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CGD為電機(jī)控制帶來(lái)GaN優(yōu)勢(shì)
評(píng)估套件具有 Qorvo 的高性能無(wú)刷直流/永磁同步電機(jī)控制器/驅(qū)動(dòng)器和 CGD 易于使用的 ICeGaN GaN 功率 IC 的性能
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英飛凌：穩(wěn)居全球功率和汽車半導(dǎo)體之首， 首次拿下全球汽車微控制器NO.1
英飛凌位列2023全球半導(dǎo)體供應(yīng)商第九，穩(wěn)居全球功率和汽車半導(dǎo)體之首。2023年英飛凌汽車MCU銷售額較上年增長(zhǎng)近44%，約占全球市場(chǎng)的29%，首次拿下全球汽車MCU市場(chǎng)份額第1。
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CGD為數(shù)據(jù)中心、逆變器等更多應(yīng)用推出新款低熱阻GaN功率IC封裝
新封裝提供了更高的功率輸出、便于光學(xué)檢查、節(jié)省了系統(tǒng)成本，并提高了可靠性
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CGD與中國(guó)臺(tái)灣工業(yè)技術(shù)研究院簽署GaN電源開發(fā)諒解備忘錄
為電動(dòng)汽車、電動(dòng)工具、筆記本電腦和手機(jī)應(yīng)用開發(fā)功率密度超過(guò)30 W/in3的140-240 W USB-PD適配器
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將功率密度卷出新高度，TI發(fā)布集成驅(qū)動(dòng)GaN LMG21/3100和汽車級(jí)隔離DC/DC UCC33420-Q1
功率密度是電源設(shè)計(jì)的永恒話題，而隨著近年來(lái)各類創(chuàng)新應(yīng)用對(duì)于功率等級(jí)的提高，要在同樣甚至更小的體積中達(dá)成同樣的供電需求，就勢(shì)必要把功率密度推向更高的緯度。而追求電源設(shè)計(jì)功率密度的提升，最根本的是要從器件層面入手。對(duì)于電源芯片而言，提升功率密度絕非易事。在提升的同時(shí)，就會(huì)面對(duì)著來(lái)自散熱、EMI等因素帶來(lái)的反制。功率密度的提升絕非提高電壓電流那么簡(jiǎn)單，而是需要來(lái)自芯片前道的材料、工藝、電路設(shè)計(jì)和來(lái)自后道封裝的多方面配合。那么如何克服一系列的挑戰(zhàn)，將電源芯片的功率密度卷出新高度？TI于近日發(fā)布的100V GaN驅(qū)動(dòng)芯片LMG21/3100和隔離DC/DC UCC33420-Q1，我們可以從中找到答案。
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新加坡芯片廠突然倒閉，員工解散！
業(yè)內(nèi)消息，近日新加坡 RF GaN（射頻氮化鎵）芯片供應(yīng)商 Gallium Semiconductor（加聯(lián)賽半導(dǎo)體）突然終止業(yè)務(wù)并解雇所有員工，包括位于荷蘭奈梅亨的研發(fā)中心。
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英飛凌：增強(qiáng)功率系統(tǒng)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位，助力低碳可持續(xù)發(fā)展
如何把握住2024年的行業(yè)新機(jī)遇，實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破創(chuàng)新，賦能各類新興應(yīng)用的發(fā)展？新一年伊始，我們采訪到了英飛凌科技全球高級(jí)副總裁暨大中華區(qū)總裁、英飛凌電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部大中華區(qū)負(fù)責(zé)人潘大偉，他和我們分享了英飛凌這一年來(lái)的成績(jī)，以及對(duì)于明年的市場(chǎng)趨勢(shì)展望。
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瑞薩收購(gòu)Transphorm，利用GaN技術(shù)擴(kuò)展電源產(chǎn)品陣容
增強(qiáng)瑞薩寬禁帶專業(yè)知識(shí)和產(chǎn)品路線圖發(fā)展，以應(yīng)對(duì)電動(dòng)汽車、數(shù)據(jù)中心、人工智能電源，以及可再生能源快速增長(zhǎng)的市場(chǎng)機(jī)遇。
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大聯(lián)大詮鼎集團(tuán)推出基于Innoscience產(chǎn)品的2KW PSU服務(wù)器電源方案
大聯(lián)大詮鼎基于Innoscience InnoGaN器件-INN650TA030AH、INN650TA070AH和INN650D080BS芯片推出2KW PSU服務(wù)器電源方案，旨在利用先進(jìn)的GaN器件助力服務(wù)器電源實(shí)現(xiàn)更出色的能效。
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占板面積減半！Allegro Power-Thru技術(shù)帶來(lái)GaN隔離柵極驅(qū)動(dòng)器新選擇
從電流感應(yīng)、磁傳感器和電源的結(jié)合，Allegro Microsystems在汽車和工業(yè)市場(chǎng)贏得了成功。而今通過(guò)對(duì)于Power-Thur技術(shù)的隔離柵極驅(qū)動(dòng)器的成功發(fā)布，Allegro繼續(xù)擴(kuò)大優(yōu)勢(shì)，強(qiáng)勢(shì)布局寬禁帶器件功率市場(chǎng)，為客戶應(yīng)用帶來(lái)更好的選擇。
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意法半導(dǎo)體和法國(guó)空客將聯(lián)合開發(fā)功率半導(dǎo)體
21ic 近日獲悉，意法半導(dǎo)體(ST)和法國(guó)空客公司將聯(lián)合研發(fā)功率半導(dǎo)體，雙方表示開發(fā)的新型電力電子設(shè)備更高效，將用于混合動(dòng)力飛機(jī)和全電動(dòng)城市飛行器。
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ST的半導(dǎo)體制造戰(zhàn)略：加大第三代半導(dǎo)體垂直整合，與客戶長(zhǎng)期雙贏
對(duì)于ST而言，芯片設(shè)計(jì)和制造同樣重要。ST在制造上的戰(zhàn)略規(guī)劃正在逐步實(shí)施，將會(huì)幫助其實(shí)現(xiàn)200億美元營(yíng)收和2027碳中和兩大目標(biāo)。
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通過(guò)最新 GaN 器件提高設(shè)備電源效率，降低能源消耗
從 EPC 的角度來(lái)看，我們將通過(guò)我們的 GaN 器件推出全新一代技術(shù)。所以那將是一個(gè)令人興奮的發(fā)布。我們顯然也期待與我們?cè)谄囆袠I(yè)以及最近真正起飛的太陽(yáng)能行業(yè)的合作伙伴公司討論我們?cè)?GaN 方面的所有新技術(shù)。因此，電源解決方案的設(shè)計(jì)人員面臨挑戰(zhàn)，并且越來(lái)越多地轉(zhuǎn)向所謂的寬帶隙技術(shù)來(lái)克服硅的局限性。其中之一是 GaN，您非常了解它。所以正如你在一篇文章中所說(shuō)，GaN技術(shù)有一個(gè)硅無(wú)法比擬的優(yōu)勢(shì)。這就是將功率器件與信號(hào)和數(shù)字器件集成的能力。那么你在哪里押注 GaN，為什么?
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垂直 GaN 技術(shù)：GaN 在橫向和縱向技術(shù)方面的主要技術(shù)差異
垂直結(jié)構(gòu)通常被認(rèn)為有利于高電壓、高功率器件，因?yàn)樗阌陔娏鲾U(kuò)散和熱管理，并允許在不增大芯片尺寸的情況下實(shí)現(xiàn)高電壓幾乎所有商用的MV/HV Si和SiC功率器件都是基于垂直結(jié)構(gòu)此外，與GaN-on-Si外延相比，GaN-on-GaN同質(zhì)外延層具有更低的位錯(cuò)密度，(VON)是由GaN的大能帶隙引起的。先進(jìn)的sbd是非?？扇〉模?yàn)樗鼈兘Y(jié)合了肖特基樣正向特性(具有低VON)和pn樣反向特性(峰值電場(chǎng)從表面移到半導(dǎo)體中)。
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垂直 GaN 技術(shù)：在哪些領(lǐng)域會(huì)有重大的技術(shù)擴(kuò)張機(jī)會(huì)？
垂直氮化鎵設(shè)備能夠達(dá)到更高的頻率和操作在更高的電壓，這應(yīng)該導(dǎo)致新一代更有效的電力設(shè)備，現(xiàn)在的一些挑戰(zhàn)，具體來(lái)說(shuō)，你正在工作與橫向氮化鎵相比，有什么制造問(wèn)題，問(wèn)題降低成本?我想這很重要。所以，我們談?wù)摰氖菍W(xué)術(shù)上的垂直氮化鎵，還是我們可以在市場(chǎng)上找到解決方案?
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垂直 GaN 技術(shù)：為什么我們需要垂直的氮化鎵？
為什么我們需要垂直的氮化鎵?因此，由于輸出電容較小，應(yīng)用中的開關(guān)損耗非常小，與橫向氮化鎵設(shè)備相比，保持這些通過(guò)均勻材料的最佳傳輸，而沒(méi)有額外的層定向到封裝，并將框架從設(shè)備的頂部和底部離開。
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GaN在能源和電力市場(chǎng)已經(jīng)徹底改變了高功率應(yīng)用
到目前為止，我們已經(jīng)涉足能源和電力市場(chǎng)數(shù)十年，我們的目標(biāo)確實(shí)是為專注于電力轉(zhuǎn)換和儲(chǔ)能應(yīng)用的客戶提供支持，例如交通運(yùn)輸、可再生能源、重型工業(yè)機(jī)械。我們一直在全球范圍內(nèi)這樣做。所以我想說(shuō)大約十年前，我們看到對(duì)更高效的電源解決方案和高功率密度以及小尺寸的需求在增加。所以這就是為什么我們一直專注于寬帶半導(dǎo)體的早期階段。我指的是氮化鎵或 GaN 和碳化硅。這幫助我們走在了今天采用這些技術(shù)的前沿。
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?SiC 和 GaN 都可以為創(chuàng)建下一代智能電網(wǎng)做出貢獻(xiàn)
SiC 和 GaN 都可以為創(chuàng)建下一代智能電網(wǎng)做出貢獻(xiàn)，以解決能源問(wèn)題，尤其是在電動(dòng)汽車方面。那么等待我們的未來(lái)是什么?但特別是，從長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看，您認(rèn)為基于 SiC 的功率器件應(yīng)該如何發(fā)展才能滿足下一個(gè)更嚴(yán)格的行業(yè)要求?
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進(jìn)一步了解氮化鎵和碳化硅目前贏得業(yè)務(wù)的市場(chǎng)
電力電子在采用 GaN 和 SiC 器件方面發(fā)生了變化。硅仍然主導(dǎo)著市場(chǎng)，但很快，這些設(shè)備的出現(xiàn)將引導(dǎo)技術(shù)走向新的、更高效的解決方案。Yole Développement 估計(jì)，到 2025 年來(lái)自 SiC 器件的收入將占市場(chǎng)的 10% 以上，而來(lái)自 GaN 器件的收入到 2025 年將超過(guò) 2% 的市場(chǎng)。一些主導(dǎo)市場(chǎng)的公司是 STMicroelectronics、Cree/ Wolfspeed、ROHM、Infineon、Onsemi 和 Mitsubishi Electric 用于 SiC 功率器件。而在這個(gè)領(lǐng)域，GaN Yole Développement 擁有 Power Integrations 和 Infineon 作為參與者，以及 Navitas、EPC、GaN Systems 和 Transphorm 等創(chuàng)新初創(chuàng)企業(yè)。
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Transphorm在深圳設(shè)立GaN場(chǎng)效應(yīng)晶體管實(shí)驗(yàn)室
據(jù)業(yè)內(nèi)信息報(bào)道，TransphormInc已經(jīng)在深圳設(shè)立GaN場(chǎng)效應(yīng)晶體管實(shí)驗(yàn)室，并且已經(jīng)全面投入運(yùn)營(yíng)，并為中國(guó)的客戶提供產(chǎn)品及服務(wù)。
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不愛說(shuō)話
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