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美高森美750W GaN on SiC RF功率晶體管 為航空應(yīng)用提供無與倫比的高功率性能
新器件適用于商用和軍事、地面和機(jī)載、二次監(jiān)視雷達(dá)，以及防撞空中交通管制設(shè)備21ic訊 美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出新型750W RF晶體管擴(kuò)展其基于碳化硅(silic
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利用SiC和GaN實(shí)現(xiàn)AC-AC轉(zhuǎn)換器薄型化
最近，采用可大幅削減電力損耗的新一代功率元件的試制示例接連出現(xiàn)。此次邀請了安川電機(jī)，針對采用SiC功率元件的AC-AC轉(zhuǎn)換器以及采用GaN功率元件的功率調(diào)節(jié)器，介紹有關(guān)技術(shù)
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【技術(shù)講座】利用SiC和GaN大幅削減電力轉(zhuǎn)換裝置的體積
最近，采用可大幅削減電力損耗的新一代功率元件的試制示例接連出現(xiàn)?！度战?jīng)電子》此次邀請了安川電機(jī)，針對采用SiC功率元件的AC-AC轉(zhuǎn)換器以及采用GaN功率元件的功率調(diào)節(jié)器，介紹有關(guān)技術(shù)和取得的效果。（《日經(jīng)電子》
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異質(zhì)結(jié)國際學(xué)會“TWHM” GaN
LED半導(dǎo)體照明網(wǎng)訊 9月2~5日“Topical Workshopon Heterostructure Microelectronics（TWHM 2013）”在日本函館舉行。據(jù)了解，該會議每隔一年舉辦一次，2013年迎來了第十屆。此次會議是討論采用不同材料的構(gòu)
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全球第三代半導(dǎo)體材料研發(fā)部署重點(diǎn)及方向分析
在首屆第三代半導(dǎo)體材料及應(yīng)用發(fā)展國際研討會上，Transphorm公司的技術(shù)營銷高級經(jīng)理黃贊先生對第三代半導(dǎo)體材料各國研發(fā)部署重點(diǎn)及方向進(jìn)行了主題報告，系統(tǒng)闡述了美國、日本等國的第三代半導(dǎo)體材料研發(fā)相關(guān)項(xiàng)目、進(jìn)
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全球第三代半導(dǎo)體材料研發(fā)部署重點(diǎn)及方向分析
在首屆第三代半導(dǎo)體材料及應(yīng)用發(fā)展國際研討會上，Transphorm公司的技術(shù)營銷高級經(jīng)理黃贊先生對第三代半導(dǎo)體材料各國研發(fā)部署重點(diǎn)及方向進(jìn)行了主題報告，系統(tǒng)闡述了美國、日本等國的第三代半導(dǎo)體材料研發(fā)相關(guān)項(xiàng)目、進(jìn)
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全球第三代半導(dǎo)體材料研發(fā)部署重點(diǎn)及方向分析
在首屆第三代半導(dǎo)體材料及應(yīng)用發(fā)展國際研討會上，Transphorm公司的技術(shù)營銷高級經(jīng)理黃贊先生對第三代半導(dǎo)體材料各國研發(fā)部署重點(diǎn)及方向進(jìn)行了主題報告，系統(tǒng)闡述了美國、日本等國的第三代半導(dǎo)體材料研發(fā)相關(guān)項(xiàng)目、進(jìn)
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日商AIR WATER選用愛思強(qiáng)系統(tǒng)生產(chǎn)GaN-on-SiC-on-Si
德國AIXTRON愛思強(qiáng)29日宣布，日本安曇野市的愛沃特株式會社（AIRWATER）告稱已成功安裝一套8x6英寸規(guī)格的全自動的愛思強(qiáng)AIXG5HT行星式反應(yīng)器，用于氮化鎵外延層的生長。AIRWATER之所以選用愛思強(qiáng)MOCVD系統(tǒng)，是基于該
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SiC和GaN是“下一代”還是“當(dāng)代”？
SiC企業(yè)不斷增多，成本不斷下降一文中，作者根津在開篇寫道：“下一代功率半導(dǎo)體已經(jīng)不再特別。”這是因?yàn)?，隨著使用SiC和GaN等“下一代功率半導(dǎo)體”的大量發(fā)布，在學(xué)會和展會的舞臺上，這種功率半導(dǎo)體逐漸帶上了“當(dāng)
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GT Advanced Technologies推出碳化硅爐新產(chǎn)品線
21ic訊 GT Advanced Technologies今天推出其新型SiClone(TM) 100碳化硅(SiC)生產(chǎn)爐。 SiClone100采用升華生長技術(shù)，能生產(chǎn)出高品質(zhì)的半導(dǎo)體SiC晶體塊，可最終制成最大直徑
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GT Advanced Technologies推出碳化硅爐新產(chǎn)品線
新罕布什爾州，納舒厄，2013年7月8日—GT Advanced Technologies(納斯達(dá)克：GTAT)今天推出其新型SiClone(TM) 100碳化硅(SiC)生產(chǎn)爐。 SiClone100采用升華生長技術(shù)，能生產(chǎn)出高品質(zhì)的半導(dǎo)體SiC晶體塊，可最終制成最大
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利用開關(guān)器件提高PFC效率的實(shí)現(xiàn)
為了滿足能源之星(ENERGY STAR)等規(guī)范的要求以及消費(fèi)者降低碳排放的愿望，功率電子產(chǎn)品設(shè)計團(tuán)隊正在不斷努力提高系統(tǒng)效率，以求盡量接近額定100%效率的終極目標(biāo)。此外，目前
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2013年全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)模將達(dá)140.7億美元
日本市場調(diào)查公司矢野經(jīng)濟(jì)研究所的調(diào)查顯示，按照廠商的供貨金額計算，2012年全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)模為135.12億美元，比上年減少11.5%。功率半導(dǎo)體市場在2009年迅速下滑后，曾在2010年和2011年連續(xù)兩年出現(xiàn)復(fù)蘇，但由
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LED半導(dǎo)體照明外延及芯片技術(shù)的最新進(jìn)展
自上世紀(jì)90年代初中村修二發(fā)明高亮度藍(lán)光LED以來，基于GaN基藍(lán)光LED和黃色熒光粉組合發(fā)出白光方式的半導(dǎo)體照明技術(shù)在世界范圍內(nèi)得到了廣泛關(guān)注和快速發(fā)展。迄今為止，商品化白光LED的光效已經(jīng)超過150 lm/W，而實(shí)驗(yàn)室
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中國“太陽神”施正榮的升起和隕落
2010年在澳洲悉尼，中國太陽能面板生產(chǎn)商尚德電力的創(chuàng)始人施正榮給大學(xué)生做了一場演講，現(xiàn)場座無虛席。他在演講中列舉了幫助其事業(yè)成功的幾位重要人物。 有兩個人被特別提到：楊衛(wèi)澤和王榮。兩人都曾任江蘇省無錫市市
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日商Air Water量產(chǎn)全球最大尺寸SiC基板
日商AirWaterInc.20日發(fā)布新聞稿宣布，已成功研發(fā)出可生產(chǎn)全球最大尺寸的“碳化矽(SiC)”基板量產(chǎn)技術(shù)，借由該技術(shù)所生產(chǎn)的SiC基板尺寸可達(dá)8寸(現(xiàn)行主流為4寸)。AirWater表示，已投下約20億日圓于安曇野工廠內(nèi)整備出
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2012年全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)模比上年減少11.5％
日本市場調(diào)查公司矢野經(jīng)濟(jì)研究所的調(diào)查顯示，按照廠商的供貨金額計算，2012年全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)模為135.12億美元，比上年減少11.5%。功率半導(dǎo)體市場在2009年迅速下滑后，曾在2010年和2011年連續(xù)兩年出現(xiàn)復(fù)蘇，但由
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三菱電機(jī)攜最新SiC功率模塊亮相PCIM亞洲展
自去年7月以來，三菱電機(jī)發(fā)布了一系列碳化硅(SiC)功率模塊，這些產(chǎn)品將于今年6月18日至20日在上海世博展覽館舉行的PCIM亞洲展 2013(展位號：402)中隆重亮相。 眾所周知，目前市場上采用的功率模塊的IGBT芯片大多采用
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2012年全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)模比上年減少11.5％
日本市場調(diào)查公司矢野經(jīng)濟(jì)研究所的調(diào)查顯示，按照廠商的供貨金額計算，2012年全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)模為135.12億美元，比上年減少11.5％。功率半導(dǎo)體市場在2009年迅速下滑后，曾在2010年和2011年連續(xù)兩年出現(xiàn)復(fù)蘇，但
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重新應(yīng)用 BJT：在光伏逆變器中運(yùn)用新型SiC BJT 可實(shí)現(xiàn)更低的系統(tǒng)成本
最近，碳化硅 (SiC) 的使用為 BJT 賦予了新的生命，生產(chǎn)出一款可實(shí)現(xiàn)更高功率密度、更低系統(tǒng)成本且設(shè)計更簡易的器件。SiC BJT 運(yùn)用在光伏電源轉(zhuǎn)換器中時，可實(shí)現(xiàn)良好效率，并且（也許更重要的是）能夠使用更小、更便宜的元件，從而在系統(tǒng)級別上顯著降低成本。
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