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韓半導(dǎo)體業(yè)均認(rèn)為下半年存儲(chǔ)器芯片市況不明

南韓三星電子(SamsungElectronics)DS(DeviceSolution)事業(yè)總括部門社長權(quán)五鉉，及海力士(Hynix)社長權(quán)五哲等南韓半導(dǎo)體業(yè)界大老近期均異口同聲表示，2011年下半內(nèi)存芯片市況將不透明。權(quán)五鉉表示，一般來說，下半年內(nèi)

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2011-07-07

存儲(chǔ)器芯片 DRAM 內(nèi)存芯片
韓半導(dǎo)體業(yè)大老齊聲：下半年存儲(chǔ)器芯片市況不明

韓國三星電子(SamsungElectronics)DS(DeviceSolution)事業(yè)總括部門社長權(quán)五鉉，及海力士(Hynix)社長權(quán)五哲等韓國半導(dǎo)體業(yè)界大老近期均異口同聲表示，2011年下半存儲(chǔ)器芯片市況將不透明。權(quán)五鉉表示，一般來說，下半年

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2011-07-06

海力士存儲(chǔ)器芯片 DRAM
IBM儲(chǔ)存技術(shù)新突破新PCM芯片容量翻倍

據(jù)國外媒體報(bào)道，IBM研究員研發(fā)出儲(chǔ)存新技術(shù)，可更可靠地長時(shí)間在服務(wù)器上儲(chǔ)存數(shù)據(jù)。此技術(shù)稱為相變存儲(chǔ)器(phase-change memory)，簡(jiǎn)稱PCM存儲(chǔ)，可取代快閃記憶體，快閃記憶體在移動(dòng)設(shè)備使用程度相當(dāng)頻繁，但在高端企

智能硬件
2011-07-05

IBM BSP PCM芯片 DRAM
瑞晶成為30納米制程轉(zhuǎn)換最快的臺(tái)灣DRAM廠

瑞晶董事會(huì)日前通過30納米制程轉(zhuǎn)換資本支出18.15億元決議案，并沖刺單月產(chǎn)能到年底達(dá)到8.8萬片，成為邁向30納米制程進(jìn)展最快的臺(tái)系DRAM廠。此外，董事會(huì)也通過，向臺(tái)灣歐力士公司申請(qǐng)機(jī)器設(shè)備售后租回融資約10億元，

消費(fèi)電子
2011-07-04

半導(dǎo)體爾必達(dá) ASML DRAM
IBM儲(chǔ)存技術(shù)新突破新PCM芯片容量翻倍

IBM研究員研發(fā)出儲(chǔ)存新技術(shù)，可更可靠地長時(shí)間在服務(wù)器上儲(chǔ)存數(shù)據(jù)。此技術(shù)稱為相變存儲(chǔ)器(phase-change memory)，簡(jiǎn)稱PCM存儲(chǔ)，可取代快閃記憶體，快閃記憶體在移動(dòng)設(shè)備使用程度相當(dāng)頻繁，但在高端企業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施等卻有

消費(fèi)電子
2011-07-04

IBM CHANGE PCM芯片 DRAM
瑞晶成30納米制程轉(zhuǎn)換最快的臺(tái)灣DRAM廠

瑞晶董事會(huì)日前通過30納米制程轉(zhuǎn)換資本支出18.15億元決議案，并沖刺單月產(chǎn)能到年底達(dá)到8.8萬片，成為邁向30納米制程進(jìn)展最快的臺(tái)系DRAM廠。此外，董事會(huì)也通過，向臺(tái)灣歐力士公司申請(qǐng)機(jī)器設(shè)備售后租回融資約10億元，

智能硬件
2011-07-04

爾必達(dá) ASML BSP DRAM
茂德產(chǎn)能

連于慧茂德原本有2座12吋晶圓廠，竹科12吋晶圓廠在2010年賣給旺宏，轉(zhuǎn)而生產(chǎn)ROM和NOR Flash產(chǎn)品線；原本大陸還有一座渝德8吋廠，日前也宣布賣給中國航天，目前旗下僅剩中科12吋晶圓廠。此座12吋晶圓廠經(jīng)歷20

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2011-07-04

Flash 晶圓廠微米 DRAM
世界先進(jìn)傳出價(jià)100億　競(jìng)逐茂德中科12吋廠

連于慧／臺(tái)北茂德申請(qǐng)負(fù)債降息暫化解當(dāng)前財(cái)務(wù)危機(jī)后，引進(jìn)新資金成為當(dāng)務(wù)之急，業(yè)界已傳出多組人馬正評(píng)估有條件投資茂德，或?qū)ζ煜轮锌?2吋晶圓廠有興趣，近期已有第1個(gè)出價(jià)者浮現(xiàn)，記憶體業(yè)界傳出世界先進(jìn)出價(jià)新臺(tái)

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2011-07-04

晶圓代工臺(tái)積電驅(qū)動(dòng)IC DRAM
IBM儲(chǔ)存技術(shù)新突破新PCM芯片容量翻倍

據(jù)國外媒體報(bào)道，IBM研究員研發(fā)出儲(chǔ)存新技術(shù)，可更可靠地長時(shí)間在服務(wù)器上儲(chǔ)存數(shù)據(jù)。此技術(shù)稱為相變存儲(chǔ)器(phase-change memory)，簡(jiǎn)稱PCM存儲(chǔ)，可取代快閃記憶體，快閃記憶體在移動(dòng)設(shè)備使用程度相當(dāng)頻繁，

單片機(jī)
2011-07-04

IBM CHANGE PCM芯片 DRAM
2011通訊IC與DRAM境遇兩重天

2011年半導(dǎo)體商營收成長將呈現(xiàn)兩極化局面。根據(jù)ICInsights最新研究預(yù)估，2011年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)產(chǎn)值成長率僅達(dá)2%，但受惠今年智慧型手機(jī)和平板等行動(dòng)裝置熱銷，高通(Qualcomm)、英特爾(Intel)和輝達(dá)(NVIDIA)營收仍可擁

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2011-07-04

通訊東芝 IC DRAM
美光RLDRAM 3　打入阿爾卡特朗訊供應(yīng)鏈

美系存儲(chǔ)器大廠美光(Micron) 5月底才宣布，第3代低延遲RLDRAM 3(Reduced Latency DRAM)已開始送樣，預(yù)計(jì)2011年下半可進(jìn)入量產(chǎn)，日前正式宣布打入阿爾卡特朗訊下世代網(wǎng)通產(chǎn)品供應(yīng)鏈，阿爾卡特朗訊將藉由美光第3代低延

消費(fèi)電子
2011-07-01

供應(yīng)鏈朗訊阿爾卡特 DRAM
美光RLDRAM 3　打入阿爾卡特朗訊供應(yīng)鏈

美系存儲(chǔ)器大廠美光(Micron)5月底才宣布，第3代低延遲RLDRAM3(ReducedLatencyDRAM)已開始送樣，預(yù)計(jì)2011年下半可進(jìn)入量產(chǎn)，日前正式宣布打入阿爾卡特朗訊下世代網(wǎng)通產(chǎn)品供應(yīng)鏈，阿爾卡特朗訊將藉由美光第3代低延遲RL

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2011-07-01

供應(yīng)鏈朗訊阿爾卡特 DRAM
未來三年DDR3仍將是主流DRAM技術(shù)

DDR3的市場(chǎng)份額穩(wěn)定在85-90%，2011年以及至少未來三年仍將是DRAM市場(chǎng)的主流技術(shù)，隨后才會(huì)逐漸讓位給速度更快的下一代技術(shù)。 2011 年DRAM模組出貨量將達(dá)8.08億個(gè)左右，預(yù)計(jì)DDR3將占89%，高于去年的67%和2009年的24

消費(fèi)電子
2011-06-30

內(nèi)存 PC DDR3 DRAM
未來三年DDR3仍將是主流DRAM技術(shù)

據(jù)IHSiSuppli公司的研究，DDR3的市場(chǎng)份額穩(wěn)定在85-90%，2011年以及至少未來三年仍將是DRAM市場(chǎng)的主流技術(shù)，隨后才會(huì)逐漸讓位給速度更快的下一代技術(shù)。2011年DRAM模組出貨量將達(dá)8.08億個(gè)左右，預(yù)計(jì)DDR3將占89%，高于去

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2011-06-30

內(nèi)存 PC DDR3 DRAM
華東科技

李洵穎從目前的接單能見度來看，華東科技第3季跟第2季差不多，預(yù)估僅較第2季小幅成長3~5%，成長力道沒有想像中好。至于第4季還不明朗，不過仍有機(jī)會(huì)逐季成長。整體而言，下半年的營收將較比上半年呈現(xiàn)個(gè)位數(shù)成長。

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2011-06-30

封裝測(cè)試機(jī) MOBILE DRAM
爾必達(dá)宣布開始銷售采用TSV技術(shù)制作的DDR3 DRAM樣品芯片

日本爾必達(dá)公司27日宣布已經(jīng)開始銷售采用穿硅互連技術(shù)（TSV）制作的DDR3SDRAM三維堆疊芯片的樣品。這款樣品的內(nèi)部由四塊2Gb密度DDR3SDRAM芯片通過TSV三維堆疊技術(shù)封裝為一塊8Gb密度DDR3SDRAM芯片（相當(dāng)1GB容量），該

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2011-06-29

芯片爾必達(dá) DDR3 DRAM
爾必達(dá)宣布開始銷售DDR3 DRAM樣品芯片

日本爾必達(dá)公司27日宣布已經(jīng)開始銷售采用穿硅互連技術(shù)(TSV)制作的DDR3 SDRAM三維堆疊芯片的樣品。這款樣品的內(nèi)部由四塊2Gb密度DDR3 SDRAM芯片通過TSV三維堆疊技術(shù)封裝為一塊8Gb密度DDR3 SDRAM芯片(相當(dāng)1GB容量)，該三

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2011-06-29

芯片爾必達(dá) DDR3 DRAM
臺(tái)勝科：12寸硅晶圓 Q3漲1~2成

臺(tái)塑集團(tuán)旗下矽晶圓廠臺(tái)勝科（3532）昨（27）日舉行股東常會(huì)，通過0.4元現(xiàn)金股息，董事長李志村表示，雖然下半年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)前景出現(xiàn)疑慮，但日本強(qiáng)震后半導(dǎo)體矽晶圓供給缺口仍然存在。臺(tái)勝科已完成與客戶議價(jià)，預(yù)估第

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2011-06-29

晶圓廠硅晶圓 EMC DRAM
日月光二度淡出DRAM封測(cè)

封測(cè)大廠日月光（2311）與DRAM廠力晶（5346）共同合資的DRAM封測(cè)廠日月鴻（3620），在將部分測(cè)試設(shè)備出售予力成（6239）后，未來可能并回日月光內(nèi)部，日月光也將再次淡出DRAM封測(cè)市場(chǎng)。日月光財(cái)務(wù)長董宏思指出，日月

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2011-06-29

存儲(chǔ)器爾必達(dá) 測(cè)試設(shè)備 DRAM
DRAM廠將大砍封測(cè)代工價(jià)逾10%

由于計(jì)算機(jī)終端需求疲弱不振，加上OEM廠手中DRAM庫存水位高達(dá)4~5周，不僅6月下旬合約價(jià)續(xù)跌5.5％，7月價(jià)格可能持續(xù)下探。雖國內(nèi)外DRAM廠已將制程轉(zhuǎn)進(jìn)40納米，但現(xiàn)在價(jià)格已經(jīng)無法賺錢，第3季虧損恐將持續(xù)擴(kuò)大，為了降

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2011-06-29

計(jì)算機(jī) 40納米 OEM DRAM

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DRAM

韓半導(dǎo)體業(yè)均認(rèn)為下半年存儲(chǔ)器芯片市況不明

韓半導(dǎo)體業(yè)大老齊聲：下半年存儲(chǔ)器芯片市況不明

IBM儲(chǔ)存技術(shù)新突破新PCM芯片容量翻倍

瑞晶成為30納米制程轉(zhuǎn)換最快的臺(tái)灣DRAM廠

IBM儲(chǔ)存技術(shù)新突破新PCM芯片容量翻倍

瑞晶成30納米制程轉(zhuǎn)換最快的臺(tái)灣DRAM廠

茂德產(chǎn)能

世界先進(jìn)傳出價(jià)100億　競(jìng)逐茂德中科12吋廠

IBM儲(chǔ)存技術(shù)新突破新PCM芯片容量翻倍

2011通訊IC與DRAM境遇兩重天

美光RLDRAM 3　打入阿爾卡特朗訊供應(yīng)鏈

美光RLDRAM 3　打入阿爾卡特朗訊供應(yīng)鏈

未來三年DDR3仍將是主流DRAM技術(shù)

未來三年DDR3仍將是主流DRAM技術(shù)

華東科技

爾必達(dá)宣布開始銷售采用TSV技術(shù)制作的DDR3 DRAM樣品芯片

爾必達(dá)宣布開始銷售DDR3 DRAM樣品芯片

臺(tái)勝科：12寸硅晶圓 Q3漲1~2成

日月光二度淡出DRAM封測(cè)

DRAM廠將大砍封測(cè)代工價(jià)逾10%

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