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值得學(xué)習(xí)的全SiC功率模塊詳細(xì)解析
在科學(xué)技術(shù)飛速發(fā)展的今天，人們的生活越來(lái)越離不開(kāi)電子產(chǎn)品，而電子元器件的多樣性也促進(jìn)了電子產(chǎn)品的發(fā)展，比如全SiC功率模塊，那么你知道什么是全SiC功率模塊嗎?
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智能功率模塊助力業(yè)界加速邁向基于碳化硅(SiC)的電動(dòng)汽車
當(dāng)前，新型快速開(kāi)關(guān)的碳化硅(SiC)功率晶體管主要以分立器件或裸芯片的形式被廣泛供應(yīng)，SiC器件的一系列特性，如高阻斷電壓、低導(dǎo)通電阻、高開(kāi)關(guān)速度和耐高溫性能，使系統(tǒng)工程師能夠在電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制器和電池充電器的尺寸、重量控制和效率提升等方面取得顯著進(jìn)展，同時(shí)推動(dòng)SiC器件的價(jià)格持續(xù)下降。
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Microchip 推出汽車用700/1200V 碳化硅(SiC)肖特基勢(shì)壘二極管
新產(chǎn)品通過(guò)汽車電子委員會(huì)(AEC)-Q101認(rèn)證，旨在幫助電動(dòng)汽車實(shí)現(xiàn)最高水平的可靠性和耐用性
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聯(lián)合碳化硅 擴(kuò)大肖特基二極管產(chǎn)品組合
新產(chǎn)品在碳化硅(SiC)浪涌電流穩(wěn)健性方面樹(shù)立新的基準(zhǔn)
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碳化硅功率器件特性，你應(yīng)該有所了解？
今天我們來(lái)聊了聊有關(guān)碳化硅作為高壓低損耗的功率半導(dǎo)體器件材料的潛力
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緊盯四大領(lǐng)域，看SiC市場(chǎng)新貴的新玩法
作為新材料的SiC與傳統(tǒng)硅材料相比，從物理特性來(lái)看，電子遷移率相差不大，但其介電擊穿場(chǎng)強(qiáng)、電子飽和速度、能帶隙和熱導(dǎo)率分別是硅材料的10倍、2倍、3倍和3倍。
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UnitedSiC與益登科技簽署分銷協(xié)議 加速業(yè)界采用碳化硅技術(shù)
領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC宣布與益登科技簽署代理協(xié)議，益登科技是總部位于臺(tái)灣的半導(dǎo)體產(chǎn)品主要分銷商和解決方案供應(yīng)商。
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SiC將會(huì)是分立器件和模塊共存的市場(chǎng)
SiC應(yīng)用十幾年了，現(xiàn)在這個(gè)第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展現(xiàn)狀如何了？21ic中國(guó)電子網(wǎng)記者連線了安森美半導(dǎo)體電源方案部產(chǎn)品市場(chǎng)經(jīng)理王利民，講述安森美半導(dǎo)體在SiC上的故事。
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科銳推進(jìn)建造全球最大SiC器件制造工廠和擴(kuò)大SiC產(chǎn)能
科銳正在推進(jìn)從硅 (Si) 向碳化硅 (SiC) 的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型
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SiC MOSFET應(yīng)用技術(shù)在雪崩條件下的魯棒性評(píng)估
本文將探討如何在雪崩工作條件下評(píng)估SiC MOSFET的魯棒性。
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升級(jí)“中國(guó)芯”_中車時(shí)代電氣第三代功率半導(dǎo)體器件生產(chǎn)線建設(shè)見(jiàn)聞
2月7日，株洲中車時(shí)代電氣SiC（碳化硅）生產(chǎn)線上，工人忙著生產(chǎn)。 透過(guò)通透的玻璃擋板，可以看到從頭到腳“全副武裝”的粉色制服技術(shù)人員和藍(lán)色制服設(shè)備
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助力在系統(tǒng)層面優(yōu)化效率的碳化硅（SiC）電源器件系列產(chǎn)品
你知道助力在系統(tǒng)層面優(yōu)化效率的碳化硅(SiC)電源器件系列產(chǎn)品嗎?它有什么作用?業(yè)界希望基于碳化硅(SiC)的系統(tǒng)能最大程度地提升效率、減小尺寸和重量，從而幫助工程師創(chuàng)建創(chuàng)新的電源解決方案;這一需求正在持續(xù)、快速地增長(zhǎng)。SiC技術(shù)的應(yīng)用場(chǎng)景包括電動(dòng)汽車、充電站、智能電網(wǎng)、工業(yè)電力系統(tǒng)和飛機(jī)電力系統(tǒng)等。
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重點(diǎn)介紹有關(guān)汽車用SiC技術(shù)
摘要 – 在未來(lái)幾年投入使用SiC技術(shù)來(lái)應(yīng)對(duì)汽車電子技術(shù)挑戰(zhàn)是ECSEL JU 的WInSiC4AP項(xiàng)目所要達(dá)到的目標(biāo)之一。ECSEL JU和ESI協(xié)同為該項(xiàng)目提供資金支持，實(shí)現(xiàn)具有重大經(jīng)濟(jì)和社
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ROHM開(kāi)發(fā)出業(yè)界先進(jìn)的第4代低導(dǎo)通電阻SiC MOSFET
~可加快車載主機(jī)逆變器等的普及速度~
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探訪三亞FE現(xiàn)場(chǎng)，揭秘文圖瑞車隊(duì)精彩逆變
Formula E已經(jīng)走到第五個(gè)賽季，一路展示著EV（電動(dòng)汽車）其獨(dú)有的魅力。電光火石間，“科技凝聚體”以280Km/h的速度穿過(guò)紐約，巴黎，香港等各大城市的公共道路，同時(shí)收獲了以千禧一代為首，
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緯湃科技和羅姆攜手打造SiC電源解決方案
有助于進(jìn)一步提高電動(dòng)汽車領(lǐng)域電力電子器件的效率
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SiC功率元件憑借電動(dòng)車發(fā)展擴(kuò)大應(yīng)用 成本問(wèn)題為主要考量
受惠于電動(dòng)車市場(chǎng)需求提升，為因應(yīng)高電壓、高頻率及低耗損的技術(shù)需求，SiC（碳化硅）功率元件被視為接替高電壓IGBT的產(chǎn)品，可分為：SiC-SBD（SiC-蕭特基二極管）、SiC-MOSFET、H
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UnitedSiC任命亞太區(qū)銷售副總裁
2020年5月28日，新澤西州普林斯頓：領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC，現(xiàn)已任命劉魯偉為亞洲銷售副總裁。
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一文看明白眾說(shuō)紛紜的SiC（文末報(bào)名在線研討會(huì)）
一文看明白眾說(shuō)紛紜的SiC（文末報(bào)名在線研討會(huì)） ? 第一代半導(dǎo)體材料一般是指硅（Si）元素和鍺（Ge）元素，其奠定了20 世紀(jì)電子工業(yè)的基礎(chǔ)。第二代半導(dǎo)體材料主要指化合物半導(dǎo)體材料，如砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）、磷化鎵（GaP）、砷化銦（InAs）、砷化
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SiC和GaN的現(xiàn)狀，你了解嗎？
什么是SiC和GaN?它有什么作用?SiC和GaN被稱為“寬禁帶半導(dǎo)體”(WBG)，因?yàn)閷⑦@些材料的電子從價(jià)帶擴(kuò)散到導(dǎo)帶所需的能量為：在硅中，該能量為1.1eV， SiC(碳化硅)為3.3eV，GaN(氮化鎵)為3.4eV。這導(dǎo)致較高的適用擊穿電壓，在某些應(yīng)用中可以達(dá)到1200至1700V。由于使用了生產(chǎn)工藝，WBG設(shè)備顯示出以下優(yōu)勢(shì)：
