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提高 GaN HEMT 功率器件的短路耐受時間
在工業(yè)電機驅動功率轉換中采用寬帶隙 (WBG) 功率器件可以顯著提高系統效率和功率密度，并提供其他優(yōu)勢，例如更少的可聽噪聲和更快的切換帶來的更精確的控制。在這些應用中，降低轉換損耗是實現凈零碳足跡以應對氣候變化的關鍵部分，因為電機驅動器占總用電量的 60%。在本文中，我們將討論氮化鎵 (GaN) HEMT 功率器件中的一個關鍵參數，即短路耐受時間 (SCWT)。
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GaN微型顯示器可以徹底改變神經外科手術
一種基于在 Qromis 的 QST 基板上生長的氮化鎵的新設備已被設計出來，旨在為神經外科醫(yī)生提供關鍵的術中數據，以改善決策。這種先進的薄膜將電極網格與發(fā)光二極管 (LED) 結合在一起，以在手術過程中實時顯示和跟蹤大腦活動。這對于確保安全切除腫瘤和癲癇組織等腦部缺陷非常重要。
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基于 GaN 的 PFC可以提高 HVAC 熱泵效率
許多國家/地區(qū)都普遍使用燃氣和燃油鍋爐以及熔爐來為住宅和商業(yè)室內空間提供空間和水加熱?？梢蕴娲@些基于化石燃料的系統的電熱泵被視為空間和水加熱應用中脫碳的關鍵要素。在本文中，我們將總結一個可用于為熱泵供電的功率校正因子 (PFC) 級參考設計示例。德州儀器 (TI) 的這個參考設計使用基于氮化鎵 (GaN) 的 PFC來提高功率轉換效率，并提供了一個如何使用寬帶隙 (WBG) 半導體的示例例如碳化硅(SiC)和GaN可以進一步激勵日常能源需求的電氣化。
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集成電路 p 柵極 GaN HEMT 中的柵極過壓穩(wěn)定性
功率轉換器中使用的氮化鎵 (GaN) 器件具有多種優(yōu)勢，包括更高的效率、功率密度和高頻開關。橫向 GaN 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 功率器件在此類應用中實現了強勁的市場增長。這種本質上為耗盡模式的器件的柵極驅動具有挑戰(zhàn)性，有許多解決方案可以將其轉變?yōu)榉€(wěn)健的增強模式操作。
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寬帶隙半導體組裝和測試解決方案
全球功率半導體市場包括分立元件、模塊和集成電路，服務于汽車、工業(yè)和消費電子領域。為了利用電氣化趨勢，Carsem 密切關注日益增長的電動汽車(EV) 和可再生能源產品領域。
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SiC功率器件生產規(guī)模效益擴大，英飛凌全球最大8英寸SiC晶圓廠正式進入生產營運
正在持續(xù)擴建的英飛凌居林工廠第三廠區(qū)已經獲得了總價值約 50 億歐元的設計訂單，并且收到了來自新老客戶約10億歐元的預付款。值得一提的是，這些設計訂單來自不同行業(yè)的客戶，包括汽車行業(yè)的六家整車廠以及可再生能源和工業(yè)領域的客戶。 隨著居林工廠第三廠區(qū)的正式運營投產，英飛凌正在持續(xù)擴大其在SiC生產制造領域的規(guī)模優(yōu)勢，提升產能效益，同時將寬禁帶功率器件帶入到一個更為廣闊且多元的應用版圖，助力行業(yè)向更高效、更可持續(xù)的未來邁進。
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英飛凌實現GaN技術突破——單片高壓CoolGaN BDS大幅簡化雙向開關設計GaN
受到低碳可持續(xù)發(fā)展和AI兩大需求方向推動，全球功率半導體市場正在飛速增長，預計到2026年將達到262億美元市場規(guī)模。傳統的硅基設備（包括整流器、晶閘管、雙極型晶體管、X-FET如MOSFET、JFET等、IGBT模塊及IPM）在某些應用中會有所增長，但在其他市場正逐步被寬帶隙（WBG）技術產品所取代。氮化鎵（GaN）預計會快速增長，目前主要應用在消費電子領域，但將逐步進入工業(yè)和汽車領域。碳化硅（SiC）則將繼續(xù)在高功率汽車和工業(yè)應用中保持增長并擴大滲透率。具體市場估值方面，到2026年，GaN HEMTs（高電子遷移率晶體管），包括分立器件和集成器件，市場規(guī)模約為10億美元；SiC MOSFETs和二極管，包括分立器件和模塊，市場規(guī)模約為30億美元。
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什么是氮化鎵充電器?如何選擇氮化鎵充電器?
氮化鎵基發(fā)光二極管，電子學術語，GaN 是一種寬帶隙化合物半導體材料，具有發(fā)射藍光、高溫、高頻、高壓、大功率和耐酸、耐堿、耐腐蝕等特點，是繼鍺、硅和砷化鎵之后最主要的半導體材料之一。
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GaN智能功率模塊（IPM），讓家電走向超靜音和能效新高度
在系統成本不增加的前提下，讓家電變得更加靜音和高效，是設計工程師們關注的重點。而GaN器件憑借著更高的開關頻率和更好的能效表現，開始逐漸進入家電設計者的視野。
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柵極驅動器及其關鍵作用
碳化硅和氮化鎵開關器件是電源電路中的主要元件。雖然這些器件在運行速度、高電壓、處理電流和低功耗等固有特性方面表現出更高的性能，但設計人員往往只關注這些器件，而經常忽略相關的驅動器。
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德州儀器推出先進的 GaN IPM，打造尺寸更小、能效更高的高壓電機
650V 智能電源模塊 (IPM)集成了德州儀器的氮化鎵 (GaN) 技術，助力家電和暖通空調（HVAC）系統逆變器達到99%以上效率。 得益于 IPM 的高集成度和高效率，省去了對外部散熱器的需求，工程師可以將解決方案尺寸...
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德州儀器推出先進的 GaN IPM，助力打造尺寸更小、能效更高的高壓電機
· 650V 智能電源模塊 (IPM)集成了德州儀器的氮化鎵 (GaN) 技術，助力家電和暖通空調（HVAC）系統逆變器達到99%以上效率。 · 得益于 IPM 的高集成度和高效率，省去了對外部散熱器的需求，工程師可以將解決方案尺寸縮減多達 55%。
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GaN， “鎵”馭全功率 ——高壓大功率應用，氮化鎵前景可期
功率半導體領域已有很多年未發(fā)生系統性技術變革，目前熱門的寬禁帶（WBG）功率器件已經開始占據自己所“擅長”的市場領域——氮化鎵（GaN）功率器件應用從快充起步已獲得顯著的商業(yè)化進展，EV的逆變器則率先采用了碳化硅（SiC）。
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低功耗 GaN 在常見交流直流電源拓撲中的優(yōu)勢
消費者希望日常攜帶的各種電子設備能夠配備便攜、快速和高效的充電器。隨著大多數電子產品轉向 USB Type-C? 充電器，越來越多的用戶希望可以使用緊湊型電源適配器為所有設備充電。
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CGD為電機控制帶來GaN優(yōu)勢
評估套件具有 Qorvo 的高性能無刷直流/永磁同步電機控制器/驅動器和 CGD 易于使用的 ICeGaN GaN 功率 IC 的性能
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英飛凌：穩(wěn)居全球功率和汽車半導體之首， 首次拿下全球汽車微控制器NO.1
英飛凌位列2023全球半導體供應商第九，穩(wěn)居全球功率和汽車半導體之首。2023年英飛凌汽車MCU銷售額較上年增長近44%，約占全球市場的29%，首次拿下全球汽車MCU市場份額第1。
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CGD為數據中心、逆變器等更多應用推出新款低熱阻GaN功率IC封裝
新封裝提供了更高的功率輸出、便于光學檢查、節(jié)省了系統成本，并提高了可靠性
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CGD與中國臺灣工業(yè)技術研究院簽署GaN電源開發(fā)諒解備忘錄
為電動汽車、電動工具、筆記本電腦和手機應用開發(fā)功率密度超過30 W/in3的140-240 W USB-PD適配器
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將功率密度卷出新高度，TI發(fā)布集成驅動GaN LMG21/3100和汽車級隔離DC/DC UCC33420-Q1
功率密度是電源設計的永恒話題，而隨著近年來各類創(chuàng)新應用對于功率等級的提高，要在同樣甚至更小的體積中達成同樣的供電需求，就勢必要把功率密度推向更高的緯度。而追求電源設計功率密度的提升，最根本的是要從器件層面入手。對于電源芯片而言，提升功率密度絕非易事。在提升的同時，就會面對著來自散熱、EMI等因素帶來的反制。功率密度的提升絕非提高電壓電流那么簡單，而是需要來自芯片前道的材料、工藝、電路設計和來自后道封裝的多方面配合。那么如何克服一系列的挑戰(zhàn)，將電源芯片的功率密度卷出新高度？TI于近日發(fā)布的100V GaN驅動芯片LMG21/3100和隔離DC/DC UCC33420-Q1，我們可以從中找到答案。
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新加坡芯片廠突然倒閉，員工解散！
業(yè)內消息，近日新加坡 RF GaN（射頻氮化鎵）芯片供應商 Gallium Semiconductor（加聯賽半導體）突然終止業(yè)務并解雇所有員工，包括位于荷蘭奈梅亨的研發(fā)中心。
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