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CISSOID推出適用于航空應(yīng)用的SiC智能功率模塊，以滿足其對自然冷卻的需求
— CISSOID高溫芯片和模塊技術(shù)亦將大力推動電動汽車動力總成的深度整合 —
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領(lǐng)先的SiC/GaN功率轉(zhuǎn)換器的驅(qū)動
面向新一代功率轉(zhuǎn)換器的ADI隔離式柵極驅(qū)動器、電源控制器和處理器
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通過合適的柵極驅(qū)動技術(shù)最大化SiC的性能
電動汽車革命即將來臨。汽車公司拼命地尋求技術(shù)優(yōu)勢，驅(qū)動電動汽車的電力電子設(shè)備正在迅速發(fā)展。
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賦能未來，勇往直前---科銳聯(lián)合創(chuàng)始人發(fā)表SiC MOSFET十周年文章
2021年3月18日，美國北卡羅萊納州達(dá)勒姆訊––全球碳化硅技術(shù)領(lǐng)先企業(yè)科銳Cree, Inc. 聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席技術(shù)官John Palmour 博士發(fā)表了以《賦能未來，勇往直前：SiC MOSFET問世10周年的思索》為題的文章。
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UnitedSiC發(fā)布新的FET-Jet計(jì)算器TM
易于使用的在線功率設(shè)計(jì)工具可以幫助工程師找出理想的SiC FET設(shè)計(jì)解決方案
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加碼碳化硅賽道，斯達(dá)半導(dǎo)體定增募資35億元
3月3日，嘉興斯達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司（以下簡稱“斯達(dá)半導(dǎo)體”）發(fā)布2021年度非公開發(fā)行A股股票預(yù)案。公告中披露本次非公開發(fā)行股票募集資金總額不超過35億元，主要投向高壓特色工藝功率芯片和 SiC 芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，以及功率半導(dǎo)體模塊生產(chǎn)線自動化改造項(xiàng)目，同時補(bǔ)充公司流動資金。
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安森美半導(dǎo)體發(fā)布新的650 V碳化硅 (SiC) MOSFET
推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ONSemiconductor)，發(fā)布一系列新的碳化硅 (SiC) MOSFET器件，適用于功率密度、能效和可靠性攸關(guān)的高要求應(yīng)用。設(shè)計(jì)人員用新的SiC器件取代現(xiàn)有的硅開關(guān)技術(shù)，將在電動汽車(EV)車載充電器(OBC)、太陽能逆變...
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安森美半導(dǎo)體發(fā)布新的650 V碳化硅 (SiC) MOSFET
優(yōu)異的開關(guān)和更高的可靠性在各種挑戰(zhàn)性應(yīng)用中提高功率密度
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Vishay推出新型650 V SiC肖特基二極管，提升高頻應(yīng)用能效
器件額定電流4 A~40 A，采用MPS結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，降低開關(guān)損耗和溫變影響
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羅姆阿波羅筑后工廠的環(huán)保型新廠房竣工，為SiC功率元器件生產(chǎn)增能!
全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都市)為了增強(qiáng)SiC功率元器件的產(chǎn)能，在ROHM Apollo Co.，Ltd.(總部位于日本福岡縣)筑后工廠投建了新廠房。
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科銳推出新型SiC功率模塊產(chǎn)品系列，為電動汽車快速充電和太陽能市場提供業(yè)界領(lǐng)先的效率
新型Wolfspeed WolfPACK?模塊系列助力高增長的中功率技術(shù)的快速量產(chǎn)
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這家公司如何看待2020年的四大關(guān)鍵詞：疫情、并購、缺貨、SiC
提到半導(dǎo)體公司，能夠最先想到的是哪個公司？或許是Intel、三星、海力士、美光這些企業(yè)。而提到電源、傳感器、模擬器件這些領(lǐng)域，就不得不提到安森美半導(dǎo)體（ONsemi）這家企業(yè)了。
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這家公司如何看待2020年的四大關(guān)鍵詞：疫情、并購、缺貨、SiC
這家企業(yè)正在以驚人速度發(fā)展，成為半導(dǎo)體新興的領(lǐng)袖之一。那么這家企業(yè)在去年一年如何應(yīng)對行業(yè)各種突發(fā)事件，未來又將如何發(fā)展？21ic中國電子網(wǎng)受邀參加安森美半導(dǎo)體線上交流會，共話公司戰(zhàn)略及發(fā)展情況。
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什么是SiC光伏并網(wǎng)逆變器？你知道嗎？
人類社會的進(jìn)步離不開社會上各行各業(yè)的努力，各種各樣的電子產(chǎn)品的更新?lián)Q代離不開我們的設(shè)計(jì)者的努力，其實(shí)很多人并不會去了解電子產(chǎn)品的組成，比如SiC光伏并網(wǎng)逆變器。
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英飛凌推出CoolSiC? CIPOS? Maxi，全球首款采用轉(zhuǎn)模封裝的1200 V碳化硅IPM
英飛凌科技股份公司推出了采用轉(zhuǎn)模封裝的1200 V碳化硅(SiC)集成功率模塊(IPM)，并在今年大規(guī)模推出了SiC解決方案。
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UAES與羅姆成立“SiC技術(shù)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室”并舉行啟動儀式
聯(lián)合汽車電子有限公司與全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆在中國上海的UAES總部成立了“SiC技術(shù)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室”，并于2020年10月舉行了啟動儀式。
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聯(lián)合碳化硅基于第四代先進(jìn)技術(shù)推出新型SiC FET器件
業(yè)界首批750V器件為高增長電源應(yīng)用設(shè)定性能基準(zhǔn)
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SiC取代Si器件的道路上，最大的挑戰(zhàn)已被攻克
作為第三代半導(dǎo)體，SiC憑借著多方面更優(yōu)異的性能正在向更多應(yīng)用領(lǐng)域擴(kuò)展，但不容回避，成本、易用性方面，傳統(tǒng)的SiC器件在某些方面仍然稍遜于硅器件，這也讓碳化硅器件取代硅器件的發(fā)展之路面臨挑戰(zhàn)。
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SiC助力功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用結(jié)溫升高，將大大改變電力系統(tǒng)的設(shè)計(jì)格局
Yole Development 的市場調(diào)查報告表明，自硅功率半導(dǎo)體器件誕生以來，應(yīng)用的需求一直推動著結(jié)溫升高，目前已達(dá)到150℃。
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兼具SiC MOSFET與二極管之長的相臂SiCMOSFET模塊
在生活中，你可能接觸過各種各樣的電子產(chǎn)品，那么你可能并不知道它的一些組成部分，比如它可能含有的相臂SiCMOSFET模塊，那么接下來讓小編帶領(lǐng)大家一起學(xué)習(xí)相臂SiCMOSFET模塊。
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