GAN

關(guān)注人關(guān)注

我要報(bào)錯(cuò)

GaN 功率器件，E-模式 HEMT技術(shù)選擇介紹和發(fā)展情況

最流行的 e-mode HEMT 結(jié)構(gòu)是在柵極上使用 p-GaN 層。實(shí)現(xiàn)的典型 Vt 在 1-2 V 范圍內(nèi)。HEMT 在開關(guān)應(yīng)用中的固有優(yōu)勢(shì)得以保留，并且開關(guān)損耗可以更低。e-mode 器件的主要缺點(diǎn)之一是其低 Vt，這可能導(dǎo)致柵極對(duì)噪聲和 dV/dt 瞬態(tài)的抗擾度較差。出于可靠性原因，最大柵極電壓通常限制為 6-7 V，并且可能需要負(fù)電壓來(lái)關(guān)閉器件。

功率器件
2022-11-30

GaN 功率器件
高清晰小尺寸，日本開發(fā)最小的硅襯底GaN激光芯片

據(jù)業(yè)內(nèi)消息，近日日本京都京瓷公司開發(fā)了一種新的薄膜工藝技術(shù)，用于制造基于GaN的微光源(即邊長(zhǎng)

通信先鋒
2022-11-28

激光芯片 GaN
如何應(yīng)對(duì)電氣設(shè)備熱管理的幾個(gè)方面考量

應(yīng)對(duì)電氣設(shè)備溫度，第一個(gè)考量就是加強(qiáng)散熱。首先要采取的預(yù)防措施是采用并實(shí)施一種策略來(lái)分散電氣和電子電路的熱量。散熱器的傳熱效率與散熱器與周圍空間之間的熱阻有關(guān)。它測(cè)量材料散熱的能力。具有大表面積和良好空氣流通(氣流)的散熱器，提供最佳散熱。為此，必須安裝合適的散熱器，與相關(guān)方直接接觸。

功率器件
2022-11-12

散熱熱管理 GaN
亞虹醫(yī)藥APL-1401治療中度至重度活動(dòng)性潰瘍性結(jié)腸炎的新藥臨床研究申請(qǐng)獲美國(guó)FDA許可

上海2022年11月10日 /美通社/ -- 全球化創(chuàng)新藥公司亞虹醫(yī)藥（股票代碼：688176.SH）今日宣布，其口服藥APL-1401治療中度至重度活動(dòng)性潰瘍性結(jié)腸炎的新藥臨床研究申請(qǐng)（IND）獲美國(guó)食品藥品監(jiān)督管理局（FDA）許可。公司將盡快在美國(guó)啟動(dòng)臨床入組，并于近期向中國(guó)...

產(chǎn)業(yè)動(dòng)態(tài)
2022-11-11

GAN FDA UPDATE
美國(guó)封鎖，中國(guó)破冰！建廠/6英寸GaN...國(guó)內(nèi)捷報(bào)不斷

眾所周知，從今年8月開始的《芯片與科學(xué)法案》，再到10月的出口管制措施，美國(guó)試圖不斷通過(guò)各種措施來(lái)限制我國(guó)半導(dǎo)體領(lǐng)域獲得先進(jìn)技術(shù)。也正是因?yàn)槊绹?guó)的封鎖讓行業(yè)產(chǎn)生了危機(jī)感，我國(guó)的半導(dǎo)體也在積極尋求破冰崛起。

通信先鋒
2022-11-11

美國(guó) 中國(guó) 出口管制 6英寸芯片法案 GaN
PCIM 上各家公司的最新GaN 功率半導(dǎo)體產(chǎn)品

在PCIM Europe上，電力電子制造商展示了他們?cè)趯拵?(WBG) 技術(shù)方面的最新創(chuàng)新和進(jìn)步。硅功率器件制造商也實(shí)現(xiàn)了性能改進(jìn)。盡管硅在電力電子市場(chǎng)占據(jù)主導(dǎo)地位，但 WBG 半導(dǎo)體正在各種應(yīng)用中取得巨大進(jìn)展，包括數(shù)據(jù)中心、工業(yè)控制、汽車和電動(dòng)汽車。特別是氮化鎵 (GaN) 等 WBG 半導(dǎo)體在快速充電器設(shè)計(jì)方面取得了長(zhǎng)足進(jìn)步，而碳化硅 (SiC) 預(yù)計(jì)將在 800 伏 (V) 電動(dòng)汽車中出現(xiàn)巨大需求。

功率器件
2022-11-05

功率半導(dǎo)體 GaN
用于功率轉(zhuǎn)換的 GaN 技術(shù)第一部分，電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)介紹

從家用電器、筆記本電腦和數(shù)據(jù)中心到電動(dòng)汽車，電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)是每個(gè)電子設(shè)備的核心。在這個(gè)與 Wise-Integration 首席執(zhí)行官 Thierry Bouchet 的播客中，我們將發(fā)現(xiàn) GaN 在電源轉(zhuǎn)換解決方案中的優(yōu)勢(shì)。Wise-Integration 是 CEA-LETI 的衍生公司，是一家從臺(tái)積電開發(fā) GaN 集成解決方案的公司，以使電源小型化并提高能源效率。

功率器件
2022-11-04

功率轉(zhuǎn)換 GaN
用于功率轉(zhuǎn)換的 GaN 技術(shù)第二部分，GaN 技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)

下一代功率器件必須采用滿足性能、效率和價(jià)值要求的技術(shù)。正如您所提到的，GaN 已成為主要組件。然而，在評(píng)估 GaN 解決方案時(shí)，出現(xiàn)了一個(gè)問題，即什么是該應(yīng)用的最佳解決方案。例如，GaN-on-silicon 和 GaN-on-silicon-carbide 或 GaN-on-GaN。在這種情況下，我們談?wù)摰氖谴怪?GaN。GaN的默認(rèn)襯底是硅或-碳化硅，對(duì)于碳化硅，在射頻領(lǐng)域有很多應(yīng)用，如你所知。在 GaN-on-GaN 中，我發(fā)現(xiàn)與其他產(chǎn)品相比，碳化硅的導(dǎo)熱性比 GaN 高得多。你怎么看?技術(shù)在這方面的挑戰(zhàn)和方向是什么?

功率器件
2022-11-04

功率轉(zhuǎn)換 GaN
KYOCERA AVX和VisIC Technologies合作開發(fā)下一代電車應(yīng)用GaN技術(shù)

KYOCERA AVX和VisIC Technologies擴(kuò)大合作，開展下一代電動(dòng)汽車應(yīng)用GaN技術(shù)開發(fā) 耐斯茲敖那、以色列和薩爾茨堡和奧地利2022年10月27日 /美通社/ -- 結(jié)合KYOCERA AVX在分立和模塊封裝方面...

產(chǎn)業(yè)動(dòng)態(tài)
2022-10-27

GAN VI TECHNOLOGIES SIC
GaN 晶體管的性能測(cè)試，器件GS61008T

GaN晶體管是新功率應(yīng)用的理想選擇。它們具有小尺寸、非常高的運(yùn)行速度并且非常高效。它們可用于輕松構(gòu)建任何電力項(xiàng)目。在本教程中，我們將使用 GaN Systems 的 GaN GS61008T 進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。

功率器件
2022-10-23

性能測(cè)試 GaN
Dieter Liesabeths擔(dān)任VisIC Technologies公司高級(jí)副總裁

汽車應(yīng)用氮化鎵（GaN）解決方案公司VisIC Technologies LTD宣布： Dieter Liesabeths將加入公司，擔(dān)任產(chǎn)品高級(jí)副總裁。在過(guò)去的10年里，他在Wolfspeed GmbH擔(dān)任高級(jí)總監(jiān)，并建立了汽車部門。(能動(dòng)Nengdong)...

快訊
2022-10-20

GAN VI TECHNOLOGIES SIC
氮化鎵技術(shù)討論，第一部分

氮化鎵提高了功率轉(zhuǎn)換級(jí)的效率。GaN 很有吸引力，因?yàn)樗裙杈哂懈叩哪苄А⒏〉某叽?、更輕的重量和更便宜的總成本。在劍橋 GaN 器件業(yè)務(wù)開發(fā)副總裁 Andrea Bricconi 的討論中，我們將分析這個(gè)寬帶隙生態(tài)系統(tǒng)的最新技術(shù)，這些技術(shù)將推動(dòng)下一步的改進(jìn)。

功率器件
2022-10-09

GaN 功率器件
GaN 助力轉(zhuǎn)向 800V 牽引逆變器

在過(guò)去的幾年里，我們道路上的電動(dòng)汽車 (EV) 的數(shù)量顯著增加，給設(shè)計(jì)人員帶來(lái)了嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)，例如最大限度地提高 EV 效率、優(yōu)化充電基礎(chǔ)設(shè)施和縮短充電時(shí)間。

功率器件
2022-10-05

電動(dòng)汽車 (EV) GaN
GaN FET：發(fā)燒友的首選技術(shù)

從智能設(shè)備充電器等低功率、低成本應(yīng)用一直到高功率汽車應(yīng)用，氮化鎵 FET 正成為許多產(chǎn)品的廣泛首選。大多數(shù)情況下，設(shè)計(jì)人員對(duì) GaN 提供的更高的效率和功率密度印象深刻，這導(dǎo)致器件具有比硅同類產(chǎn)品更大的功率能力。然而，高端音頻放大器現(xiàn)在也越來(lái)越多地轉(zhuǎn)向 GaN 技術(shù)，因?yàn)?GaN FET 的平滑開關(guān)特性導(dǎo)致注入放大器的可聽噪聲更少。

功率器件
2022-09-28

GaN 功率器件
Nexperia最新發(fā)布的產(chǎn)品和Wise-integration 的GaN產(chǎn)品

Nexperia 是基本半導(dǎo)體領(lǐng)域的專家，最近宣布其最新產(chǎn)品添加到越來(lái)越多的分立器件中，該器件采用具有側(cè)面可濕性側(cè)面 (SWF) 的無(wú)引線 DFN 封裝。這些節(jié)省空間且堅(jiān)固耐用的組件有助于滿足智能和電動(dòng)汽車中下一代應(yīng)用的需求

功率器件
2022-09-21

Nexperia GaN
GANT襯衫先鋒承襲經(jīng)典，暨沈陽(yáng)K11全新門店正式啟幕

"襯"出新我，再續(xù)傳奇沈陽(yáng)2022年9月8日 /美通社/ -- 9月6日，GANT沈陽(yáng)K11全新門店正式啟幕。此次GANT以新店開幕為契機(jī)，回顧品牌標(biāo)志性襯衫單品的誕生與歷史，并演繹經(jīng)歷沉淀后的迭代蛻變，擁抱全新襯衫型格，"襯"出新我。...

產(chǎn)業(yè)動(dòng)態(tài)
2022-09-08

行業(yè)標(biāo)準(zhǔn) 進(jìn)程微信 GAN
電力電子課程：第 8 部分 - 功率元件碳化硅和GaN

基于硅 (Si) 的電力電子產(chǎn)品長(zhǎng)期以來(lái)一直主導(dǎo)著電力電子行業(yè)。由于其重要的優(yōu)勢(shì)，碳化硅(SiC)近年來(lái)在市場(chǎng)上獲得了很大的空間。隨著新材料的應(yīng)用，電子開關(guān)的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)電氣特性得到了顯著改善。

電源電路
2022-09-07

電力電子碳化硅 GaN
用于下一代射頻應(yīng)用的氮化鎵 (GaN) 概述

近二十年來(lái)，氮化鎵 (GaN) 半導(dǎo)體技術(shù)已被曝光，預(yù)示著射頻功率能力的范式轉(zhuǎn)變。盡管所有這些承諾尚未兌現(xiàn)，但 GaN 器件已穩(wěn)步進(jìn)入許多射頻、微波、毫米波 (mmWave)，甚至現(xiàn)在甚至是太赫茲波 (THz) 應(yīng)用。

功率器件
2022-09-07

射頻應(yīng)用 GaN
ROHM最新的GaN HEMT 提器件的高柵極耐壓

新 EcoGaN? 系列的第一個(gè)系列有助于降低數(shù)據(jù)中心和基站的功耗并實(shí)現(xiàn)更大的小型化 ROHM 150V GaN HEMT、GNE10xxTB 系列( GNE1040TB ) 將柵極耐壓(額定柵極-源極電壓)提高到業(yè)界領(lǐng)先的 8V - 非常適用于工業(yè)設(shè)備(如基站和數(shù)據(jù)中心以及物聯(lián)網(wǎng))的電源電路通訊設(shè)備。

功率器件
2022-09-01

ROHM GaN
一種新技術(shù)E-Mode GaN寬帶隙半導(dǎo)體討論，第五部分

我的最后一個(gè)問題是關(guān)于展望未來(lái)：您如何看待未來(lái)幾年的 GaN?與 GaN 競(jìng)爭(zhēng)的其他寬帶隙材料有哪些?所以，我提到了一些關(guān)于碳化硅的事情。因此，這些天來(lái)，我們也在談?wù)撾妱?dòng)汽車。那么，與其他解決方案相比，GaN 在哪些方面可以提供良好的價(jià)值?我們期望在哪里看到下一波增長(zhǎng)?

功率器件
2022-08-30

GaN 功率器件

首頁(yè) 上一頁(yè) 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 下一頁(yè) 尾頁(yè)

www.久久久久|狼友网站av天堂|精品国产无码a片|一级av色欲av|91在线播放视频|亚洲无码主播在线|国产精品草久在线|明星AV网站在线|污污内射久久一区|婷婷综合视频网站

GAN

GaN 功率器件，E-模式 HEMT技術(shù)選擇介紹和發(fā)展情況

高清晰小尺寸，日本開發(fā)最小的硅襯底GaN激光芯片

如何應(yīng)對(duì)電氣設(shè)備熱管理的幾個(gè)方面考量

亞虹醫(yī)藥APL-1401治療中度至重度活動(dòng)性潰瘍性結(jié)腸炎的新藥臨床研究申請(qǐng)獲美國(guó)FDA許可

美國(guó)封鎖，中國(guó)破冰！建廠/6英寸GaN...國(guó)內(nèi)捷報(bào)不斷

PCIM 上各家公司的最新GaN 功率半導(dǎo)體產(chǎn)品

用于功率轉(zhuǎn)換的 GaN 技術(shù)第一部分，電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)介紹

用于功率轉(zhuǎn)換的 GaN 技術(shù)第二部分，GaN 技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)

KYOCERA AVX和VisIC Technologies合作開發(fā)下一代電車應(yīng)用GaN技術(shù)

GaN 晶體管的性能測(cè)試，器件GS61008T

Dieter Liesabeths擔(dān)任VisIC Technologies公司高級(jí)副總裁

氮化鎵技術(shù)討論，第一部分

GaN 助力轉(zhuǎn)向 800V 牽引逆變器

GaN FET：發(fā)燒友的首選技術(shù)

Nexperia最新發(fā)布的產(chǎn)品和Wise-integration 的GaN產(chǎn)品

GANT襯衫先鋒承襲經(jīng)典，暨沈陽(yáng)K11全新門店正式啟幕

電力電子課程：第 8 部分 - 功率元件碳化硅和GaN

用于下一代射頻應(yīng)用的氮化鎵 (GaN) 概述

ROHM最新的GaN HEMT 提器件的高柵極耐壓

一種新技術(shù)E-Mode GaN寬帶隙半導(dǎo)體討論，第五部分

相關(guān)標(biāo)簽

關(guān)注此標(biāo)簽的用戶(人)

熱門活動(dòng)

課程視頻