-
半導(dǎo)體制造商羅姆找準(zhǔn)了扎根中國市場立足點(diǎn)
【導(dǎo)讀】在需求多變的市場中如何實(shí)現(xiàn)本地化、拓展市場和提升競爭力，成為來到中國的外資半導(dǎo)體企業(yè)面臨的共同問題。然而，世界知名半導(dǎo)體制造商羅姆，憑借獨(dú)有的、多元化的高品質(zhì)產(chǎn)品群，在產(chǎn)品線布局上，統(tǒng)籌兼顧、
-
大比特資訊半導(dǎo)體器件應(yīng)用論壇獲獎(jiǎng)攻略(一)：何須問元芳?
【導(dǎo)讀】資訊半導(dǎo)體器件應(yīng)用論壇“三大有獎(jiǎng)活動(dòng)” 獲獎(jiǎng)攻略您還需要問元芳??? 摘要： 資訊半導(dǎo)體器件應(yīng)用論壇“三大有獎(jiǎng)活動(dòng)” 獲獎(jiǎng)攻略您還需要問元芳??? 關(guān)鍵字： 論壇， 研討會(huì)， 內(nèi)功心法， 跟帖 親，
-
大比特資訊半導(dǎo)體器件應(yīng)用論壇獲獎(jiǎng)攻略(二)
【導(dǎo)讀】如何獲活動(dòng)獎(jiǎng)勵(lì)?最佳提問獲獎(jiǎng)候選人名單、最佳回答獲獎(jiǎng)候選人名單是個(gè)神馬東東?獲獎(jiǎng)名額有限，獎(jiǎng)品又這么給力，會(huì)不會(huì)是暗箱操作? 摘要： 如何獲活動(dòng)獎(jiǎng)勵(lì)?最佳提問獲獎(jiǎng)候選人名單、最佳回答獲獎(jiǎng)候選人名
-
羅姆在“功率元器件”的發(fā)展與“電源IC技術(shù)”的變革
【導(dǎo)讀】為了防止地球溫室化，減少CO2排放量已成為人類的課題。為了減少CO2排放量，節(jié)電與提高電壓的轉(zhuǎn)換效率是當(dāng)務(wù)之急。在這種背景下，羅姆通過用于LED照明的技術(shù)貢獻(xiàn)于節(jié)電，通過功率元器件提升轉(zhuǎn)換效率。 摘
-
聚焦“SiC”與“GaN”—羅姆在新一代功率元器件領(lǐng)域的飛躍發(fā)展與前沿探索
【導(dǎo)讀】在功率元器件的發(fā)展中，主要半導(dǎo)體材料當(dāng)然還是Si。同樣在以Si為主體的LSI世界里，在“將基本元件晶體管的尺寸縮小到1/k，同時(shí)將電壓也降低到1/k，力爭更低功耗”的指導(dǎo)原理下，隨著微細(xì)加工技術(shù)的發(fā)展，實(shí)現(xiàn)
-
東芝進(jìn)軍功率器件 量產(chǎn)SiC肖特基勢壘二極管
【導(dǎo)讀】東芝公司日前表示，即將在兵庫縣姬路工廠量產(chǎn)SiC器件，用以滿足工業(yè)和汽車應(yīng)用日益增長的需求。 摘要： 東芝公司日前表示，即將在兵庫縣姬路工廠量產(chǎn)SiC器件，用以滿足工業(yè)和汽車應(yīng)用日益增長的需求。關(guān)
-
PV逆變器應(yīng)用市場需求升溫 推動(dòng)SiC功率元件發(fā)展
【導(dǎo)讀】SiC功率元件具高頻和耐高溫特性，不僅可較傳統(tǒng)硅功率半導(dǎo)體，提供更高的電源轉(zhuǎn)換效率，更可減少所需的電容和感測器數(shù)量，已吸引愈來愈多太陽能逆變器制造商青睞。 摘要： SiC功率元件具高頻和耐高溫特性
-
GaN和SiC技術(shù)將成太陽能逆變器競爭優(yōu)勢
【導(dǎo)讀】隨著GaN和SiC器件進(jìn)入市場，將為小型系統(tǒng)帶來最大的競爭優(yōu)勢，如用于住宅和商業(yè)太陽能設(shè)施的微型逆變器和小型串式逆變器。這些強(qiáng)大的優(yōu)勢包括：更低的均化電力成本，提升通過租賃和電力購買協(xié)議而銷售的電能
-
SiC和GaN生產(chǎn)普及 不再是“下一代”
【導(dǎo)讀】住友電工也參戰(zhàn) 日本企業(yè)中也有首次展出SiC器件的新軍住友電工。該公司展出的全SiC功率模塊不僅使用了SiC MOSFET，還使用了SiC肖特基勢壘二極管（SBD） 摘要： 住友電工也參戰(zhàn) 日本企業(yè)中也有首次展出S
-
美高森美發(fā)布用于高壓工業(yè)應(yīng)用的創(chuàng)新SiC MOSFET系列
致力于提供功率、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)方案的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(MicrosemiCorporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào)：MSCC)推出全新碳化硅(SiliconCarbide,SiC)MOSFET產(chǎn)品系列─1200V解決方案。這系列創(chuàng)新S
-
美高森美發(fā)布用于高壓工業(yè)應(yīng)用的創(chuàng)新SiC MOSFET系列
新的碳化硅 (SiC) MOSFET器件與SiC功率模塊相輔相成，顯著提升高壓應(yīng)用的系統(tǒng)效率，并提供最大功效，幫助客戶開發(fā)更輕、更小、更可靠的系統(tǒng)設(shè)計(jì)21ic訊 美高森美公司(Micros
-
GTAT專利技術(shù)Merlin助力光伏產(chǎn)業(yè)前行
多晶硅市場的發(fā)展與整個(gè)光伏產(chǎn)業(yè)的發(fā)展息息相關(guān)。在過去的幾年里，整個(gè)光伏產(chǎn)業(yè)鏈都遇到了很多的問題，產(chǎn)能利用率并不是很高，很多中國的公司也受到了產(chǎn)業(yè)不景氣的影響，幾乎沒有公司進(jìn)行產(chǎn)能擴(kuò)張。但是最近我們注意
-
豐田用SiC開發(fā)出高效率功率半導(dǎo)體
豐田汽車公司與電裝株式會(huì)社、豐田中央研究所株式會(huì)社合作，利用新材料SiC開發(fā)出了一種功率半導(dǎo)體。這種SiC功率半導(dǎo)體預(yù)計(jì)將用于控制混合動(dòng)力車等的電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)力的動(dòng)力控制單元上，今后1年之內(nèi)將會(huì)在公共道路上開始進(jìn)
-
CISSOID公司與上海諾衛(wèi)卡電子科技有限公司簽訂在華銷售CISSOID產(chǎn)品的經(jīng)銷協(xié)議
【導(dǎo)讀】中國北京與比利時(shí) Mont-Saint-Guibert，2014 年 5 月 5 日——高溫及長壽命半導(dǎo)體解決方案方面的領(lǐng)先供應(yīng)商 CISSOID 公司，宣布與上海諾衛(wèi)卡電子科技有限公司簽訂在華銷售其產(chǎn)品的重大經(jīng)銷協(xié)議。諾衛(wèi)卡公司現(xiàn)
-
安捷倫推出支持 SSIC、CSI-3 接口的協(xié)議分析儀
21ic訊 安捷倫科技公司日前宣布，用于下一代移動(dòng)計(jì)算應(yīng)用的 U4431A MIPI® M-PHY® 協(xié)議分析儀增加了 SSIC 和 CSI-3 支持。新增支持能夠幫助研發(fā)和制造工程師深入分析 MIPI M-PHY 設(shè)計(jì)。CSI-3(數(shù)字相機(jī)串行接
-
新型SiC功率器件在Boost電路中的應(yīng)用分析
摘要：分析新型SiC功率器件在實(shí)際應(yīng)用中的基本特性，以升壓斬波電路為載體，通過理論分析對(duì)SiC MOSFET柵極電阻對(duì)開關(guān)特性的影響，以及開關(guān)頻率與傳輸效率的關(guān)系進(jìn)行了闡述。同時(shí)，以SiC MOSFET功率器件為核心搭建
-
新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競爭激烈
與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時(shí)各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。SiC功
-
新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競爭激烈
SiC功率半導(dǎo)體方面，在柵極設(shè)有溝道的溝道型MOSFET的開發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導(dǎo)通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進(jìn)一步降低損耗。導(dǎo)通電阻降低后
-
新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競爭激烈
與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時(shí)各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。SiC功
-
新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競爭激烈
與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時(shí)各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。SiC功
