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一種新技術(shù)E-Mode GaN寬帶隙半導體討論，第四部分
現(xiàn)在討論的一個主題是器件的熱管理方面，而寬帶隙半導體、氮化鎵，但不僅是碳化硅解決方案，承諾更高的工作溫度和更高的效率。如您所知，在將這些設(shè)備設(shè)計到系統(tǒng)中時，設(shè)計人員還需要考慮熱管理問題。那么，您的技術(shù)戰(zhàn)略是什么，您如何看待隨著功率密度的增加而對工藝和封裝技術(shù)的未來發(fā)展產(chǎn)生影響的熱管理需求?
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一種新技術(shù)E-Mode GaN寬帶隙半導體討論，第三部分
最新的GaN技術(shù)是把邏輯集成到 E-Mode GaN HEMT 中，因此，它可以以最少的工作量與驅(qū)動程序和控制器連接，并且還可以節(jié)省成本，因此不需要額外的組件。因此，我們的解決方案可以像 MOSFET 一樣被驅(qū)動。為什么E-Mode GaN HEMT選擇集成邏輯而不是 GaN 驅(qū)動器的原因是什么嗎?
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一種新技術(shù)E-Mode GaN寬帶隙半導體討論，第二部分
目前有幾個 GaN 器件概念。那么，大家能告訴我從設(shè)計的角度來看，哪些是主要的，哪些是我們的發(fā)展方向?，關(guān)于GaN的十件事，有沒有你更關(guān)注的點?
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用于電氣化的下一代 GaN發(fā)展，第二部分
在半導體外延材料制造過程中，會產(chǎn)生位錯，即材料中的缺陷。半導體中的缺陷越多，可以在晶片上生產(chǎn)的可用器件就越少，這會增加成本。此外，不良的材料界面會導致更高的器件通道電阻，從而導致更多的能量在運行過程中被浪費，從而降低芯片的能效。
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PFC 圖騰柱架構(gòu)和 GaN 相結(jié)合，實現(xiàn)高功率和高效率
開放計算項目 (OCP) 由 Facebook 發(fā)起，旨在通過在感興趣的公司之間公開共享數(shù)據(jù)中心解決方案和構(gòu)建模塊來減少超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心的 OPEX 和 CAPEX。Google 于 2016 年加入 OCP，Bel Power Solutions自 OCP 開始以來一直提供符合 OCP 的電源解決方案。
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大數(shù)據(jù)中心電源和能量使用的情況討論，第四部分
我與 Vicor 的產(chǎn)品營銷和技術(shù)資源公司副總裁 Robert Gendron 就他們的數(shù)據(jù)中心戰(zhàn)略進行了交談。我首先詢問了在他們的架構(gòu)中使用 GaN 的情況;Vicor 已與其他 FET 一起評估了該技術(shù)。
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Transphorm GaN 系統(tǒng)級電源轉(zhuǎn)換解決方案實現(xiàn)了新的性能
最近，我會見了 Transphorm 總裁兼聯(lián)合創(chuàng)始人 Primit Parikh。Parikh 強調(diào)，他們的 GaN on Silicon 解決方案是業(yè)內(nèi)唯一通過 JEDEC 認證的產(chǎn)品。
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用于 AC-DC 電源轉(zhuǎn)換的 GaN 評估板
Transphorm 發(fā)布了用于 AC/DC 轉(zhuǎn)換的 TDTTP4000W065AN 評估板。該板使用其 SuperGaN Gen IV GaN FET 技術(shù)將單相交流電轉(zhuǎn)換為高達 4 kW 的直流電，并采用傳統(tǒng)模擬控制的無橋圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC)。
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世界腦健康日：我國 "腦健康行動"啟動，把握"機會窗口期"
北京2022年7月23日 /美通社/ -- 為貫徹落實黨中央、國務院全面推進健康中國建設(shè)的戰(zhàn)略部署，進一步促進腦健康科學普及，積極預防認知障礙、腦血管病與抑郁癥等重大神經(jīng)和精神系統(tǒng)疾病，在國家衛(wèi)生健康委員會、健康中國行動推進委員會辦公室和中華醫(yī)學會的指導下，2022年7月22日&...
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涂鴉智能推出BornSmart主題活動，"燃爆"全球智能家居市場生態(tài)
加利福尼亞州圣克拉拉2022年7月18日 /美通社/ -- 眾所周知，優(yōu)質(zhì)的智能產(chǎn)品不僅能創(chuàng)造更高效的生活方式，同時也能夠帶來更舒適的生活體驗。 借助IoT技術(shù)，用戶可以在現(xiàn)實中體驗各種"天馬行空"的智慧家庭場景 -- 從辦公室開車回家時，可以遠程打開客廳空...
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適用于 CSP GaN FET 的簡單且高性能的熱管理解決方案
由于具有更好的品質(zhì)因數(shù)，氮化鎵等寬禁帶半導體提供比硅更高的功率密度，占用的芯片面積更小，因此需要更小尺寸的封裝。假設(shè)器件占用的面積是決定熱性能的主要因素，那么可以合理地假設(shè)較小的功率器件會導致較高的熱阻。3,4本文將展示芯片級封裝 (CSP) GaN FET 如何提供至少與硅 MOSFET 相同(如果不優(yōu)于)的熱性能。由于其卓越的電氣性能，GaN FET 的尺寸可以減小，從而在尊重溫度限制的同時提高功率密度。這種行為將通過 PCB 布局的詳細 3D 有限元模擬來展示，同時還提供實驗驗證以支持分析。
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汽車應用中的寬帶隙材料
電動汽車 (EV) 和混合動力電動汽車 (HEV) 正在尋找提高功率轉(zhuǎn)換效率的解決方案。 長期以來，大多數(shù)電子功率器件都是基于硅的，硅是一種可以在加工過程中幾乎不會產(chǎn)生任何缺陷的半導體。然而，硅的理論性能現(xiàn)在幾乎已經(jīng)完全實現(xiàn)，突出了這種材料的一些局限性，包括有限的電壓阻斷能力、有限的傳熱能力、有限的效率和不可忽略的傳導損耗。與硅相比，碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 等寬帶隙 (WBG) 半導體具有更出色的性能：更高的效率和開關(guān)頻率、更高的工作溫度和更高的工作電壓。
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從硅到 SiC 和 GaN MOSFET 技術(shù)的發(fā)展
本文追溯了電力電子的歷史，可追溯到硅MOSFET仍用于驅(qū)動強大的電子負載時。讓我們通過描述、應用和模擬重新發(fā)現(xiàn)硅的世界，了解電子世界是如何在短短幾年內(nèi)發(fā)生巨大變化的，因為新的 SiC 和 GaN MOSFET 的發(fā)現(xiàn)和開發(fā)。
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使用GaN 功率 IC 提供高性能、可靠的電機驅(qū)動器第2部分
硅和碳化硅中的 IGBT 和 MOSFET 以類似方式驅(qū)動。該器件在 10-20 V 的柵極驅(qū)動下開啟，通常關(guān)閉至 0 V 或負電壓以實現(xiàn)更高的功率水平。分立增強型 GaN 器件通常需要 5-7 V 的柵極驅(qū)動，并且可能還需要負電壓來關(guān)閉它們。如果沒有正確優(yōu)化，性能和可靠性都會受到影響。這是因為，雖然 GaN 是一種先進材料，但分立 GaN FET 確實有一個致命弱點：一個必須小心驅(qū)動的柵極節(jié)點。如果柵極上的電壓過低，則 FET 沒有完全導通，因此導通電阻和損耗都很高。如果電壓太高，可能會損壞柵極。
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使用GaN 功率 IC 提供高性能、可靠的電機驅(qū)動器第1部分
歐盟大約有 80 億臺電動機在使用，消耗了歐盟生產(chǎn)的近 50% 的電力。由于提高效率和減少碳足跡是政府和行業(yè)的主要目標，因此存在多項舉措來降低這些電機的耗電量。例如，許多家用電器能源標簽的全球標準通過降低能耗以及可聽和電氣噪聲等來影響電器的設(shè)計。另一個例子是歐洲引入了工業(yè)電機的效率等級，有效地切斷了低效率電機的市場。
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Kovol已成為140W GaN充電器市場的新玩家
深圳2022年6月27日 /美通社/ -- 去年，這家移動巨頭公司推出了重新設(shè)計的16英寸筆記本電腦，配備了各種各樣的端口、先進的連接功能和卓越的電池壽命，這些都需要一款140W電源適配器的支持。但眾所周知，這款16英寸筆記本電腦的原裝充電器只能為一個設(shè)備充電，這給那些想在商務旅...
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Kovol進入140W GaN充電器市場
（全球TMT2022年6月27日訊）Stiger Group（Anker、AOC和RAVPower的供應商）旗下的快充品牌Kovol將最新的Power Delivery 3.1應用到16英寸筆記本電腦設(shè)計的全新140W雙口壁式充電器中，讓其可以同時為兩個設(shè)備快速充電。通過采用最...
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如何使用 GaN 進行設(shè)計
最近可能遇到了“GaN”，它正在一些關(guān)鍵的功率轉(zhuǎn)換應用中取代硅 (Si)。在本博客系列“如何使用 GaN 進行設(shè)計”中，我將了解氮化鎵 (GaN) 與 Si 的不同之處，以及使用 GaN 創(chuàng)建電源設(shè)計時的關(guān)鍵考慮因素。
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GaN組件的單片集成提升了功率集成電路
本文分析了高性能肖特基勢壘二極管和 D 型 HEMT 在基于 p-GaN HEMT 的 200-V GaN-on-SOI 智能功率 IC 平臺上的成功協(xié)同集成。這些組件的添加使芯片設(shè)計具有擴展的功能和更高的性能，使單片集成 GaN 功率 IC 更進一步。這一成就為更小、更高效的DC/DC 轉(zhuǎn)換器和 PoL 轉(zhuǎn)換器 鋪平了道路。
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Imec 展示了肖特基二極管和耗盡型 HEMT 與 200 V GaN-IC 的成功單片集成
在 2021 年國際電子器件會議 (IEEE IEDM 2021) 上，世界領(lǐng)先的納米電子和數(shù)字技術(shù)研究和創(chuàng)新中心 imec 展示了高-性能肖特基勢壘二極管和耗盡型 HEMT 在基于 p-GaN HEMT 的 200 V GaN-on-SOI 智能功率集成電路 (IC) 平臺上開發(fā)，該平臺在 200 mm 襯底上開發(fā)。添加這些組件可以設(shè)計具有擴展功能的芯片并提高性能，從而使單片集成 GaN 功率 IC 更進一步。這一成就為更小、更高效的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器和負載點轉(zhuǎn)換器鋪平了道路。
