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世界先進(jìn)傳出價(jià)100億　競(jìng)逐茂德中科12吋廠

連于慧／臺(tái)北茂德申請(qǐng)負(fù)債降息暫化解當(dāng)前財(cái)務(wù)危機(jī)后，引進(jìn)新資金成為當(dāng)務(wù)之急，業(yè)界已傳出多組人馬正評(píng)估有條件投資茂德，或?qū)ζ煜轮锌?2吋晶圓廠有興趣，近期已有第1個(gè)出價(jià)者浮現(xiàn)，記憶體業(yè)界傳出世界先進(jìn)出價(jià)新臺(tái)

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2011-07-04

驅(qū)動(dòng)IC 臺(tái)積電晶圓代工 DRAM
IBM儲(chǔ)存技術(shù)新突破新PCM芯片容量翻倍

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，IBM研究員研發(fā)出儲(chǔ)存新技術(shù)，可更可靠地長(zhǎng)時(shí)間在服務(wù)器上儲(chǔ)存數(shù)據(jù)。此技術(shù)稱為相變存儲(chǔ)器(phase-change memory)，簡(jiǎn)稱PCM存儲(chǔ)，可取代快閃記憶體，快閃記憶體在移動(dòng)設(shè)備使用程度相當(dāng)頻繁，

單片機(jī)
2011-07-04

IBM CHANGE PCM芯片 DRAM
2011通訊IC與DRAM境遇兩重天

2011年半導(dǎo)體商營(yíng)收成長(zhǎng)將呈現(xiàn)兩極化局面。根據(jù)ICInsights最新研究預(yù)估，2011年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)產(chǎn)值成長(zhǎng)率僅達(dá)2%，但受惠今年智慧型手機(jī)和平板等行動(dòng)裝置熱銷，高通(Qualcomm)、英特爾(Intel)和輝達(dá)(NVIDIA)營(yíng)收仍可擁

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2011-07-04

通訊東芝 IC DRAM
美光RLDRAM 3　打入阿爾卡特朗訊供應(yīng)鏈

美系存儲(chǔ)器大廠美光(Micron) 5月底才宣布，第3代低延遲RLDRAM 3(Reduced Latency DRAM)已開始送樣，預(yù)計(jì)2011年下半可進(jìn)入量產(chǎn)，日前正式宣布打入阿爾卡特朗訊下世代網(wǎng)通產(chǎn)品供應(yīng)鏈，阿爾卡特朗訊將藉由美光第3代低延

消費(fèi)電子
2011-07-01

供應(yīng)鏈朗訊阿爾卡特 DRAM
美光RLDRAM 3　打入阿爾卡特朗訊供應(yīng)鏈

美系存儲(chǔ)器大廠美光(Micron)5月底才宣布，第3代低延遲RLDRAM3(ReducedLatencyDRAM)已開始送樣，預(yù)計(jì)2011年下半可進(jìn)入量產(chǎn)，日前正式宣布打入阿爾卡特朗訊下世代網(wǎng)通產(chǎn)品供應(yīng)鏈，阿爾卡特朗訊將藉由美光第3代低延遲RL

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2011-07-01

供應(yīng)鏈朗訊阿爾卡特 DRAM
未來三年DDR3仍將是主流DRAM技術(shù)

DDR3的市場(chǎng)份額穩(wěn)定在85-90%，2011年以及至少未來三年仍將是DRAM市場(chǎng)的主流技術(shù)，隨后才會(huì)逐漸讓位給速度更快的下一代技術(shù)。 2011 年DRAM模組出貨量將達(dá)8.08億個(gè)左右，預(yù)計(jì)DDR3將占89%，高于去年的67%和2009年的24

消費(fèi)電子
2011-06-30

內(nèi)存 PC DDR3 DRAM
未來三年DDR3仍將是主流DRAM技術(shù)

據(jù)IHSiSuppli公司的研究，DDR3的市場(chǎng)份額穩(wěn)定在85-90%，2011年以及至少未來三年仍將是DRAM市場(chǎng)的主流技術(shù)，隨后才會(huì)逐漸讓位給速度更快的下一代技術(shù)。2011年DRAM模組出貨量將達(dá)8.08億個(gè)左右，預(yù)計(jì)DDR3將占89%，高于去

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2011-06-30

內(nèi)存 PC DDR3 DRAM
華東科技

李洵穎從目前的接單能見度來看，華東科技第3季跟第2季差不多，預(yù)估僅較第2季小幅成長(zhǎng)3~5%，成長(zhǎng)力道沒有想像中好。至于第4季還不明朗，不過仍有機(jī)會(huì)逐季成長(zhǎng)。整體而言，下半年的營(yíng)收將較比上半年呈現(xiàn)個(gè)位數(shù)成長(zhǎng)。

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2011-06-30

封裝測(cè)試機(jī) MOBILE DRAM
爾必達(dá)宣布開始銷售采用TSV技術(shù)制作的DDR3 DRAM樣品芯片

日本爾必達(dá)公司27日宣布已經(jīng)開始銷售采用穿硅互連技術(shù)（TSV）制作的DDR3SDRAM三維堆疊芯片的樣品。這款樣品的內(nèi)部由四塊2Gb密度DDR3SDRAM芯片通過TSV三維堆疊技術(shù)封裝為一塊8Gb密度DDR3SDRAM芯片（相當(dāng)1GB容量），該

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2011-06-29

芯片爾必達(dá) DDR3 DRAM
爾必達(dá)宣布開始銷售DDR3 DRAM樣品芯片

日本爾必達(dá)公司27日宣布已經(jīng)開始銷售采用穿硅互連技術(shù)(TSV)制作的DDR3 SDRAM三維堆疊芯片的樣品。這款樣品的內(nèi)部由四塊2Gb密度DDR3 SDRAM芯片通過TSV三維堆疊技術(shù)封裝為一塊8Gb密度DDR3 SDRAM芯片(相當(dāng)1GB容量)，該三

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2011-06-29

芯片爾必達(dá) DDR3 DRAM
臺(tái)勝科：12寸硅晶圓 Q3漲1~2成

臺(tái)塑集團(tuán)旗下矽晶圓廠臺(tái)勝科（3532）昨（27）日舉行股東常會(huì)，通過0.4元現(xiàn)金股息，董事長(zhǎng)李志村表示，雖然下半年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)前景出現(xiàn)疑慮，但日本強(qiáng)震后半導(dǎo)體矽晶圓供給缺口仍然存在。臺(tái)勝科已完成與客戶議價(jià)，預(yù)估第

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2011-06-29

晶圓廠硅晶圓 EMC DRAM
日月光二度淡出DRAM封測(cè)

封測(cè)大廠日月光（2311）與DRAM廠力晶（5346）共同合資的DRAM封測(cè)廠日月鴻（3620），在將部分測(cè)試設(shè)備出售予力成（6239）后，未來可能并回日月光內(nèi)部，日月光也將再次淡出DRAM封測(cè)市場(chǎng)。日月光財(cái)務(wù)長(zhǎng)董宏思指出，日月

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2011-06-29

存儲(chǔ)器爾必達(dá) 測(cè)試設(shè)備 DRAM
DRAM廠將大砍封測(cè)代工價(jià)逾10%

由于計(jì)算機(jī)終端需求疲弱不振，加上OEM廠手中DRAM庫(kù)存水位高達(dá)4~5周，不僅6月下旬合約價(jià)續(xù)跌5.5％，7月價(jià)格可能持續(xù)下探。雖國(guó)內(nèi)外DRAM廠已將制程轉(zhuǎn)進(jìn)40納米，但現(xiàn)在價(jià)格已經(jīng)無法賺錢，第3季虧損恐將持續(xù)擴(kuò)大，為了降

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2011-06-29

計(jì)算機(jī) 40納米 OEM DRAM
下半年NAND閃存價(jià)格將大體呈現(xiàn)下跌走勢(shì)

根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究機(jī)DRAMeXchange調(diào)查，自5月起，記憶卡、隨身碟(UFD)及多數(shù)的NAND Flash應(yīng)用產(chǎn)品都已進(jìn)入傳統(tǒng)的淡季，故目前多數(shù)下游客戶的采購(gòu)需求已轉(zhuǎn)趨疲弱，且先前因擔(dān)憂日本大地震可能帶來的供

智能硬件
2011-06-28

Flash 硅晶圓 NAND閃存 DRAM
臺(tái)勝科3Q矽晶圓再漲10~20%　漲幅恐成強(qiáng)弩之末

連于慧／臺(tái)北矽晶圓供應(yīng)商臺(tái)勝科27日指出，第3季半導(dǎo)體矽晶圓價(jià)格已談完，預(yù)計(jì)將較第2季上漲10~20%，雖然2011年半導(dǎo)體成長(zhǎng)力道趨緩，且第3季展望保守，但因?yàn)橹笆艿饺毡?11地震影響，客戶庫(kù)存仍短少約1個(gè)月，加上

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2011-06-28

晶圓終端晶圓代工 DRAM
瑞銀證：半導(dǎo)體設(shè)備訂單Q2季減54%，臺(tái)積電資本支出恐下修

瑞銀證券昨天出具半導(dǎo)體研究報(bào)告指出，距離第二季結(jié)束僅剩1周，根據(jù)分析顯示，臺(tái)灣九家主要半導(dǎo)體客戶第二季以來半導(dǎo)體設(shè)備訂單僅8.34億美元，明顯低于第一季設(shè)備總采購(gòu)金額的19.5億美元，假設(shè)本周維持一樣的速度，預(yù)

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2011-06-28

聯(lián)電半導(dǎo)體設(shè)備臺(tái)積電 DRAM
爾必達(dá)開發(fā)出全球最薄的DRAM 4塊疊加僅0.8毫米

日本半導(dǎo)體巨頭爾必達(dá)及其子公司秋田爾必達(dá)22日宣布，已開發(fā)出全球最薄的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM），4塊疊加厚度僅為0.8毫米。超薄DRAM將有助于減少智能手機(jī)等移動(dòng)設(shè)備的厚度，增大其容量。制造成本則和目前厚度1毫米的

智能硬件
2011-06-28

半導(dǎo)體爾必達(dá) BSP DRAM
平板電腦的狂熱潮遇冷，賣場(chǎng)門面陸續(xù)出現(xiàn)倒閉

宏基15日意外宣布將今年平板電腦的出貨量下調(diào)一半，猶如一顆重磅炸彈丟入存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)，一時(shí)間內(nèi)存產(chǎn)業(yè)風(fēng)聲鶴唳，當(dāng)日臺(tái)灣地區(qū)閃存價(jià)格即遭遇重挫。2010年9月，遭受市場(chǎng)的過度炒作以及消費(fèi)者追捧的平板電腦開始火熱，平板

智能硬件
2011-06-27

內(nèi)存平板電腦 MOBILE DRAM
日月鴻退出記憶體封測(cè)市場(chǎng)，力成將全面接收

力晶(5346)宣布退出標(biāo)準(zhǔn)型記憶體市場(chǎng)，轉(zhuǎn)為爾必達(dá)(916665)代工生產(chǎn)，也這代表著，當(dāng)初力晶與日月光(2311)合資的封測(cè)廠日月鴻(3620)也將被迫跟著退出。據(jù)日月鴻最新公告，已出售部分機(jī)器設(shè)備予力成(6239)，以減少未來

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2011-06-24

爾必達(dá) IC DRAM
2011年和近期內(nèi)，DDR3仍將是主流DRAM技術(shù)

據(jù)IHS iSuppli公司的研究，DDR3的市場(chǎng)份額穩(wěn)定在85-90%，2011年以及至少未來三年仍將是DRAM市場(chǎng)的主流技術(shù)，隨后才會(huì)逐漸讓位給速度更快的下一代技術(shù)。2011年DRAM模組出貨量將達(dá)8.08億個(gè)左右，預(yù)計(jì)DDR3將占89%，高于

智能硬件
2011-06-23

內(nèi)存 PC DDR3 DRAM

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DRAM

世界先進(jìn)傳出價(jià)100億　競(jìng)逐茂德中科12吋廠

IBM儲(chǔ)存技術(shù)新突破新PCM芯片容量翻倍

2011通訊IC與DRAM境遇兩重天

美光RLDRAM 3　打入阿爾卡特朗訊供應(yīng)鏈

美光RLDRAM 3　打入阿爾卡特朗訊供應(yīng)鏈

未來三年DDR3仍將是主流DRAM技術(shù)

未來三年DDR3仍將是主流DRAM技術(shù)

華東科技

爾必達(dá)宣布開始銷售采用TSV技術(shù)制作的DDR3 DRAM樣品芯片

爾必達(dá)宣布開始銷售DDR3 DRAM樣品芯片

臺(tái)勝科：12寸硅晶圓 Q3漲1~2成

日月光二度淡出DRAM封測(cè)

DRAM廠將大砍封測(cè)代工價(jià)逾10%

下半年NAND閃存價(jià)格將大體呈現(xiàn)下跌走勢(shì)

臺(tái)勝科3Q矽晶圓再漲10~20%　漲幅恐成強(qiáng)弩之末

瑞銀證：半導(dǎo)體設(shè)備訂單Q2季減54%，臺(tái)積電資本支出恐下修

爾必達(dá)開發(fā)出全球最薄的DRAM 4塊疊加僅0.8毫米

平板電腦的狂熱潮遇冷，賣場(chǎng)門面陸續(xù)出現(xiàn)倒閉

日月鴻退出記憶體封測(cè)市場(chǎng)，力成將全面接收

2011年和近期內(nèi)，DDR3仍將是主流DRAM技術(shù)

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