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【媒體訪談】車用級(jí)碳化硅應(yīng)用如何？
點(diǎn)擊上方藍(lán)字關(guān)注我們 安森美半導(dǎo)體： 不斷推進(jìn)與車企的各種合作項(xiàng)目 安森美半導(dǎo)體提供大范圍的車用碳化硅 （SiC） MOSFET 和車用SiC二極管，包括：650V SiC二極管、1200V SiC二極管、1700V SiC二極管、650V SiC MOSFET （現(xiàn)提供樣品，今...
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產(chǎn)能翻番，安森美碳化硅為何“必不可少”？
安森美半導(dǎo)體的市場(chǎng)份額增長(zhǎng)極快，2019年成為了排名第五的碳化硅供應(yīng)商，而這家廠商的愿景是在2025年躋身前三甲。
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開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)：玩轉(zhuǎn)SiC MOSFET我有特別的技巧（在線研討會(huì)）
【ROHM在線研討會(huì)】 將于5月28日重磅開(kāi)啟！ ? 以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體 具備高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)越性能? ? 材料方面 高品質(zhì) 4 英寸襯底全面商業(yè)化 6 英寸襯底的商業(yè)化也在持續(xù)推進(jìn) ? 產(chǎn)業(yè)方面 國(guó)際企業(yè)紛紛加強(qiáng)
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人工智能通過(guò)什么方式加強(qiáng)人類能力
根據(jù)調(diào)研機(jī)構(gòu)Gartner公司的調(diào)查，到2021年，全球各地的組織將通過(guò)人工智能創(chuàng)造將近3萬(wàn)億美元的商業(yè)價(jià)值。 有些人表示，人工智能技術(shù)有朝一日可能完全取代工作場(chǎng)所中的人類。至少在可預(yù)見(jiàn)
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從電動(dòng)汽車?yán)m(xù)航痛點(diǎn)到安全挑戰(zhàn) SiC功率元器件的作用逐漸在顯現(xiàn)
動(dòng)力電池是新能源汽車的核心能量源。為保障電池高效、可靠、安全運(yùn)行，需要通過(guò)電池管理系統(tǒng)（BMS）對(duì)動(dòng)力電池進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)控、故障診斷、SOC 估算、短路保護(hù)等，并通過(guò) CAN 總線與車輛集成控制器進(jìn)
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氮化鎵應(yīng)用升溫 快充下探至100元大關(guān)
在5G、電動(dòng)車、電源裝置等應(yīng)用的推動(dòng)下，第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵(GaN)產(chǎn)業(yè)需求已逐漸升溫。 由于對(duì)設(shè)計(jì)、制造業(yè)者來(lái)說(shuō)，資金、良率、成本、技術(shù)等環(huán)節(jié)皆為投入GaN領(lǐng)域的考驗(yàn)，因此早期多由歐美IDM業(yè)者
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SiC酷在哪里？如何做最酷的SiC？
硅是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的代表元素，作為最基礎(chǔ)的器件原料，硅的性能已經(jīng)接近了其物理極限。近年來(lái)隨著電動(dòng)汽車、5G的新應(yīng)用的普及，對(duì)于功率器件的性能提出了更高的要求。例如GaN、砷化鎵和SiC（碳化硅）等新材料半導(dǎo)體器件已經(jīng)成為了行業(yè)內(nèi)備受關(guān)注的產(chǎn)品。
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PI公司宣布旗下適用于SiC MOSFET的SCALE-iDriver現(xiàn)已通過(guò)AEC-Q100汽車級(jí)認(rèn)證
美國(guó)加利福尼亞州圣何塞，2020年3月17日 – 深耕于中高壓逆變器應(yīng)用門極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI）今日宣布，其適合碳化硅(SiC) MOSFET的高效率單通道門極驅(qū)動(dòng)器SIC118xKQ SCALE-iDriver?現(xiàn)已通過(guò)AEC-Q100汽車級(jí)
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三安集成為寬禁帶電力半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)布全新升級(jí)生產(chǎn)平臺(tái)
為最前沿的電力電力技術(shù)提供更廣泛更全面的代工服務(wù)
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世強(qiáng)再添SiC頂尖品牌UnitedSiC，提供可直接替代Si器件的SiC FET免費(fèi)樣品
據(jù)消息稱，美國(guó)專業(yè)功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC與擁有50萬(wàn)工程師用戶的世強(qiáng)元件電商合作。
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韓國(guó)三星,現(xiàn)代,LG等SiC供應(yīng)商，世強(qiáng)再添第三代半導(dǎo)體功率器件品牌美浦森，提供免費(fèi)樣品
世強(qiáng)元件電商再添第三代半導(dǎo)體功率器件品牌，授權(quán)代理全球SiC MOSFET頂尖制造商美浦森（Maplesemi）。
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實(shí)現(xiàn)SiC器件與高速電機(jī)、電控系統(tǒng)的全方位優(yōu)化、匹配，追求最佳效率、功率密度及可靠性，滿足工業(yè)和新能源汽車應(yīng)用的更高需求
CISSOID與華中科技大學(xué)電氣與電子工程學(xué)院達(dá)成深度戰(zhàn)略合作協(xié)議，雙方將共同開(kāi)展相關(guān)前沿技術(shù)的研究開(kāi)發(fā)
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電路中的碳化硅
什么是SiC?它的作用是什么?SiC材料在能源解決方案中的應(yīng)用正在汽車和工業(yè)市場(chǎng)中加速發(fā)展。制作碳化硅(SiC)晶圓比制作硅晶圓要復(fù)雜得多，并且隨著對(duì)SiC器件需求的增加，制造碳化硅(SiC)器件的公司不得不確定SiC晶圓的來(lái)源。
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SiC MOSFET在汽車和電源中的應(yīng)用
科學(xué)技術(shù)的不斷發(fā)展推動(dòng)者電子元器件的不斷革新，傳統(tǒng)硅基MOSFET技術(shù)日趨成熟，正在接近性能的理論極限。寬帶隙半導(dǎo)體的電、熱和機(jī)械特性更好，能夠提高M(jìn)OSFET的性能，是一項(xiàng)關(guān)注度很高的替代技術(shù)。商用硅基功率MOSFET已有近40年的歷史，自問(wèn)世以來(lái)，MOSFET和IGBT一直是開(kāi)關(guān)電源的主要功率處理控制組件，被廣泛用于電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等電路設(shè)計(jì)。
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ROHM的SiC功率元器件被應(yīng)用于UAES的電動(dòng)汽車車載充電器
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)的SiC功率元器件(SiC MOSFET*1)被應(yīng)用于中國(guó)汽車行業(yè)一級(jí)綜合性供應(yīng)商
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安森美推出寬禁帶器件：900V和1200V SiC MOSFET
新的SiC MOSFET器件實(shí)現(xiàn)更好的性能、更高的能效和能在嚴(yán)苛條件下工作
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CISSOID三相SiC MOSFET智能功率模塊問(wèn)市
這個(gè)全新的可擴(kuò)展平臺(tái)同時(shí)優(yōu)化了功率開(kāi)關(guān)的電氣、機(jī)械和散熱設(shè)計(jì)及其臨界控制，對(duì)于電動(dòng)汽車（EV）整車廠和愿意快速采用基于碳化硅的逆變器以實(shí)現(xiàn)更高效、更簡(jiǎn)潔電機(jī)驅(qū)動(dòng)的電動(dòng)機(jī)制造商而言，該平臺(tái)可以幫助他們加快產(chǎn)品上市時(shí)間。
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CISSOID強(qiáng)勁可靠的柵極驅(qū)動(dòng)器為 Wolfspeed的快速開(kāi)關(guān)碳化硅（SiC）功率模塊提供支持
各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID日前宣布，為Wolfspeed提供強(qiáng)勁可靠的柵極驅(qū)動(dòng)器，以支持其XM3碳化硅（SiC）MOSFET功率模塊。
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新型IGBT誕生，made in China
當(dāng)前，碳化硅基功率器件面臨著嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)，現(xiàn)有的碳化硅基肖特基二極管，MOSFET等器件并不能有效地滿足實(shí)際應(yīng)用需要，對(duì)IGBT器件的需求日益迫切，必須突破碳化硅基IGBT研究中的瓶頸問(wèn)題，增加器件耐壓強(qiáng)度
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除了業(yè)界最小RDSon之外，與硅器件相同的驅(qū)動(dòng)特性才是United SiC FET的殺手锏
采用Si基MOSFET和SiC基的JFET，采用共源共柵的方式將其燒結(jié)在一起，是United SiC的最大設(shè)計(jì)特色。這種結(jié)構(gòu)確保其產(chǎn)品可以保持與Si類功率器件保持一致的驅(qū)動(dòng)電壓，從而可以幫助可以直接在原有的Si基礎(chǔ)的電路中進(jìn)行直接的升級(jí)和替換。而此次最新推出的UF3SC系列SiC器件，更是以小于10mΩ的業(yè)界最低Rds(on)將SiC器件的性能提升到了新的高度，面對(duì)電動(dòng)汽車和5G等全新應(yīng)用需求，United SiC可以給客戶提供集成度更高、更加高效、更為穩(wěn)定可靠的解決方案。
