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為什么超低阻抗SiC FET受歡迎？
與包括SiC MOSFET、硅MOSFET和GaN HEMT在內(nèi)的其他可用功率晶體管相比，常開(kāi)型SiC JFET的單位芯片面積具有更低的導(dǎo)通阻抗。如圖1a所示，當(dāng)?shù)蛪篗OSFET堆疊在JFET上時(shí)，為了實(shí)現(xiàn)圖1b的共源共柵架構(gòu)，就形成了低阻抗常關(guān)斷型開(kāi)關(guān)
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UnitedSiC新款SiC FET
新型功率半導(dǎo)體企業(yè)美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司（UnitedSiC）宣布將推出四種新型SiC FET――UF3SC。據(jù)介紹，該產(chǎn)品的RDS（ON）值可低至7mΩ，并可提供前所未有的性能和高效率，適用于電動(dòng)汽車(chē)（EV）逆變器、高功率DC/DC轉(zhuǎn)換器
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意法半導(dǎo)體完成對(duì)碳化硅晶圓廠商N(yùn)orstel AB的并購(gòu)
?從材料專(zhuān)業(yè)知識(shí)和工藝工程，到SiC MOSFET和二極管設(shè)計(jì)制造，意法半導(dǎo)體加強(qiáng)內(nèi)部SiC生態(tài)系統(tǒng)建設(shè)
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科銳與意法半導(dǎo)體擴(kuò)大并延伸現(xiàn)有SiC晶圓供應(yīng)協(xié)議
科銳與意法半導(dǎo)體宣布擴(kuò)大并延伸現(xiàn)有多年長(zhǎng)期碳化硅(SiC)晶圓供應(yīng)協(xié)議至5億多美元。意法半導(dǎo)體是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商，橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域。這一延伸協(xié)議是原先協(xié)議價(jià)值的雙倍，科銳將在未來(lái)數(shù)年向意法半導(dǎo)體提供先進(jìn)的150mm SiC裸晶圓和外延片。這一提升的晶圓供應(yīng)，幫助意法半導(dǎo)體應(yīng)對(duì)在全球范圍內(nèi)快速增長(zhǎng)的SiC功率器件需求，特別是在汽車(chē)應(yīng)用和工業(yè)應(yīng)用。
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SiC MOSFET在汽車(chē)和電源應(yīng)用中優(yōu)勢(shì)顯著
摘要：傳統(tǒng)硅基MOSFET技術(shù)日趨成熟，正在接近性能的理論極限。寬帶隙半導(dǎo)體的電、熱和機(jī)械特性更好，能夠提高M(jìn)OSFET的性能，是一項(xiàng)關(guān)注度很高的替代技術(shù)。
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1200V 450A全SiC半橋功率模塊問(wèn)世
根據(jù)Wolfspeed的說(shuō)法，該半橋模塊利用了公司優(yōu)化的第三代MOSFET技術(shù)。XM3的SiC封裝最高支持175°C。 Wolfspeed表示，XM3功率模塊平臺(tái)可最大限度地發(fā)揮SiC的優(yōu)勢(shì)，同時(shí)保持模塊和系統(tǒng)設(shè)計(jì)的穩(wěn)健，簡(jiǎn)單和經(jīng)濟(jì)高效等特性。
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關(guān)于SiC在電動(dòng)車(chē)市場(chǎng)的應(yīng)用
電源設(shè)計(jì)的工程師已經(jīng)意識(shí)到SiC晶體管確實(shí)是新開(kāi)關(guān)模式設(shè)計(jì)的最佳選擇，雖然它們可能比替代品貴一點(diǎn)，但它們提供了更多優(yōu)勢(shì)。以下是SiC與MOSFET和IGBT相比的優(yōu)勢(shì)：
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科銳將在美國(guó)建造全球最大SiC制造廠
這一新制造工廠是先前所宣布計(jì)劃的一部分，旨在顯著提升用于Wolfspeed碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）業(yè)務(wù)的產(chǎn)能，將建設(shè)成為一座規(guī)模更大、高度自動(dòng)化和更高生產(chǎn)能力的工廠。
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意法半導(dǎo)體提供先進(jìn)的碳化硅功率電子器件，助力雷諾-日產(chǎn)-三菱聯(lián)盟下一代電動(dòng)汽車(chē)快充技術(shù)研發(fā)
·碳化硅(SiC)是一種性能極高的功率半導(dǎo)體技術(shù)，使可持續(xù)發(fā)展的智慧出行模式前景可期 ·意法半導(dǎo)體SiC器件的高能效、耐高溫表現(xiàn)、高可靠性和小尺寸讓電動(dòng)汽車(chē)更具吸引力
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賀利氏鉑電阻溫度傳感器亮相2019中國(guó)(上海)傳感器技術(shù)與應(yīng)用展
近年來(lái)，由于市場(chǎng)對(duì)傳感器技術(shù)的需求不斷增長(zhǎng)，賀利氏憑借適用于各類(lèi)應(yīng)用的溫度傳感器產(chǎn)品取得了強(qiáng)勁的增長(zhǎng)。賀利氏溫度傳感器能夠精確測(cè)量高達(dá)1050°C的溫度，強(qiáng)大的技術(shù)優(yōu)勢(shì)讓賀利氏在鉑電阻傳感器市場(chǎng)不斷擴(kuò)大市場(chǎng)份額。
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SiC等新一代材料的功率器件開(kāi)發(fā)
在科學(xué)技術(shù)飛速發(fā)展的今天，離不開(kāi)我們科研人員的辛勤付出，制造出如此多的電子產(chǎn)品，然而大家只關(guān)注這些產(chǎn)品的使用，只有研究人員會(huì)關(guān)注內(nèi)部結(jié)構(gòu)，這其中就要數(shù)功率器件了。從誕生之日起，市場(chǎng)對(duì)功率器件的需求都是一致的，即追求更快的開(kāi)關(guān)速度、更高的耐壓、更大的電流、更強(qiáng)的耐沖擊性能、更好的高頻性能、更低的驅(qū)動(dòng)損耗等。
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減少功率轉(zhuǎn)換損耗的SiC功率器件
在現(xiàn)代能源基礎(chǔ)設(shè)施中，電力電子技術(shù)仍以過(guò)去幾十年的陳舊技術(shù)為基礎(chǔ)。隨著社會(huì)的不斷進(jìn)步，技術(shù)的不斷發(fā)展，科技產(chǎn)品也日新月異，產(chǎn)品都需要功率器件，好的功率器件需要更好的設(shè)計(jì)者來(lái)設(shè)計(jì)，功率器件對(duì)電子產(chǎn)品是功不可沒(méi)的。硅材料在很多方面已經(jīng)接近其理論性能極限，因此業(yè)界在不斷尋找新的半導(dǎo)體元器件材料，以期從根本上提升轉(zhuǎn)化和利用電力的效率。
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安森美的SiC及GaN產(chǎn)品
在日常生活中，電子產(chǎn)品處處可見(jiàn)，大家都知道如何使用，但是都不會(huì)去了解電子產(chǎn)品里面有什么，其實(shí)里面很重要的是功率器件。更為嚴(yán)格的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和政府法規(guī)的變遷是更高能效產(chǎn)品的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)因素。例如數(shù)據(jù)中心正呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)以跟上需求，其耗電量約占全球總電力供應(yīng)量(+ 400TWh)的3%，也占總溫室氣體排放量的2%，與航空業(yè)的碳排放量相同。
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美高森美的SiC解決方案的開(kāi)發(fā)工作
致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差異化的領(lǐng)先半導(dǎo)體技術(shù)方案供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation) 發(fā)布專(zhuān)門(mén)用于高電流、低導(dǎo)通阻抗(RDSon) 碳化硅 (SiC) MOSFET功率模塊的極低電感封裝。
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為啥說(shuō)SiC在功率器件領(lǐng)域更具有競(jìng)爭(zhēng)力？
如今在需求龐大的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)上，來(lái)自工藝材料方面的競(jìng)爭(zhēng)十分激烈，傳統(tǒng)硅材料和新興的SiC、GaN工藝各有擁躉。不過(guò)，在當(dāng)前的時(shí)間節(jié)點(diǎn)，SiC的綜合優(yōu)勢(shì)似乎更具有競(jìng)爭(zhēng)力。SiC是一種基于硅和碳的復(fù)合半
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SiC產(chǎn)業(yè)化，多項(xiàng)第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)通過(guò)評(píng)審
6月27日，中關(guān)村天合寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“寬禁帶聯(lián)盟”）第三批團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)初審稿評(píng)審會(huì)舉行，對(duì)6項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)初審稿進(jìn)行評(píng)審。據(jù)寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟消息，與會(huì)專(zhuān)家一致同意以下6項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)初
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電動(dòng)汽車(chē)上的“全SiC”功率器件，系關(guān)鍵要素
作為半導(dǎo)體界公認(rèn)的“一種未來(lái)的材料”，在沉寂了一段時(shí)間之后，SiC功率元器件終于在汽車(chē)市場(chǎng)迎來(lái)了爆發(fā)，尤其是在有著巨大增長(zhǎng)機(jī)會(huì)的電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域。據(jù)了解，基于SiC的功率半導(dǎo)體先前主要用于電動(dòng)汽車(chē)的車(chē)載充
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CISSOID發(fā)布最新工業(yè)和汽車(chē)級(jí)碳化硅功率模塊高溫柵極驅(qū)動(dòng)器創(chuàng)新成果
2019年7月16日,CISSOID今日宣布，公司將在7月17日 – 20日于北京舉行的“第二屆亞太碳化硅及相關(guān)材料國(guó)際會(huì)議”上，發(fā)表題為“一種用于工業(yè)和汽車(chē)級(jí)碳化硅MOSFET功率模塊的高溫柵極驅(qū)動(dòng)器”的論文，并介紹公司在該領(lǐng)域的最新研究開(kāi)發(fā)成果。CISSOID首席技術(shù)官Pierre Delatte將于19日在該會(huì)議上發(fā)表該文章。
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深入剖析碳化硅：羅姆為你揭示背后的成本秘密
作為第三代半導(dǎo)體中的明星，碳化硅因?yàn)槠洫?dú)有的特性和優(yōu)勢(shì)受到各方青睞。尤其是時(shí)下電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)的火爆，助推了碳化硅器件的發(fā)展與應(yīng)用。不過(guò)，作為新興事物，碳化硅器件的產(chǎn)品良率及價(jià)格問(wèn)題使得其應(yīng)用變得撲朔迷離。碳化硅器件到底好在哪?目前主要應(yīng)用領(lǐng)域?成本與硅相比差多少?發(fā)展前景如何?最近，碳化硅主要供應(yīng)商羅姆半導(dǎo)體公司舉辦座談會(huì)，羅姆半導(dǎo)體(北京)有限公司技術(shù)中心所長(zhǎng)水原德建先生就這些問(wèn)題進(jìn)行了詳細(xì)介紹。
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新能源汽車(chē)被重視，SiC 元器件為何迎來(lái)爆發(fā)？
作為半導(dǎo)體界公認(rèn)的“一種未來(lái)的材料”，在沉寂了一段時(shí)間之后，SiC功率元器件終于在汽車(chē)市場(chǎng)迎來(lái)了爆發(fā)，尤其是在有著巨大增長(zhǎng)機(jī)會(huì)的電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域。
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