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新一代功率半導體加速導入 元器件廠商拼殺
與現(xiàn)在的Si功率半導體相比，SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。SiC功
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新一代功率半導體：元件開發(fā)競爭激烈，亞洲企業(yè)紛紛涉足
與現(xiàn)在的Si功率半導體相比，SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。SiC功
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新一代SiC和GaN功率半導體競爭激烈
與現(xiàn)在的Si功率半導體相比，SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。SiC功
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新一代SiC和GaN功率半導體競爭激烈
SiC功率半導體方面，在柵極設有溝道的溝道型MOSFET的開發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進一步降低損耗。導通電阻降低后
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新一代SiC和GaN功率半導體競爭激烈
與現(xiàn)在的Si功率半導體相比，SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。SiC功
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新一代功率半導體：元件開發(fā)競爭激烈
與現(xiàn)在的Si功率半導體相比，SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)
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碳化硅肖特基二極管在電源中的應用
功率因數(shù)校正(PFC)市場主要受與降低諧波失真有關的全球性規(guī)定影響。歐洲的EN61000-3-2是交直流供電市場的基本規(guī)定之一，在英國、日本和中國也存在類似的標準。EN61000-3-2規(guī)
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SIC：全球半導體收益較上月減少11%
據(jù)外媒EETimes報道，SIC（SemiconductorIndustryAssociation，半導體產業(yè)協(xié)會）公布調查數(shù)據(jù)，全球半導體收益為261億元，較上月減少11%，但總體超過減少13%的季節(jié)性預測。SIC表示除閃存外的半導體行業(yè)各領域高于10月
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SIC：全球半導體收益較上月減少11%
12月5日消息，據(jù)外媒EETimes報道，SIC（SemiconductorIndustryAssociation，半導體產業(yè)協(xié)會）公布調查數(shù)據(jù)，全球半導體收益為261億元，較上月減少11%，但總體超過減少13%的季節(jié)性預測。SIC表示除閃存外的半導體行業(yè)各
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全球半導體收益較上月減少11%
據(jù)外媒EETimes報道，SIC（Semiconductor Industry Association，半導體產業(yè)協(xié)會）公布調查數(shù)據(jù)，全球半導體收益為261億元，較上月減少11%，但總體超過減少13%的季節(jié)性預測。SIC表示除閃存外的半導體行業(yè)各領域高于10
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SIC：全球半導體收益較上月減少11%
據(jù)外媒EETimes報道，SIC（SemiconductorIndustryAssociation，半導體產業(yè)協(xié)會）公布調查數(shù)據(jù)，全球半導體收益為261億元，較上月減少11%，但總體超過減少13%的季節(jié)性預測。SIC表示除閃存外的半導體行業(yè)各領域高于10月
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SIC：全球半導體收益較上月減少11%
據(jù)外媒EETimes報道，SIC（SemiconductorIndustryAssociation，半導體產業(yè)協(xié)會）公布調查數(shù)據(jù)，全球半導體收益為261億元，較上月減少11%，但總體超過減少13%的季節(jié)性預測。SIC表示除閃存外的半導體行業(yè)各領域高于10月
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科瑞在SiC基片市場占有較高份額
制造SiC功率元件不可缺少的SiC基片(晶圓)的品質在不斷提升。不僅是目前主流的直徑為4英寸(100mm)的產品，6英寸(150mm)產品的結晶缺陷也越來越少。 美國科銳(Cree)在SiC基片市場上占有較高份額，從該公
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SiC基片結晶質量提高 SiC基片市場科銳占有較高份額
制造SiC功率元件不可缺少的SiC基片（晶圓）的品質在不斷提升。不僅是目前主流的直徑為4英寸（100mm）的產品，6英寸（150mm）產品的結晶缺陷也越來越少。 美國科銳（CREE）在SiC基片市場上占有較高份額
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科銳：SiC基片的結晶質量逐年提高
制造SiC功率元件不可缺少的SiC基片（晶圓）的品質在不斷提升。不僅是目前主流的直徑為4英寸（100mm）的產品，6英寸（150mm）產品的結晶缺陷也越來越少。 美國Cree在SiC基片市場上占有較高份額，從該公
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TeliaSonera新增18400公里光纖骨干網(wǎng)絡
瑞典和芬蘭領先運營商TeliaSonera服務美國市場的批發(fā)子公司——TeliaSonera International Carrier(TSIC)宣布它已經完成了主要的北美網(wǎng)絡擴張，其全球光纖骨干網(wǎng)絡新增了18400公里。TSIC截止到2014年12月3
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美國科銳在SiC基片市場上占有較高份額
制造SiC功率元件不可缺少的SiC基片(晶圓)的品質在不斷提升。不僅是目前主流的直徑為4英寸(100mm)的產品，6英寸(150mm)產品的結晶缺陷也越來越少。美國科銳(Cree)在SiC基片市場上占有較高份額，從該公司在SiC國際學會
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SiC基片結晶質量提高 6英寸微管密度降至0.01個/平方厘米
制造SiC功率元件不可缺少的SiC基片(晶圓)的品質在不斷提升。不僅是目前主流的直徑為4英寸(100mm)的產品，6英寸(150mm)產品的結晶缺陷也越來越少。 美國科銳(Cree)在SiC基片市場上占有較高份額，從該公司在SiC國際學會
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SiC二極管 通過基片薄型化降低導通電阻漸成趨勢
通過減薄SiC二極管的基片厚度來減小導通電阻的研發(fā)日趨活躍。這一趨勢在耐壓1.2kV以下的低中耐壓產品中最為突出。其背景在于，越是低耐壓產品，基片上層積的漂移層就越薄，因此在SiC二極管的導通電阻中，基片的電阻成
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SiC基片結晶質量提高，6英寸微管密度降至0.01個/平方厘米
制造SiC功率元件不可缺少的SiC基片（晶圓）的品質在不斷提升。不僅是目前主流的直徑為4英寸（100mm）的產品，6英寸（150mm）產品的結晶缺陷也越來越少。 美國科銳（Cree）在SiC基片市場上占有較高份額，從該公司在Si
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