三款全新MasterGaN系列產(chǎn)品提供新的GaN配置，最高450 mΩ

點擊“意法半導(dǎo)體PDSA"，關(guān)注我們！MASTERGAN3、MASTERGAN4、以及MASTERGAN5器件現(xiàn)在已發(fā)貨至分銷商處，支持工程師創(chuàng)建新的應(yīng)用。MASTERGAN3的低側(cè)電阻為225mΩ，高側(cè)電阻為450mΩ。另一方面，MASTERGAN4的低側(cè)和高側(cè)電阻均為225m...

GaN FET 成為下一代工業(yè)電源的優(yōu)先選擇

傳統(tǒng)的電源主力——金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)——只有在犧牲效率、外形尺寸和散熱的情況下才能提高功率密度。

TI 推出全新 GaN 技術(shù)，攜手臺達打造高效能服務(wù)器電源供應(yīng)器

點擊上方藍字關(guān)注我們！德州儀器（TI）今宣布其氮化鎵（GaN）技術(shù)和?C2000?實時微控制器（MCU），輔以臺達（DeltaElectronics）長期耕耘之電力電子核心技術(shù)，為數(shù)據(jù)中心開發(fā)設(shè)計高效、高功率的企業(yè)用服務(wù)器電源供應(yīng)器（PSU）。與使用傳統(tǒng)架構(gòu)的企業(yè)服務(wù)器電源供應(yīng)器...

車載 GaN FET 可實現(xiàn) HEVEV 的高頻和穩(wěn)健性設(shè)計

為了解決消費者對電動汽車 (EV) 普及的里程、充電時間和價格等問題，世界各地的汽車制造商都在增加電池容量而不增加尺寸、重量或組件成本。我正在尋找一種加快速度的方法充電。

TI?推出全新?GaN?技術(shù)，攜手臺達打造高效能服務(wù)器電源供應(yīng)器

點擊上方藍字關(guān)注我們！德州儀器（TI）今宣布其氮化鎵（GaN）技術(shù)和?C2000?實時微控制器（MCU），輔以臺達（DeltaElectronics）長期耕耘之電力電子核心技術(shù)，為數(shù)據(jù)中心開發(fā)設(shè)計高效、高功率的企業(yè)用服務(wù)器電源供應(yīng)器（PSU）。與使用傳統(tǒng)架構(gòu)的企業(yè)服務(wù)器電源供應(yīng)器...

TI推出全新GaN技術(shù)，攜手臺達打造高效能服務(wù)器電源供應(yīng)器

TI領(lǐng)先的功率密度、全新架構(gòu)與高度集成幫助工程師解決企業(yè)服務(wù)器的設(shè)計難題，降低總所有成本北京2021年9月23日/美通社/--德州儀器（TI）（納斯達克代碼TXN）今宣布其氮化鎵（GaN）技術(shù)和C2000?實時微控制器（MCU），輔以臺達（DeltaElectronics）長期耕...

德州儀器推出全新GaN技術(shù)，攜手臺達打造高效能服務(wù)器電源供應(yīng)器

（全球TMT2021年9月23日訊）德州儀器（TI）宣布其氮化鎵（GaN）技術(shù)和 C2000™ 實時微控制器（MCU），輔以臺達（Delta Electronics）長期耕耘之

TI推出全新GaN技術(shù)，攜手臺達打造高效能服務(wù)器電源供應(yīng)器

TI領(lǐng)先的功率密度、全新架構(gòu)與高度集成幫助工程師解決企業(yè)服務(wù)器的設(shè)計難題，降低總所有成本

GaN 打破壁壘——射頻功率放大器變得更寬更高級

意法半導(dǎo)體單片 GaN 柵極驅(qū)動器加速工業(yè)和家庭自動化并提高靈活性和集成度

中國，2021年9月9日——意法半導(dǎo)體的 STDRIVEG600半橋柵極驅(qū)動器輸出電流大，高低邊輸出信號傳播延遲相同，都是45ns，能夠驅(qū)動 GaN 增強型 FET 高頻開關(guān)。

三款全新MasterGaN系列產(chǎn)品提供新的GaN配置，最高450?mΩ

點擊“意法半導(dǎo)體PDSA"，關(guān)注我們！MASTERGAN3、MASTERGAN4、以及MASTERGAN5器件現(xiàn)在已發(fā)貨至分銷商處，支持工程師創(chuàng)建新的應(yīng)用。MASTERGAN3的低側(cè)電阻為225mΩ，高側(cè)電阻為450mΩ。另一方面，MASTERGAN4的低側(cè)和高側(cè)電阻均為225m...

厚積薄發(fā)，ST和Exagan開啟GaN發(fā)展新篇章

??點擊上方?“?意法半導(dǎo)體PDSA”，關(guān)注我們????????氮化鎵(GaN)是???一種III-V族寬能隙化合物半導(dǎo)體材料，能隙為3.4eV，電子遷移率為1,700cm2/Vs，而硅的能隙和電子遷移率分別為1.1eV和1,400cm2/Vs。因此，GaN的固有性質(zhì)讓器件具有更...

宏光照明子公司認購VisIC，進入GaN相關(guān)產(chǎn)品的開發(fā)業(yè)務(wù)

8月24日，宏光照明發(fā)布公告稱，公司的全資附屬公司FastSemiHoldingLtd.已投資VisICTechnologiesLimited。根據(jù)購股協(xié)議，F(xiàn)astSemi同意認購VisIC1,749,961股股份，約占VisIC經(jīng)擴大已發(fā)行股本的21.86%，作價約25百萬美...

利用C2000? 實時MCU 提高GaN 數(shù)字電源設(shè)計實用性， TI 來幫您！

點擊上方藍字關(guān)注我們！與碳化硅(SiC)FET和硅基FET相比，氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管(FET)可顯著降低開關(guān)損耗和提高功率密度。這些特性對于數(shù)字電源轉(zhuǎn)換器等高開關(guān)頻率應(yīng)用大有裨益，可幫助減小磁性元件的尺寸。電力電子行業(yè)的設(shè)計人員需要采用新的技術(shù)和方法來提高GaN系統(tǒng)的性能...

PowiGaN讓消費電子小而強悍

PI的PowiGaN能夠提供更高的效率，幫助完成體積小/重量輕的產(chǎn)品設(shè)計，已批量應(yīng)用于眾多領(lǐng)域的產(chǎn)品，包括工業(yè)、消費、照明和商用等。

意法半導(dǎo)體發(fā)布高性能車規(guī)級GaN產(chǎn)品系列

服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)發(fā)布了STi2GaN系列智能集成氮化鎵(GaN)解決方案。

安世快訊 | Nexperia與聯(lián)合汽車電子有限公司就氮化鎵領(lǐng)域達成深度合作

近日，基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia宣布與國內(nèi)汽車行業(yè)主要供應(yīng)商聯(lián)合汽車電子有限公司(簡稱UAES)在功率半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)領(lǐng)域展開深度合作，旨在滿足未來對新能源汽車電源系統(tǒng)不斷提升的技術(shù)需求，并共同致力于推動GaN工藝技術(shù)在中國汽車市場的研發(fā)和應(yīng)用。

科銳推出多款碳化硅基氮化鎵器件，助力大型雷達加速發(fā)展

Wolfspeed CMPA901A020S、Wolfspeed CMPA9396025S、Wolfspeed CMPA801B030 系列均為GaN MMIC器件，具備小型化、高效率等優(yōu)勢。

ST亮相2021慕尼黑上海電子展：GaN提升電源能效，Teseo提升駕駛效率

ST參加了于2021年4月14-16日舉辦的2021慕尼黑上海電子展。

迎接氮化鎵的新浪潮

ST在接受EE-Times采訪時強調(diào)了這個新平臺如何通過提供更輕的方案，3倍充電時間以及80%的系統(tǒng)體積縮小。