SiC應(yīng)用十幾年了,現(xiàn)在這個第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展現(xiàn)狀如何了?21ic中國電子網(wǎng)記者連線了安森美半導(dǎo)體電源方案部產(chǎn)品市場經(jīng)理王利民,講述安森美半導(dǎo)體在SiC上的故事。
科銳正在推進從硅 (Si) 向碳化硅 (SiC) 的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型
本文將探討如何在雪崩工作條件下評估SiC MOSFET的魯棒性。
2月7日,株洲中車時代電氣SiC(碳化硅)生產(chǎn)線上,工人忙著生產(chǎn)。 透過通透的玻璃擋板,可以看到從頭到腳“全副武裝”的粉色制服技術(shù)人員和藍(lán)色制服設(shè)備
你知道助力在系統(tǒng)層面優(yōu)化效率的碳化硅(SiC)電源器件系列產(chǎn)品嗎?它有什么作用?業(yè)界希望基于碳化硅(SiC)的系統(tǒng)能最大程度地提升效率、減小尺寸和重量,從而幫助工程師創(chuàng)建創(chuàng)新的電源解決方案;這一需求正在持續(xù)、快速地增長。SiC技術(shù)的應(yīng)用場景包括電動汽車、充電站、智能電網(wǎng)、工業(yè)電力系統(tǒng)和飛機電力系統(tǒng)等。
摘要 – 在未來幾年投入使用SiC技術(shù)來應(yīng)對汽車電子技術(shù)挑戰(zhàn)是ECSEL JU 的WInSiC4AP項目所要達到的目標(biāo)之一。ECSEL JU和ESI協(xié)同為該項目提供資金支持,實現(xiàn)具有重大經(jīng)濟和社
~可加快車載主機逆變器等的普及速度~
Formula E已經(jīng)走到第五個賽季,一路展示著EV(電動汽車)其獨有的魅力。電光火石間,“科技凝聚體”以280Km/h的速度穿過紐約,巴黎,香港等各大城市的公共道路,同時收獲了以千禧一代為首,
有助于進一步提高電動汽車領(lǐng)域電力電子器件的效率
受惠于電動車市場需求提升,為因應(yīng)高電壓、高頻率及低耗損的技術(shù)需求,SiC(碳化硅)功率元件被視為接替高電壓IGBT的產(chǎn)品,可分為:SiC-SBD(SiC-蕭特基二極管)、SiC-MOSFET、H
2020年5月28日,新澤西州普林斯頓:領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC,現(xiàn)已任命劉魯偉為亞洲銷售副總裁。
一文看明白眾說紛紜的SiC(文末報名在線研討會) ? 第一代半導(dǎo)體材料一般是指硅(Si)元素和鍺(Ge)元素,其奠定了20 世紀(jì)電子工業(yè)的基礎(chǔ)。第二代半導(dǎo)體材料主要指化合物半導(dǎo)體材料,如砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、磷化鎵(GaP)、砷化銦(InAs)、砷化
什么是SiC和GaN?它有什么作用?SiC和GaN被稱為“寬禁帶半導(dǎo)體”(WBG),因為將這些材料的電子從價帶擴散到導(dǎo)帶所需的能量為:在硅中,該能量為1.1eV, SiC(碳化硅)為3.3eV,GaN(氮化鎵)為3.4eV。這導(dǎo)致較高的適用擊穿電壓,在某些應(yīng)用中可以達到1200至1700V。由于使用了生產(chǎn)工藝,WBG設(shè)備顯示出以下優(yōu)勢:
點擊上方藍(lán)字關(guān)注我們 安森美半導(dǎo)體: 不斷推進與車企的各種合作項目 安森美半導(dǎo)體提供大范圍的車用碳化硅 (SiC) MOSFET 和車用SiC二極管,包括:650V SiC二極管、1200V SiC二極管、1700V SiC二極管、650V SiC MOSFET (現(xiàn)提供樣品,今...
安森美半導(dǎo)體的市場份額增長極快,2019年成為了排名第五的碳化硅供應(yīng)商,而這家廠商的愿景是在2025年躋身前三甲。
【ROHM在線研討會】 將于5月28日重磅開啟! ? 以碳化硅(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體 具備高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射能力強等優(yōu)越性能? ? 材料方面 高品質(zhì) 4 英寸襯底全面商業(yè)化 6 英寸襯底的商業(yè)化也在持續(xù)推進 ? 產(chǎn)業(yè)方面 國際企業(yè)紛紛加強
根據(jù)調(diào)研機構(gòu)Gartner公司的調(diào)查,到2021年,全球各地的組織將通過人工智能創(chuàng)造將近3萬億美元的商業(yè)價值。 有些人表示,人工智能技術(shù)有朝一日可能完全取代工作場所中的人類。至少在可預(yù)見
動力電池是新能源汽車的核心能量源。為保障電池高效、可靠、安全運行,需要通過電池管理系統(tǒng)(BMS)對動力電池進行實時監(jiān)控、故障診斷、SOC 估算、短路保護等,并通過 CAN 總線與車輛集成控制器進
在5G、電動車、電源裝置等應(yīng)用的推動下,第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵(GaN)產(chǎn)業(yè)需求已逐漸升溫。 由于對設(shè)計、制造業(yè)者來說,資金、良率、成本、技術(shù)等環(huán)節(jié)皆為投入GaN領(lǐng)域的考驗,因此早期多由歐美IDM業(yè)者
硅是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的代表元素,作為最基礎(chǔ)的器件原料,硅的性能已經(jīng)接近了其物理極限。近年來隨著電動汽車、5G的新應(yīng)用的普及,對于功率器件的性能提出了更高的要求。例如GaN、砷化鎵和SiC(碳化硅)等新材料半導(dǎo)體器件已經(jīng)成為了行業(yè)內(nèi)備受關(guān)注的產(chǎn)品。