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國產(chǎn)6英寸SiC小批量交付，寧德時(shí)代合資創(chuàng)新公司
據(jù)業(yè)內(nèi)消息，近日位于上海臨港的天岳SiC半導(dǎo)體材料項(xiàng)目已經(jīng)成功封頂，6英寸SiC導(dǎo)電襯底生產(chǎn)目前已經(jīng)進(jìn)行小批量交付；注冊資本一千萬，由寧德時(shí)代和寧德新能源科技有限公司等間接共同持股的中科邦普循環(huán)科技創(chuàng)新有限公司成立。
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Wolfspeed將投資數(shù)十億美金在北美建世界最大SiC工廠
據(jù)業(yè)內(nèi)消息，Wolfspeed近日表示將投資數(shù)十億美金在美國北卡羅來納州查塔姆縣建造采用領(lǐng)先前沿技術(shù)的SiC材料制造工廠，此工廠預(yù)計(jì)將提升現(xiàn)有SiC產(chǎn)能十倍，用于支持Wolfspeed未來長期的戰(zhàn)略增長，建成后將成為世界上最大的SiC工廠，也會進(jìn)一步加快SiC半導(dǎo)體在未來世界終端市場應(yīng)用。
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通過并聯(lián) SiC MOSFET 獲得更多功率
開關(guān)、電阻器和MOSFET的并聯(lián)連接的目的是劃分所涉及的功率并創(chuàng)建可以承受更大功率的設(shè)備。它們可以并聯(lián)以增加輸出電流的容量。因?yàn)樗鼈儾皇軣嵊绊懖环€(wěn)定性，并聯(lián)連接通常比其他更過時(shí)的組件更簡單，更不重要。碳化硅MOSFET也可以與其他同類器件并聯(lián)使用。多個單元之間的簡單并聯(lián)在正常條件下工作良好，但在與溫度、電流和工作頻率相關(guān)的異常事件中，操作條件可能變得至關(guān)重要。因此，必須采取一定的預(yù)防措施來創(chuàng)建防故障電路，以便它們能夠充分利用功率器件并聯(lián)所提供的優(yōu)勢。
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干貨滿滿！2022集邦咨詢第三代半導(dǎo)體前沿趨勢研討會圓滿落幕
在新能源汽車、5G通訊、光伏儲能等終端應(yīng)用的發(fā)展下，SiC/GaN等第三代半導(dǎo)體材料水漲船高，成為時(shí)下最火熱的發(fā)展領(lǐng)域之一。為全面梳理第三代半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀、面臨的瓶頸以及技術(shù)突破的方向，TrendForce集邦咨詢旗下化合物半導(dǎo)體市場、全球半導(dǎo)體觀察于2022年8月9日，在深圳福田JW萬豪酒店舉辦2022集邦咨詢第三代半導(dǎo)體前沿趨勢研討會。
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順應(yīng)汽車電氣化趨勢，持續(xù)投資SiC技術(shù)
今年上半年中國汽車工業(yè)運(yùn)行數(shù)據(jù)出爐，據(jù)中汽協(xié)數(shù)據(jù)顯示，上半年新能源汽車產(chǎn)銷分別達(dá)到266.1萬輛和260萬輛，同比增長均為1.2倍，市場占有率達(dá)到21.6%?？梢哉f，汽車電氣化的趨勢已經(jīng)成為一種業(yè)界的共識。
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UnitedSiC（現(xiàn)已被 Qorvo收購）為功率設(shè)計(jì)擴(kuò)展高性能且高效的750V SiC FET產(chǎn)品組合
7 款 D2PAK 表貼器件提供出色的靈活性
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車企搭載積極，2022年車用SiC功率元件市場規(guī)模將突破10億美元
Jul. 14, 2022 ---- 為進(jìn)一步提升電動汽車動力性能，全球各大車企已將目光鎖定在新一代SiC(碳化硅)功率元件，并陸續(xù)推出了多款搭載相應(yīng)產(chǎn)品的高性能車型。據(jù)TrendForce集邦咨詢研究，隨著越來越多車企開始在電驅(qū)系統(tǒng)中導(dǎo)入SiC技術(shù)，預(yù)估2022年車用SiC功率元件市場規(guī)模將達(dá)到10.7億美元，至2026年將攀升至39.4 億美元。
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汽車應(yīng)用中的寬帶隙材料
電動汽車 (EV) 和混合動力電動汽車 (HEV) 正在尋找提高功率轉(zhuǎn)換效率的解決方案。 長期以來，大多數(shù)電子功率器件都是基于硅的，硅是一種可以在加工過程中幾乎不會產(chǎn)生任何缺陷的半導(dǎo)體。然而，硅的理論性能現(xiàn)在幾乎已經(jīng)完全實(shí)現(xiàn)，突出了這種材料的一些局限性，包括有限的電壓阻斷能力、有限的傳熱能力、有限的效率和不可忽略的傳導(dǎo)損耗。與硅相比，碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 等寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體具有更出色的性能：更高的效率和開關(guān)頻率、更高的工作溫度和更高的工作電壓。
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電源設(shè)計(jì)說明：面向高性能應(yīng)用的新型 SiC 和 GaN FET 器件分析
在本文中，我們分析了一些碳化硅和氮化鎵 FET器件的靜態(tài)和動態(tài)行為。公司正在將精力集中在這些類型的組件上，這些組件允許創(chuàng)建高效轉(zhuǎn)換器和逆變器。
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從硅到 SiC 和 GaN MOSFET 技術(shù)的發(fā)展
本文追溯了電力電子的歷史，可追溯到硅MOSFET仍用于驅(qū)動強(qiáng)大的電子負(fù)載時(shí)。讓我們通過描述、應(yīng)用和模擬重新發(fā)現(xiàn)硅的世界，了解電子世界是如何在短短幾年內(nèi)發(fā)生巨大變化的，因?yàn)樾碌?SiC 和 GaN MOSFET 的發(fā)現(xiàn)和開發(fā)。
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用于下一代電動汽車的 SiC MOSFET
電動和混合動力汽車的設(shè)計(jì)人員致力于提高能量轉(zhuǎn)換效率，這些設(shè)備具有緊湊的封裝和高熱可靠性電力電子模塊的組裝，并降低了開關(guān)損耗。
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安森美豐富的SiC方案解決新一代UPS的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
隨著云計(jì)算、超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、5G應(yīng)用和大型設(shè)備的不斷發(fā)展，市場對不間斷電源 (UPS)的需求保持高位，且正在往小型化、高容量化、高效化發(fā)展，設(shè)計(jì)人員面臨如何在性能、能效、尺寸、成本、控制難度之間權(quán)衡取舍的挑戰(zhàn)，安森美(onsemi)基于新一代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)的方案，有助于變革性地優(yōu)化UPS設(shè)計(jì)。
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PCIM Europe歐洲電力電子系統(tǒng)及元器件展-碳化硅和氮化鎵應(yīng)用介紹
PCIM Europe德國紐倫堡電力電子系統(tǒng)及元器件展，創(chuàng)辦于1979年，每年一屆，至今已經(jīng)有30多年的歷史。該展是歐洲電力電子及其使用范疇、智能運(yùn)動和電能質(zhì)量最具影響力的博覽會，也是全球最大的功率半導(dǎo)體展會。PCIM Europe以其高質(zhì)量的專業(yè)觀眾，成為享譽(yù)電力電子行業(yè)的專業(yè)國際性展會。
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SiC 推動電源應(yīng)用的創(chuàng)新
在過去的四十年里，由于采用了更好的設(shè)計(jì)和制造工藝，以及高質(zhì)量材料的可用性，基于硅技術(shù)的功率器件取得了重大進(jìn)展。然而，大多數(shù)商用功率器件現(xiàn)在正在接近硅提供的理論性能極限，特別是在它們阻擋高壓的能力、在導(dǎo)通狀態(tài)下提供低電壓降以及它們在非常高的頻率下開關(guān)的能力方面。
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PCIM Europe歐洲電力電子系統(tǒng)及元器件展-碳化硅部分
德國紐倫堡—2022年5月10日-12日,一年一度的PCIM Europe盛大開幕，PCIM Europe即歐洲電力電子系統(tǒng)及元器件展,是電力電子、智能運(yùn)動、可再生能源和能源管理領(lǐng)域最具影響力的博覽會,也是全球最大的功率半導(dǎo)體展會,繼連續(xù)兩年舉辦線上展會后,于今年終于回歸線下。
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貿(mào)澤備貨UnitedSiC UF4C/SC 1200V第四代SiC FET為各類電源應(yīng)用提供更好的支持
2022年6月9日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開始分銷UnitedSiC(現(xiàn)已被Qorvo?收購)的UF4C和UF4SC 1200V碳化硅 (SiC) FET。作為廣泛的高性能SiC FET系列產(chǎn)品，此第四代器件具有出色的導(dǎo)通電阻特性，適用于主流800V總線架構(gòu)中的電源解決方案，如電動汽車車載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC-DC太陽能逆變器等應(yīng)用。
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電源設(shè)計(jì)說明：線性方案中的 SiC MOSFET
SiC MOSFET 在開關(guān)狀態(tài)下工作。然而，了解其在線性狀態(tài)下的行為是有用的，這可能發(fā)生在驅(qū)動器發(fā)生故障的情況下，或者出于某些目的，當(dāng)設(shè)計(jì)者編程時(shí)會發(fā)生這種情況。
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智能能源時(shí)代的 SiC
隨著硅達(dá)到功率器件的理論性能限制，電力電子行業(yè)一直在向?qū)拵恫牧?WBG) 過渡?；谔蓟?(SiC) 和氮化鎵技術(shù)的 WBG 功率半導(dǎo)體器件提供的設(shè)計(jì)優(yōu)勢可提高應(yīng)用性能，包括：低漏電流、顯著降低的功率損耗、更高的功率密度、更高的工作頻率以及耐受更高工作溫度的能力. 使用比純硅等效器件更小的器件尺寸，所有這些都是可能的。穩(wěn)健性和更高的可靠性是其他重要屬性，從而提高了設(shè)備的總預(yù)期壽命和運(yùn)行穩(wěn)定性。
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ATFX2022年第二季《交易者雜志》正式上線
（全球TMT2022年4月30日訊）近期，匯集2022年第二季度展望的ATFX《交易者雜志》正式上線，分析師團(tuán)隊(duì)從專業(yè)的視角為投資者提供內(nèi)容詳盡的深度行情解讀。此次《交易者雜志》的全球分析團(tuán)隊(duì)更大強(qiáng)大。ATFX不但再次添加了兩位中東和北非市場分析師Mohamed Nabawy和...
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安森美將在PCIM Europe 2022展示高能效方案
USB-C電源套件包(Power Bundle)、第7代1200 V IGBT和二極管以及首款TOLL封裝的650 V 碳化硅(SiC) MOSFET器件簡化高能效電源方案的設(shè)計(jì)
