TI首款適用于IGBT和SiC MOSFET且集成傳感功能的隔離式柵極驅(qū)動器，可顯著節(jié)約能耗，并為高壓系統(tǒng)構(gòu)筑堅強屏障

新型TI柵極驅(qū)動器提供先進的監(jiān)控和保護功能，同時還能提升汽車和工業(yè)應(yīng)用中的總體系統(tǒng)效率

飛兆半導(dǎo)體收購SiC公司TranSiC

SiC和GaN并不是終點，功率半導(dǎo)體氧化鎵到底是什么

SiC和GaN并不是終點，最近，氧化鎵(Ga2O3)再一次走入了人們的視野，憑借其比SiC和GaN更寬的禁帶，該種化合物半導(dǎo)體在更高功率的應(yīng)用方面具有獨特優(yōu)勢。因此，近幾年關(guān)于氧化鎵的研究又熱了起來。

新的電源轉(zhuǎn)換標(biāo)桿：英飛凌CoolGaN可圈可點

未來十年，基于氮化鎵的器件市場總值有望超過10億美元，從市場的分布來說，電源類產(chǎn)品大概占到整個市場的40%左右。在汽車類的應(yīng)用可能起步得比較晚，但是它的成長非?？?，未來汽車關(guān)于氮化鎵的應(yīng)用是一個非常大的應(yīng)用。

廈門第三代半導(dǎo)體SiC生產(chǎn)線投產(chǎn)穩(wěn)定，每月可產(chǎn)30萬顆

廈門芯光潤澤科技有限公司自主研發(fā)的國內(nèi)首條碳化硅智能功率模塊(SiC IPM)生產(chǎn)線，于9月18日正式投產(chǎn)。據(jù)報道，兩個月來，該生產(chǎn)線投產(chǎn)穩(wěn)定，每月生產(chǎn)規(guī)模可達30萬顆，每年可達360萬顆。

大力推廣Littelfuse SiC MOSFET、SiC二極管等產(chǎn)品，世強獲其“最佳市場開發(fā)獎”

2018年，本土十大分銷商，Littelfuse官方授權(quán)一級代理商——世強，對Littelfuse的SiC MOSFET、SiC二極管等最新產(chǎn)品，進行了充分的市場推展，將這些產(chǎn)品帶入了車載OBC、車載DC-DC、光伏等領(lǐng)域，并取得了喜人的成績。由此，在Littelfuse 2018年度優(yōu)秀供應(yīng)商表彰大會中，世強斬獲“Littelfuse最佳市場開發(fā)代理商大獎”。

領(lǐng)先的SiC/GaN功率轉(zhuǎn)換器的驅(qū)動

目前，功率轉(zhuǎn)換器市場快速演進，將來也會快速發(fā)展，從簡單的高性價比設(shè)計模式走向更為廣泛、更具持續(xù)性的創(chuàng)新模式。新的挑戰(zhàn)不斷涌現(xiàn)，比如，生產(chǎn)能供小型伺服驅(qū)動使用或者能集成到分布式存能單元功率轉(zhuǎn)換器中的更小、更高效的功率轉(zhuǎn)換器。這也意味著，要用更高的工作電壓來管理更高的功率，卻不能增加重量和尺寸，比如，太陽能串式逆變器和電動汽車牽引電機等應(yīng)用場合。

憑借對SiC MOSFET的大力推廣 世強獲Littelfuse最佳市場開發(fā)代理商

近日，全球排名第一的電路保護品牌Littelfuse向世強頒發(fā)了“最佳市場開發(fā)代理商獎”，以表彰其2018年在產(chǎn)品推廣與市場開發(fā)方面所作出的杰出貢獻。

第三代半導(dǎo)體材料盛行，GaN與SiC如何撬動新型功率器件

1.GaN功率管的發(fā)展微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應(yīng)管以及在移動通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS管向以碳化硅(SiC)、氮鎵(GaN)為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、G

美高森美發(fā)布創(chuàng)新SiC MOSFET系列

新的碳化硅 (SiC) MOSFET器件與SiC功率模塊相輔相成，顯著提升高壓應(yīng)用的系統(tǒng)效率，并提供最大功效，幫助客戶開發(fā)更輕、更小、更可靠的系統(tǒng)設(shè)計致力于提供功率、安全、可靠

性價比：SiC MOSFET比Si MOSFET不只高出一點點

Si MOSFET管因為其輸入阻抗高，隨著其反向耐壓的提高，通態(tài)電阻也急劇上升，從而限制了其在高壓場合的應(yīng)用。SiC作為一種寬禁代半導(dǎo)體器件，具有飽和電子漂移速度高、電場擊

領(lǐng)先的SiC/GaN功率轉(zhuǎn)換器的驅(qū)動

目前，功率轉(zhuǎn)換器市場快速演進，將來也會快速發(fā)展，從簡單的高性價比設(shè)計模式走向更為廣泛、更具持續(xù)性的創(chuàng)新模式。新的挑戰(zhàn)不斷涌現(xiàn)，比如，生產(chǎn)能供小型伺服驅(qū)動使用或者能集成到分布式存能單元功率轉(zhuǎn)換器中的更小、更高效的功率轉(zhuǎn)換器。

羅姆攜多款車載元器件新品，亮相“2018北京國際智能網(wǎng)聯(lián)汽車產(chǎn)業(yè)展覽會”

全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆于2018年7月19日-21日首次亮相在北京中國國際展覽中心舉辦的“2018北京國際汽車制造業(yè)暨工業(yè)裝配博覽會”(展位號：2展館T213)。以“用半導(dǎo)體為汽車的未來做貢獻”為理念

低功耗SiC二極管實現(xiàn)最高功率密度

相較于硅，碳化硅(SiC)肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。

我國半導(dǎo)體SiC單晶粉料和設(shè)備生產(chǎn)實現(xiàn)新突破

SiC單晶是第三代半導(dǎo)體材料，以其特有的大禁帶寬度、高臨界擊穿場強、高電子遷移率、高熱導(dǎo)率等特性， 成為制作高溫、高頻、大功率、抗輻照、短波發(fā)光及光電集成器件的理想材料，是新一代雷達、衛(wèi)星通訊、高壓輸變電、軌道交通、電動汽車、通訊基站等重要領(lǐng)域的核心材料，具有重要的應(yīng)用價值和廣闊的應(yīng)用前景。

美高森美提供下一代1200 V SiC MOSFET樣品和700 V肖特基勢壘二極管器件

21ic訊 美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣布在下季初擴大其碳化硅(SiC) MOSFET 和SiC二極管產(chǎn)品組合，包括提供下一代1200 V、25 mOhm和80 mOhm SiC MOSFET器件的樣品，及下一代700 V、50 A 肖特基勢壘二極

SiC下，電源半導(dǎo)體如何應(yīng)對能源問題

作為電力電子器件，SiC器件在低壓領(lǐng)域如高端的白色家電、電動汽車等由于成本因素，逐漸失去了競爭力。但在高壓領(lǐng)域，如高速列車、風(fēng)力發(fā)電以及智能電網(wǎng)等，SiC具有不可替代性的優(yōu)勢。

第三代半導(dǎo)體SiC在人工智能中的應(yīng)用

2017年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)受到存儲器價格上揚、虛擬貨幣高漲、數(shù)據(jù)中心與云端企業(yè)因應(yīng)人工智能(AI)應(yīng)用大幅采用繪圖處理器(GPU)，以及電競比賽普及等帶動，整體營收及獲利明顯增長，展望2018年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)規(guī)模仍將持續(xù)成長……

在高頻直流—直流轉(zhuǎn)換器內(nèi)使用650V碳化硅MOSFET的好處

本文評測了主開關(guān)采用意法半導(dǎo)體新產(chǎn)品650V SiC MOSFET的直流-直流升壓轉(zhuǎn)換器的電熱特性，并將SiC碳化硅器件與新一代硅器件做了全面的比較。測試結(jié)果證明，新SiC碳化硅開關(guān)管提升了開關(guān)性能標(biāo)桿，讓系統(tǒng)具更高的能效，對市場上現(xiàn)有系統(tǒng)設(shè)計影響較大。

ROHM帶來車載電源IC和SiC的技術(shù)革新

近幾年，家庭購置家用車越來越多的會選擇電動汽車，這其中固然有國家的支持和補貼政策的因素，更重要的是，電動汽車本身也有幾個優(yōu)點足以打動消費者的心：首先是環(huán)保，電動汽車的百公里耗電量為15-20kwh，算上發(fā)電廠