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羅姆集團(tuán)旗下的SiCrystal成立25周年
全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆集團(tuán)旗下的 SiCrystal GmbH(以下簡稱“SiCrystal”)迎來了成立25周年紀(jì)念日。
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寬帶隙 (WBG) 材料在電源應(yīng)用的前景
寬帶隙 (WBG) 材料逐漸在電源管理和其他應(yīng)用的成本效益分析中幸存下來，電動汽車可能會推動采用成本高但性能更高的碳化硅，并按降序排列氮化鎵器件。使用 WBG 半導(dǎo)體可產(chǎn)生超過 95% 的潛在效率，大大擴(kuò)展范圍。 功率轉(zhuǎn)換器是利用可再生能源進(jìn)行運(yùn)輸和工業(yè)應(yīng)用的關(guān)鍵組件。為了促進(jìn)功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)所需的進(jìn)步，可以選擇基于碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 的新型 WBG 半導(dǎo)體技術(shù)。
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SiC 和 GaN：兩種半導(dǎo)體的故事
在過去的幾十年中，碳化硅和氮化鎵技術(shù)的進(jìn)步一直以發(fā)展、行業(yè)接受度不斷提高和有望實(shí)現(xiàn)數(shù)十億美元收入為特征。第一個商用 SiC 器件于 2001 年以德國英飛凌的肖特基二極管的形式問世。隨之而來的是快速發(fā)展，到 2026 年，工業(yè)部門現(xiàn)在有望超過 40 億美元。 2010 年，當(dāng)總部位于美國的 EPC 交付其超快速開關(guān)晶體管時，GaN 首次驚艷了整個行業(yè)。市場采用率尚未與 SiC 相匹配，但到 2026 年，功率 GaN 收入可能達(dá)到 10 億美元。
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英飛凌推出采用D2PAK封裝的650 V CoolSiCTM MOSFET，進(jìn)一步降低應(yīng)用損耗并提高可靠性
【2022年3月31日，德國慕尼黑訊】在數(shù)字化、城市化和電動汽車等大趨勢的推動下，電力消耗日益增加。與此同時，提升能源效率的重要性也在與日俱增。為了順應(yīng)當(dāng)下全球發(fā)展大勢并滿足相關(guān)市場需求，英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)推出了650 V CoolSiCTM MOSFET系列新產(chǎn)品。該產(chǎn)品具有高可靠性、易用性和經(jīng)濟(jì)實(shí)用等特點(diǎn)，能夠提供卓越的性能。這些SiC器件采用了英飛凌先進(jìn)的SiC溝槽工藝、緊湊的D2PAK 表面貼裝7引腳封裝和.XT互連技術(shù)，廣泛適用于大功率應(yīng)用，包括服務(wù)器、電信設(shè)備、工業(yè)SMPS、電動汽車快速充電、電機(jī)驅(qū)動、太陽能系統(tǒng)、儲能系統(tǒng)和電池化成等。
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如何贏得一半以上的碳化硅MOSFET市場份額，并將其持續(xù)擴(kuò)大？
ST獲得了全球50%以上的SiC MOSFET市場份額；并且在寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域進(jìn)行了襯底技術(shù)收購、產(chǎn)能投資，擁有了全生產(chǎn)鏈條的掌控力。本文分享了ST在SiC領(lǐng)域獲得成功的原因，如何保持領(lǐng)先的未來戰(zhàn)略規(guī)劃，以及對于整個寬禁帶器件行業(yè)的前景解讀。
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一文解讀！搶占寬禁帶半導(dǎo)體材料及應(yīng)用的戰(zhàn)略制高點(diǎn)！
2021年9月5日，由保定市人民政府和第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟共同主辦的“2021白石山第三代半導(dǎo)體峰會”在保定市淶源成功召開。中國工程院院士、北京有色金屬研究總院名譽(yù)院長、中國有色金屬工業(yè)協(xié)會特邀副會長屠海令線上參加并致辭，指出發(fā)展第三代半導(dǎo)體要做好頂層設(shè)計(jì)，研發(fā)和生產(chǎn)并重。本文長聯(lián)半導(dǎo)體為您介紹如何搶占寬禁帶半導(dǎo)體材料及應(yīng)用的戰(zhàn)略制高點(diǎn)。
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車規(guī)級SiC供應(yīng)商桑德斯，填補(bǔ)國內(nèi)1200V 25mΩ SiC MOS空白
2021年12月9日，桑德斯微電子器件(南京)有限公司與世強(qiáng)硬創(chuàng)平臺達(dá)成協(xié)議，授權(quán)世強(qiáng)代理旗下碳化硅(SiC)、二級管等產(chǎn)品代理。
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通過SiC技術(shù)電機(jī)逆變器實(shí)現(xiàn)電動汽車行駛里程拓展的承諾
目前有兩大因素影響著車輛運(yùn)輸和半導(dǎo)體技術(shù)的未來。行業(yè)正在擁抱令人振奮的新方法，即以清潔的電力驅(qū)動我們的汽車，同時重新設(shè)計(jì)支撐電動汽車(EV)子系統(tǒng)的半導(dǎo)體材料，以最大程度地提高功效比，進(jìn)而增加電動汽車的行駛里程。
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環(huán)旭電子預(yù)計(jì)2022量產(chǎn)電動車用逆變器使用的IGBT與SiC電源模塊
搭配電動車市場的快速成長，近年環(huán)旭電子(上海證券交易所股票代碼: 601231)開始布局切入功率半導(dǎo)體國際大廠的電源模塊的組裝生產(chǎn)與測試，近期獲得相當(dāng)多歐美與日系客戶青睞，預(yù)計(jì)在2022正式量產(chǎn)電動車用逆變器(Inverter)使用的IGBT與SiC電源模塊。
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即刻報名 | 直播啦！先進(jìn)汽車電子方案大薈萃
點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們隨著汽車功能電子化、自動駕駛、先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)的快速進(jìn)展，汽車的發(fā)展可謂一日千里，正在改變個人交通的界限。如何使汽車更輕、續(xù)航更遠(yuǎn)、實(shí)現(xiàn)更高級別的自動駕駛并提升先進(jìn)安全?安森美(onsemi)的智能電源和智能感知技術(shù)和方案提供“相輔相成”的力量和最先...
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第三代半導(dǎo)體潮起，我國GaN射頻市場迎何機(jī)遇？
第三代半導(dǎo)體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導(dǎo)率、更大的電子飽和速度以及更高的抗輻射能力，更適合制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件。
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派恩杰SiC MOSFET批量“上車”，擬建車用SiC模塊封裝產(chǎn)線
自2018年特斯拉Model3率先搭載基于全SiC MOSFET模塊的逆變器后，全球車企紛紛加速SiC MOSFET在汽車上的應(yīng)用落地。但目前全球碳化硅市場基本被國外壟斷，據(jù)Yole數(shù)據(jù)，Cree，英飛凌，羅姆，意法半導(dǎo)體占據(jù)了90%的市場份額。國產(chǎn)廠商已有不少推出了碳化硅二極管，但具有SiC MOSFET研發(fā)和量產(chǎn)能力的企業(yè)鳳毛麟角。
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意法半導(dǎo)體的穩(wěn)健的隔離式 SiC 柵極驅(qū)動器采用窄型 SO-8 封裝可節(jié)省空間
點(diǎn)擊“意法半導(dǎo)體PDSA"，關(guān)注我們！中國，2021年10月19日意法半導(dǎo)體的?STGAP2SiCSN?是為控制碳化硅MOSFET而優(yōu)化的單通道柵極驅(qū)動器，采用節(jié)省空間的窄體SO-8封裝，具有穩(wěn)健的性能和精確的PWM控制。SiC功率技術(shù)被廣泛用于提高功率轉(zhuǎn)換效率，SiC驅(qū)動器ST...
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Nexperia推出全新高性能碳化硅(SiC)二極管系列，繼續(xù)擴(kuò)充寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品
工業(yè)級650V、10A SiC肖特基二極管樣品現(xiàn)已開始供貨。還將計(jì)劃推出1200V/6-20A電流范圍部件和車規(guī)級部件
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羅姆獲選為UAES的SiC功率解決方案優(yōu)先型供應(yīng)商
全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（ROHM Co., Ltd.，以下簡稱“羅姆”）獲選為中國汽車行業(yè)一級綜合性供應(yīng)商——聯(lián)合汽車電子有限公司（United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. ，以下簡稱“UAES”）的SiC功率解決方案優(yōu)先型供應(yīng)商。
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使用新的電機(jī)驅(qū)動器替換老化的光耦合器柵極驅(qū)動器
電動機(jī)用于電梯、食品加工設(shè)備、工廠自動化、機(jī)器人、起重機(jī)……不勝枚舉。交流感應(yīng)電機(jī)在此類應(yīng)用中很常見，并且總是使用功率級中用于驅(qū)動它們的絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)。典型的總線電壓為 200 V DC至 1,000 V DC。IGBT 進(jìn)行電子換向以實(shí)現(xiàn)交流感應(yīng)電機(jī)所需的正弦電流。
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650V 60mΩ SiC MOSFET高溫性能測試對比，國產(chǎn)器件重載時溫度更低
自特斯拉第一次采用ST 650V SiC MOSFET后，目前市場上CREE、UnitedSiC、羅姆、Infineon都有650V?SiC MOSFET產(chǎn)品。國內(nèi)廠商派恩杰半導(dǎo)體也推出了650V 60mΩSiC MOSFET。相較于國外廠商，國內(nèi)廠商的SiC MOSFET產(chǎn)品性能到底如何？派恩杰半導(dǎo)體采用自主設(shè)計(jì)的Buck-Boost效率測試平臺針對650V 60mΩSiC MOSFET高溫性能進(jìn)行了對比測試。本文分享測試結(jié)果。
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Wolfspeed 與致瞻科技采用SiC技術(shù)提升燃料電池汽車性能
2021年10月19日，美國北卡羅來納州達(dá)勒姆市與中國上海市訊 — 全球碳化硅（SiC）技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed, Inc. (NYSE: WOLF) 于近日宣布與致瞻科技（上海）有限公司的成功合作。致瞻科技（上海）有限公司是寬禁帶器件應(yīng)用和先進(jìn)電能轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的創(chuàng)新者，該公司燃料電池汽車全碳化硅控制器采用了Wolfspeed? 1200V SiC MOSFET。
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意法半導(dǎo)體的穩(wěn)健的隔離式 SiC 柵極驅(qū)動器采用窄型 SO-8 封裝可節(jié)省空間
中國，2021 年 10 月 19 日——意法半導(dǎo)體的 STGAP2SiCSN是為控制碳化硅 MOSFET而優(yōu)化的單通道柵極驅(qū)動器，采用節(jié)省空間的窄體 SO-8 封裝，具有穩(wěn)健的性能和精確的 PWM 控制。
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首款國產(chǎn)1700V SiC MOSFET獲“低碳能效獎“，可提升電源效率4%！
P3M173K0K3是派恩杰半導(dǎo)體有限公司針對高壓輔助電源應(yīng)用而開發(fā)，具有較高的耐壓，極低的柵極電荷，較小的導(dǎo)通電阻Rds(on), 使其廣泛適用于工業(yè)電機(jī)驅(qū)動，光伏，直流充電樁，儲能變換器器以及UPS等三相功率變換系統(tǒng)中輔助電源設(shè)計(jì)，可以提高輔助電源系統(tǒng)效率、簡化驅(qū)動電路設(shè)計(jì)，降低散熱成本，大幅度減少輔助開關(guān)電源成本。
