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茂德以人民幣1億元賣掉重慶8吋晶圓廠
DRAM廠茂德23日公告，旗下大陸重慶8吋晶圓廠暫訂以人民幣1億元（約新臺幣4.54億元），賣給大陸中航航空電子系統(tǒng)公司。完成交易后，茂德將把營運重心全數(shù)聚焦在臺灣12吋晶圓廠。茂德2007年底迄今，投入渝德的資本額約
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海力士半導體廠氣體外泄
據(jù)韓國電子新聞報導，韓國半導體大廠海力士(Hynix)位于京畿道利川的工廠發(fā)生氣體外泄事故。19日晚間約10點50分，在維修D(zhuǎn)RAM半導體產(chǎn)線蒸鍍設(shè)備過程中，海力士合作廠2位員工因操作不當，使設(shè)備內(nèi)殘留的液化氣體外泄。
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韓DRAM微細制程比重高 占市場優(yōu)勢
據(jù)南韓電子新聞報導，南韓半導體業(yè)者在衡量記憶體晶片業(yè)者競爭力高低的微細制程比重大占優(yōu)勢，維持在全球DRAM市場的主導權(quán)，尤其40奈米等級微細制程擴大，使南韓企業(yè)市占率隨之擴大，在2011年第1季寫下不錯成績，其他
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去年DRAM模組廠排名 金士頓市占破5成稱王
研究機構(gòu)集邦科技針對2010年DRAM模組廠進行調(diào)查，公布最新的市占排名，其中獨立記憶體廠金士頓市占率首度突破50%，不但穩(wěn)居龍頭，其市占率與業(yè)績增加幅度均傲視同業(yè)，反觀其他的競爭同業(yè)，市占率普遍都有下滑的跡象。
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Q2續(xù)虧 臺DRAM廠寄望Q3
受到DRAM產(chǎn)業(yè)第2季轉(zhuǎn)虧為盈機會落空，以及南科（2408）6月停止信用交易在即，南科股價寫下減資掛牌以來的新低水平，即將面臨票面保衛(wèi)戰(zhàn)，同集團的華亞科（3474）亦受到影響，股價亦創(chuàng)2年多以來的新低紀錄，隨著兩檔D
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爾必達投資800億日元應對DRAM 50％/年的需求增長
日本爾必達存儲器正致力于通過小額設(shè)備投資實現(xiàn)大幅增產(chǎn)的“高明投資”方式。該公司預計2011財年（2011年4月～2012年3月）的DRAM需求增幅將達到50％/年，但卻打算以較上財年減少30％的設(shè)備投資額（800億日元）來應對
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爾必達投資800億日元應對DRAM 50％/年的需求增長
日本爾必達存儲器正致力于通過小額設(shè)備投資實現(xiàn)大幅增產(chǎn)的“高明投資”方式。該公司預計2011財年（2011年4月～2012年3月）的DRAM需求增幅將達到50％/年，但卻打算以較上財年減少30％的設(shè)備投資額（800億日
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DRAM產(chǎn)業(yè)為徹底復蘇爭取時間
茂德在2010年已將新竹12?晶圓廠賣給旺宏，是賣廠止血的第1步，當時出售價格超過新臺幣80億元，業(yè)界認為此價格對茂德算有利；之后DRAM價格進入二度崩盤，業(yè)界也點名重慶渝德廠應該是下一個處分目標，因此市場對于茂德
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DRAM產(chǎn)業(yè)賣廠爭取時間 治標難治本
據(jù)DIGITIMES Research，中國大陸早在1988年就有由恩智浦(NXP)與上海化學工業(yè)區(qū)投資實業(yè)合資成立第1家IC制造廠商上海先進半導體(ASMC)，其后尚有首鋼日電(SGNEC)、無錫華潤上華(CSMC)、華虹NEC (HH NEC)等晶圓代工廠
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從兩岸虧損企業(yè)談產(chǎn)業(yè)整合
兩岸上市公司最新財報顯示，臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)除瑞晶電子外，其余全部大幅虧損。大陸企業(yè)中，電子書龍頭漢王科技虧損超過4000萬元（人民幣，下同），預計全年將虧損1億。這2件事看似無關(guān)，其實均與“規(guī)模、品牌、價
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ASML單價近一億美元的EUV光刻機訂單已達10臺 預計2012年開始正式交貨
2010年浸潤式微米光刻機臺設(shè)備(Immersion Scanner)大缺貨，形成DRAM產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)進40納米工藝的天險，隨著缺貨問題解決，ASML針對20納米工藝，推出深紫外光(EUV)機臺，目前已有10臺訂單在手，預計2012年將正式交貨；不過，
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ASML單價近一億美元的EUV光刻機訂單已達10臺 預計2012年開始正式交貨
2010年浸潤式微米光刻機臺設(shè)備(ImmersionScanner)大缺貨，形成DRAM產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)進40納米工藝的天險，隨著缺貨問題解決，ASML針對20納米工藝，推出深紫外光(EUV)機臺，目前已有10臺訂單在手，預計2012年將正式交貨；不過，對
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ASML單價近一億美元EUV光刻機訂單已達10臺
2010年浸潤式微米光刻機臺設(shè)備(Immersion Scanner)大缺貨，形成DRAM產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)進40納米工藝的天險，隨著缺貨問題解決，ASML針對20納米工藝，推出深紫外光(EUV)機臺，目前已有10臺訂單在手，預計2012年將正式交貨;不過，對
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三星DRAM喊漲 OEM廠被迫買單
DRAM合約價再度喊漲成功，雖然5月上半漲幅僅2~3%，但傳出三星電子(Samsung Electronics)成功將2GB DDR3模塊價格拉升至19美元，成為這次拉升合約價主要推手，次要因素則是近期傳出海力士(Hynix)和爾必達(Elpida)40納米
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三星DRAM喊漲 OEM廠被迫買單
DRAM合約價再度喊漲成功，雖然5月上半漲幅僅2~3%，但傳出三星電子(SamsungElectronics)成功將2GBDDR3模塊價格拉升至19美元，成為這次拉升合約價主要推手，次要因素則是近期傳出海力士(Hynix)和爾必達(Elpida)40納米制
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創(chuàng)見：臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)缺乏技術(shù)根基
創(chuàng)見董事長束崇萬看好下半年DRAM和NANDFlash市場景氣都不錯，對存儲器模塊廠而言，是風險不大的一年，但談到臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)前景，他感慨表示，DRAM產(chǎn)業(yè)最大問題的關(guān)鍵不是在于景氣波動，而是臺灣沒有自有DRAM技術(shù)，但現(xiàn)
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三星DRAM喊漲 OEM廠被迫買單
DRAM合約價再度喊漲成功，雖然5月上半漲幅僅2~3%，但傳出三星電子(Samsung Electronics)成功將2GB DDR3模塊價格拉升至19美元，成為這次拉升合約價主要推手，次要因素則是近期傳出海力士(Hynix)和爾必達(Elpida)40納
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DRAM價格終升破1美元關(guān)卡
2010年底以來，跌落到1美元以下的DRAM價格，終恢復到1美元線上。DRAM代表性產(chǎn)品DDR3 1Gb 128Mx8 1066MHz，在2010年5月寫下2.72美元最高紀錄后，9月后半跌至2美元、12月后半跌破1美元等，價格急速下滑，進入2011年后
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半導體硅晶圓庫存六月將見底
受到日本地震影響，半導體硅晶圓供應缺口將逐漸在六月份半導體業(yè)者庫存見底之際，產(chǎn)生明顯的缺料危機，再加上日本擬關(guān)閉核電廠，接下來的電力短缺恐將進一步影響上游硅晶圓的供料吃緊。據(jù)半導體業(yè)者表示，以往在每季
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半導體硅晶圓庫存六月將見底，3Q價格預期大漲
受到日本地震影響，半導體硅晶圓供應缺口將逐漸在六月份半導體業(yè)者庫存見底之際，產(chǎn)生明顯的缺料危機，再加上日本擬關(guān)閉核電廠，接下來的電力短缺恐將進一步影響上游硅晶圓的供料吃緊。據(jù)半導體業(yè)者表示，以往在每季
