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對SiC MOSFET進(jìn)行柵極應(yīng)力測試
了解半導(dǎo)體器件的故障模式是創(chuàng)建篩選、鑒定和可靠性測試的關(guān)鍵，這些測試可以確保器件在數(shù)據(jù)表規(guī)定的范圍內(nèi)運行，并滿足汽車和其他電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中要求的越來越嚴(yán)格的十億分之一故障率。在本文中，我們將討論對碳化硅 MOSFET 器件執(zhí)行的柵極開關(guān)應(yīng)力 (GSS) 測試。
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SiC功率器件生產(chǎn)規(guī)模效益擴(kuò)大，英飛凌全球最大8英寸SiC晶圓廠正式進(jìn)入生產(chǎn)營運
正在持續(xù)擴(kuò)建的英飛凌居林工廠第三廠區(qū)已經(jīng)獲得了總價值約 50 億歐元的設(shè)計訂單，并且收到了來自新老客戶約10億歐元的預(yù)付款。值得一提的是，這些設(shè)計訂單來自不同行業(yè)的客戶，包括汽車行業(yè)的六家整車廠以及可再生能源和工業(yè)領(lǐng)域的客戶。 隨著居林工廠第三廠區(qū)的正式運營投產(chǎn)，英飛凌正在持續(xù)擴(kuò)大其在SiC生產(chǎn)制造領(lǐng)域的規(guī)模優(yōu)勢，提升產(chǎn)能效益，同時將寬禁帶功率器件帶入到一個更為廣闊且多元的應(yīng)用版圖，助力行業(yè)向更高效、更可持續(xù)的未來邁進(jìn)。
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何謂碳化硅
近年來，使用“功率元器件”或“功率半導(dǎo)體”等說法，以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立(分立半導(dǎo)體)元器件備受矚目。這是因為，為了應(yīng)對全球共通的 “節(jié)能化”和“小型化”課題，需要高效率高性能的功率元器件。
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SiC功率元器件的開發(fā)背景和優(yōu)點
SiC是在熱、化學(xué)、機械方面都非常穩(wěn)定的化合物半導(dǎo)體，對于功率元器件來說的重要參數(shù)都非常優(yōu)異。作為元件，具有優(yōu)于Si半導(dǎo)體的低阻值，可以高速工作，高溫工作，能夠大幅度削減從電力傳輸?shù)綄嶋H設(shè)備的各種功率轉(zhuǎn)換過程中的能量損耗。
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碳化硅在電子領(lǐng)域中的應(yīng)用
硅成為制造半導(dǎo)體產(chǎn)品的主要原材料，廣泛應(yīng)用于集成電路等低壓、低頻、低功率場景。但是，第一代半導(dǎo)體材料難以滿足高功率及高頻器件需求。
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碳化硅MOSFET在充電樁電源模塊、光伏逆變器、光儲一體機中的應(yīng)用
SiC 具有寬的禁帶寬度、高擊穿電場、高熱傳導(dǎo)率和高電子飽和速率的物理性能，使其有耐高溫、耐高壓、高頻、大功率、抗輻射等優(yōu)點，可降低下游產(chǎn)品能耗、減少終端體積
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TrendForce集邦咨詢：2023年SiC功率元件營收排名，ST以32.6%市占率穩(wěn)居第一
Jun. 20, 2024 ---- 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，2023年全球SiC功率元件產(chǎn)業(yè)在純電動汽車應(yīng)用的驅(qū)動下保持強勁成長，前五大SiC功率元件供應(yīng)商約占整體營收91.9%，其中ST以32.6%市占率持續(xù)領(lǐng)先，onsemi則是由2022年的第四名上升至第二名。
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一文了解SiC MOS的應(yīng)用
作為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料，碳化硅MOSFET具有更高的開關(guān)頻率和使用溫度，能夠減小電感、電容、濾波器和變壓器等組件的尺寸，提高系統(tǒng)電力轉(zhuǎn)換效率，并且降低對熱循環(huán)的散熱要求。在電力電子系統(tǒng)中，應(yīng)用碳化硅MOSFET器件替代傳統(tǒng)硅IGBT器件，可以實現(xiàn)更低的開關(guān)和導(dǎo)通損耗，同時具有更高的阻斷電壓和雪崩能力，顯著提升系統(tǒng)效率及功率密度，從而降低系統(tǒng)綜合成本。
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如何設(shè)計SiC功率元器件中的浪涌抑制電路？
SiC功率元器件中浪涌抑制電路設(shè)計將是下述內(nèi)容的主要介紹對象，通過這篇文章，小編希望大家可以對它的相關(guān)情況以及信息有所認(rèn)識和了解，詳細(xì)內(nèi)容如下。
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Nexperia的650 V SiC二極管產(chǎn)品組合現(xiàn)可滿足汽車和更廣泛的工業(yè)應(yīng)用需求
符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的肖特基二極管現(xiàn)采用R2P DPAK封裝
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ROHM開發(fā)出新型二合一 SiC封裝模塊“TRCDRIVE pack?”
小型封裝內(nèi)置第4代SiC MOSFET，實現(xiàn)業(yè)界超高功率密度，助力xEV逆變器實現(xiàn)小型化!
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英飛凌：穩(wěn)居全球功率和汽車半導(dǎo)體之首， 首次拿下全球汽車微控制器NO.1
英飛凌位列2023全球半導(dǎo)體供應(yīng)商第九，穩(wěn)居全球功率和汽車半導(dǎo)體之首。2023年英飛凌汽車MCU銷售額較上年增長近44%，約占全球市場的29%，首次拿下全球汽車MCU市場份額第1。
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Nexperia出色的SiC MOSFET分立器件采用越來越受歡迎的D2PAK-7封裝
1200 V器件采用SMD-7封裝，性能領(lǐng)先同類產(chǎn)品
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用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低側(cè)柵極驅(qū)動器
新型驅(qū)動器可提供量身定制的導(dǎo)通和關(guān)斷時序，將開關(guān)損耗降至最低，并增強dV/dt抗擾性能
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羅姆集團(tuán)旗下的SiCrystal與意法半導(dǎo)體擴(kuò)大SiC晶圓供應(yīng)合同
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM Co., Ltd.(以下簡稱“羅姆”)和為各種電子設(shè)備提供半導(dǎo)體的全球著名半導(dǎo)體制造商意法半導(dǎo)體(以下簡稱“ST”)宣布，羅姆集團(tuán)旗下的SiCrystal GmbH(以下簡稱“SiCrystal”)將擴(kuò)大目前已持續(xù)多年的150mm SiC晶圓長期供應(yīng)合同。
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英飛凌全新CoolSiC? MOSFET 750 V G1產(chǎn)品系列推動汽車和工業(yè)解決方案的發(fā)展
【2024年3月14日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出750V G1分立式CoolSiC? MOSFET，以滿足工業(yè)和汽車功率應(yīng)用對更高能效和功率密度日益增長的需求。該產(chǎn)品系列包含工業(yè)級和車規(guī)級SiC MOSFET，針對圖騰柱 PFC、T型、LLC/CLLC、雙有源橋（DAB）、HERIC、降壓/升壓和移相全橋（PSFB）拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)行了優(yōu)化。這些MOSFET適用于典型的工業(yè)應(yīng)用（包括電動汽車充電、工業(yè)驅(qū)動器、太陽能和儲能系統(tǒng)、固態(tài)斷路器、UPS系統(tǒng)、服務(wù)器/數(shù)據(jù)中心、電信等）和汽車領(lǐng)域（包括車載充電器（OBC）、直流-直流轉(zhuǎn)換器等）。
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Microchip推出3.3 kV XIFM 即插即用mSiC? 柵極驅(qū)動器 進(jìn)一步擴(kuò)展其mSiC 解決方案，加速高壓SiC 電源模塊采用
這款高度集成的 3.3 kV XIFM 即插即用數(shù)字柵極驅(qū)動器可與基于SiC的高壓電源模塊搭配使用，從而簡化并加快系統(tǒng)集成
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Allegro MicroSystems推出高帶寬電流傳感器技術(shù) 幫助實現(xiàn)高性能電源轉(zhuǎn)換
全新高功率密度傳感器能夠降低能量損耗，同時改進(jìn)SiC和GaN技術(shù)的效率和可靠性
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英飛凌：增強功率系統(tǒng)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位，助力低碳可持續(xù)發(fā)展
如何把握住2024年的行業(yè)新機遇，實現(xiàn)技術(shù)突破創(chuàng)新，賦能各類新興應(yīng)用的發(fā)展？新一年伊始，我們采訪到了英飛凌科技全球高級副總裁暨大中華區(qū)總裁、英飛凌電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部大中華區(qū)負(fù)責(zé)人潘大偉，他和我們分享了英飛凌這一年來的成績，以及對于明年的市場趨勢展望。
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Power Integrations推出具有快速短路保護(hù)功能且適配62mm SiC和IGBT模塊的門極驅(qū)動器
適合額定耐壓1200V和1700V應(yīng)用的通用型可擴(kuò)展門極驅(qū)動器
