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GaN和SiC技術(shù)將成太陽能逆變器競(jìng)爭優(yōu)勢(shì)

【導(dǎo)讀】隨著GaN和SiC器件進(jìn)入市場(chǎng)，將為小型系統(tǒng)帶來最大的競(jìng)爭優(yōu)勢(shì)，如用于住宅和商業(yè)太陽能設(shè)施的微型逆變器和小型串式逆變器。這些強(qiáng)大的優(yōu)勢(shì)包括：更低的均化電力成本，提升通過租賃和電力購買協(xié)議而銷售的電能

半導(dǎo)體
2014-06-06

GAN 太陽能逆變器 SIC 微型逆變器
SiC和GaN生產(chǎn)普及不再是“下一代”

【導(dǎo)讀】住友電工也參戰(zhàn) 日本企業(yè)中也有首次展出SiC器件的新軍住友電工。該公司展出的全SiC功率模塊不僅使用了SiC MOSFET，還使用了SiC肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）摘要：住友電工也參戰(zhàn) 日本企業(yè)中也有首次展出S

半導(dǎo)體
2014-06-06

元件基板 GAN SIC
美高森美發(fā)布用于高壓工業(yè)應(yīng)用的創(chuàng)新SiC MOSFET系列

致力于提供功率、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)方案的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(MicrosemiCorporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào)：MSCC)推出全新碳化硅(SiliconCarbide,SiC)MOSFET產(chǎn)品系列─1200V解決方案。這系列創(chuàng)新S

半導(dǎo)體
2014-06-03

MOSFET 工業(yè)應(yīng)用高壓 SIC
美高森美發(fā)布用于高壓工業(yè)應(yīng)用的創(chuàng)新SiC MOSFET系列

新的碳化硅 (SiC) MOSFET器件與SiC功率模塊相輔相成，顯著提升高壓應(yīng)用的系統(tǒng)效率，并提供最大功效，幫助客戶開發(fā)更輕、更小、更可靠的系統(tǒng)設(shè)計(jì)21ic訊美高森美公司(Micros

功率器件
2014-06-03

MOSFET 工業(yè)應(yīng)用高壓 SIC
GTAT專利技術(shù)Merlin助力光伏產(chǎn)業(yè)前行

多晶硅市場(chǎng)的發(fā)展與整個(gè)光伏產(chǎn)業(yè)的發(fā)展息息相關(guān)。在過去的幾年里，整個(gè)光伏產(chǎn)業(yè)鏈都遇到了很多的問題，產(chǎn)能利用率并不是很高，很多中國的公司也受到了產(chǎn)業(yè)不景氣的影響，幾乎沒有公司進(jìn)行產(chǎn)能擴(kuò)張。但是最近我們注意

半導(dǎo)體
2014-05-30

多晶硅光伏產(chǎn)業(yè) GTA SIC
豐田用SiC開發(fā)出高效率功率半導(dǎo)體

豐田汽車公司與電裝株式會(huì)社、豐田中央研究所株式會(huì)社合作，利用新材料SiC開發(fā)出了一種功率半導(dǎo)體。這種SiC功率半導(dǎo)體預(yù)計(jì)將用于控制混合動(dòng)力車等的電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)力的動(dòng)力控制單元上，今后1年之內(nèi)將會(huì)在公共道路上開始進(jìn)

半導(dǎo)體
2014-05-23

豐田功率半導(dǎo)體 HEV SIC
CISSOID公司與上海諾衛(wèi)卡電子科技有限公司簽訂在華銷售CISSOID產(chǎn)品的經(jīng)銷協(xié)議

【導(dǎo)讀】中國北京與比利時(shí) Mont-Saint-Guibert，2014 年 5 月 5 日——高溫及長壽命半導(dǎo)體解決方案方面的領(lǐng)先供應(yīng)商 CISSOID 公司，宣布與上海諾衛(wèi)卡電子科技有限公司簽訂在華銷售其產(chǎn)品的重大經(jīng)銷協(xié)議。諾衛(wèi)卡公司現(xiàn)

半導(dǎo)體
2014-05-12

半導(dǎo)體電子 CIS SIC
安捷倫推出支持 SSIC、CSI-3 接口的協(xié)議分析儀

21ic訊安捷倫科技公司日前宣布，用于下一代移動(dòng)計(jì)算應(yīng)用的 U4431A MIPI® M-PHY® 協(xié)議分析儀增加了 SSIC 和 CSI-3 支持。新增支持能夠幫助研發(fā)和制造工程師深入分析 MIPI M-PHY 設(shè)計(jì)。CSI-3(數(shù)字相機(jī)串行接

智能硬件
2014-02-17

安捷倫接口 M-PHY SIC
新型SiC功率器件在Boost電路中的應(yīng)用分析

摘要：分析新型SiC功率器件在實(shí)際應(yīng)用中的基本特性，以升壓斬波電路為載體，通過理論分析對(duì)SiC MOSFET柵極電阻對(duì)開關(guān)特性的影響，以及開關(guān)頻率與傳輸效率的關(guān)系進(jìn)行了闡述。同時(shí)，以SiC MOSFET功率器件為核心搭建

模擬
2014-01-29

功率器件柵極電阻 BOOST電路 SIC
新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競(jìng)爭激烈

與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時(shí)各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競(jìng)爭。SiC功

半導(dǎo)體
2014-01-10

元件功率半導(dǎo)體 GAN SIC
新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競(jìng)爭激烈

SiC功率半導(dǎo)體方面，在柵極設(shè)有溝道的溝道型MOSFET的開發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導(dǎo)通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進(jìn)一步降低損耗。導(dǎo)通電阻降低后

半導(dǎo)體
2014-01-08

元件功率半導(dǎo)體 GAN SIC
新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競(jìng)爭激烈

與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時(shí)各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競(jìng)爭。SiC功

半導(dǎo)體
2014-01-04

元件功率半導(dǎo)體 GAN SIC
新一代功率半導(dǎo)體加速導(dǎo)入元器件廠商拼殺

與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時(shí)各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競(jìng)爭。SiC功

消費(fèi)電子
2014-01-03

功率半導(dǎo)體元器件 GAN SIC
新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競(jìng)爭激烈

與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時(shí)各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競(jìng)爭。SiC功

消費(fèi)電子
2014-01-03

元件功率半導(dǎo)體 GAN SIC
新一代功率半導(dǎo)體：元件開發(fā)競(jìng)爭激烈，亞洲企業(yè)紛紛涉足

與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時(shí)各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競(jìng)爭。SiC功

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2014-01-03

元件功率半導(dǎo)體 GAN SIC
新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競(jìng)爭激烈

與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時(shí)各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競(jìng)爭。SiC功

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2014-01-03

元件功率半導(dǎo)體 GAN SIC
新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競(jìng)爭激烈

SiC功率半導(dǎo)體方面，在柵極設(shè)有溝道的溝道型MOSFET的開發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導(dǎo)通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進(jìn)一步降低損耗。導(dǎo)通電阻降低后

模擬
2014-01-02

元件功率半導(dǎo)體 GAN SIC
新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競(jìng)爭激烈

與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時(shí)各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競(jìng)爭。SiC功

模擬
2013-12-30

元件功率半導(dǎo)體 GAN SIC
新一代功率半導(dǎo)體：元件開發(fā)競(jìng)爭激烈

與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時(shí)各企業(yè)

電源
2013-12-30

元件功率半導(dǎo)體 GAN SIC
碳化硅肖特基二極管在電源中的應(yīng)用

功率因數(shù)校正(PFC)市場(chǎng)主要受與降低諧波失真有關(guān)的全球性規(guī)定影響。歐洲的EN61000-3-2是交直流供電市場(chǎng)的基本規(guī)定之一，在英國、日本和中國也存在類似的標(biāo)準(zhǔn)。EN61000-3-2規(guī)

功率器件
2013-12-16

電源碳化硅肖特基二極管 SIC

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SIC

GaN和SiC技術(shù)將成太陽能逆變器競(jìng)爭優(yōu)勢(shì)

SiC和GaN生產(chǎn)普及不再是“下一代”

美高森美發(fā)布用于高壓工業(yè)應(yīng)用的創(chuàng)新SiC MOSFET系列

美高森美發(fā)布用于高壓工業(yè)應(yīng)用的創(chuàng)新SiC MOSFET系列

GTAT專利技術(shù)Merlin助力光伏產(chǎn)業(yè)前行

豐田用SiC開發(fā)出高效率功率半導(dǎo)體

CISSOID公司與上海諾衛(wèi)卡電子科技有限公司簽訂在華銷售CISSOID產(chǎn)品的經(jīng)銷協(xié)議

安捷倫推出支持 SSIC、CSI-3 接口的協(xié)議分析儀

新型SiC功率器件在Boost電路中的應(yīng)用分析

新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競(jìng)爭激烈

新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競(jìng)爭激烈

新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競(jìng)爭激烈

新一代功率半導(dǎo)體加速導(dǎo)入元器件廠商拼殺

新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競(jìng)爭激烈

新一代功率半導(dǎo)體：元件開發(fā)競(jìng)爭激烈，亞洲企業(yè)紛紛涉足

新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競(jìng)爭激烈

新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競(jìng)爭激烈

新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競(jìng)爭激烈

新一代功率半導(dǎo)體：元件開發(fā)競(jìng)爭激烈

碳化硅肖特基二極管在電源中的應(yīng)用

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