報(bào)告指出，全球 DRAM 模塊的整體出貨

智能硬件
2011-05-31

計(jì)算機(jī) AC ISUPPLI DRAM
急單到存儲(chǔ)器封測(cè)廠本季展望

存儲(chǔ)器大廠爾必達(dá)（916665）、力晶及南科等本季積極提升DRAM產(chǎn)能，后段封測(cè)協(xié)力廠力成、華東等急單涌入，5月營(yíng)收大幅增溫，7月可望回復(fù)歷史高峰。日本強(qiáng)震一度為半導(dǎo)體封測(cè)業(yè)帶來不小沖擊，除了主要矽晶圓短缺，

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2011-05-30

存儲(chǔ)器爾必達(dá) MOBILE DRAM
京元電高筑墻挺立24年

5月的新竹油桐花盛開，京元電每年都選在此時(shí)舉辦家庭日。今年大家特別開心，因?yàn)楣救ツ隊(duì)I收創(chuàng)成立24年來新高，已經(jīng)連續(xù)兩年加薪。相較于二年前金融風(fēng)暴景氣低迷，無薪假、減薪的低潮，京元電快速走出陰霾，這二年

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2011-05-30

電子存儲(chǔ)器聯(lián)電 DRAM
矽品喊漲價(jià)Q3營(yíng)運(yùn)吃補(bǔ)

日本地震引發(fā)材料成本上揚(yáng)，矽品精密工業(yè)總經(jīng)理蔡祺文昨（28）日表示，矽品為適度反應(yīng)成本，近日陸續(xù)調(diào)漲部分封裝產(chǎn)品價(jià)格，法人推估漲幅在5%至10%之間，有助挹注第三季營(yíng)運(yùn)成長(zhǎng)力道。展望未來，短期雖有日本震災(zāi)

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2011-05-29

半導(dǎo)體封裝 MCU DRAM
封測(cè)代工喊漲廠商Q3受補(bǔ)

日本311大地震后，包括銀膠、環(huán)氧樹脂、導(dǎo)線架等封裝材料價(jià)格上漲，加上時(shí)間接近第3季傳統(tǒng)旺季，封測(cè)廠產(chǎn)能利用率上升，部份產(chǎn)線已呈現(xiàn)滿載現(xiàn)象，為了反應(yīng)材料上漲成本及部份產(chǎn)能供不應(yīng)求等實(shí)際市況，包括日月光、矽

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2011-05-27

存儲(chǔ)器封裝環(huán)氧樹脂 DRAM
韓DRAM微細(xì)制程比重高占市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)

據(jù)韓國(guó)電子新聞報(bào)導(dǎo)，韓國(guó)半導(dǎo)體業(yè)者在衡量存儲(chǔ)器芯片業(yè)者競(jìng)爭(zhēng)力高低的微細(xì)制程比重大占優(yōu)勢(shì)，維持在全球DRAM市場(chǎng)的主導(dǎo)權(quán)，尤其40納米等級(jí)微細(xì)制程擴(kuò)大，使韓國(guó)企業(yè)市占率隨之?dāng)U大，在2011年第1季寫下不錯(cuò)成績(jī)，其

智能硬件
2011-05-26

美光爾必達(dá) 40納米 DRAM
韓DRAM微細(xì)制程比重高占市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)

據(jù)韓國(guó)電子新聞報(bào)導(dǎo)，韓國(guó)半導(dǎo)體業(yè)者在衡量存儲(chǔ)器芯片業(yè)者競(jìng)爭(zhēng)力高低的微細(xì)制程比重大占優(yōu)勢(shì)，維持在全球DRAM市場(chǎng)的主導(dǎo)權(quán)，尤其40納米等級(jí)微細(xì)制程擴(kuò)大，使韓國(guó)企業(yè)市占率隨之?dāng)U大，在2011年第1季寫下不錯(cuò)成績(jī)，其它

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2011-05-26

美光爾必達(dá) 40納米 DRAM
京元電獲美廠F-RAM大單

低功耗鐵電存儲(chǔ)器（F-RAM）供應(yīng)商美國(guó)Ramtron表示，與封測(cè)廠京元電（2449）擴(kuò)大合作，Ramtron將把全部的F-RAM產(chǎn)品交由京元電封裝及測(cè)試。Ramtron表示，京元電在特殊存儲(chǔ)器封測(cè)市場(chǎng)具有技術(shù)領(lǐng)先地位，可為Ramtron提供

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2011-05-26

鐵電存儲(chǔ)器 F-RAM RAMTRON DRAM

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DRAM

臺(tái)DRAM產(chǎn)業(yè)要有活路　集成是唯一之道

步上DRAM產(chǎn)業(yè)規(guī)模競(jìng)賽后塵　晶圓代工決勝18寸廠

固態(tài)硬盤蓬勃發(fā)展有望取代傳統(tǒng)硬盤

海力士半導(dǎo)體30納米工藝轉(zhuǎn)換遇瓶頸

韓媒稱海力士半導(dǎo)體30納米工藝轉(zhuǎn)換不順

步上DRAM產(chǎn)業(yè)規(guī)模競(jìng)賽后塵　晶圓代工決勝18寸廠

步上DRAM產(chǎn)業(yè)規(guī)模競(jìng)賽后塵　晶圓代工決勝18寸廠

iSuppli：今年DRAM市場(chǎng)出貨量上升10.8％

傳海力士30奈米制程遇瓶頸　恐動(dòng)搖市場(chǎng)地位

CMOS封裝板出貨旺　競(jìng)國(guó)擬再擴(kuò)產(chǎn)

爾必達(dá)與聯(lián)電力成合作開發(fā)TSV產(chǎn)品

iSuppli研究報(bào)告稱今年DRAM市場(chǎng)將維持連續(xù)2年雙位數(shù)成長(zhǎng)

iSuppli研究報(bào)告稱今年DRAM市場(chǎng)將維持連續(xù)2年雙位數(shù)成長(zhǎng)

急單到存儲(chǔ)器封測(cè)廠本季展望

京元電高筑墻挺立24年

矽品喊漲價(jià)Q3營(yíng)運(yùn)吃補(bǔ)

封測(cè)代工喊漲廠商Q3受補(bǔ)

韓DRAM微細(xì)制程比重高占市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)

韓DRAM微細(xì)制程比重高占市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)

京元電獲美廠F-RAM大單

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