材料、信息、能源構(gòu)筑的當(dāng)代文明社會(huì),缺一不可。半導(dǎo)體不僅具有極其豐富的物理內(nèi)涵,而且其性能可以置于不斷發(fā)展的精密工藝控制之下,可謂是“最有料”的材料。在不久的將來(lái),以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導(dǎo)體材料的應(yīng)用,無(wú)論是在軍用領(lǐng)域還是在民用市場(chǎng),都是世界各國(guó)爭(zhēng)奪的戰(zhàn)略陣地。
Qorvo, Inc.推出新的50V GaN-on-SiC 晶體管系列---QPD1004、QPD1014和QPD1011,該晶體管系列可以提高性能、增強(qiáng)功能,并加快任務(wù)關(guān)鍵型戰(zhàn)術(shù)和公共安全電臺(tái)的開(kāi)發(fā)速度。這些晶體管針對(duì)寬帶應(yīng)用進(jìn)行過(guò)輸入匹配處理,并且尺寸小巧,可以實(shí)現(xiàn)尺寸更小的新一代通信設(shè)備。
——支持1200V 400A(BSM400D12P3G002)、600A(BSM600D12P3G001),有助于大功率應(yīng)用的高效化與小型化全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM面向工業(yè)設(shè)備用的電源、太陽(yáng)能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器及UPS等的逆變器、轉(zhuǎn)換器,開(kāi)發(fā)出
繼第一代元素半導(dǎo)體材料(si)和第二代化合物半導(dǎo)體材料后,第三代禁帶寬度半導(dǎo)體材料(SiC、GaN、C-BN、ZnSe等)已經(jīng)在獲得了眾多半導(dǎo)體廠(chǎng)商的認(rèn)可。第三代半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速
市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IHS最新統(tǒng)計(jì)報(bào)告指出,隨著愈來(lái)愈多供應(yīng)商推出產(chǎn)品,2015年碳化矽(SiC)功率半導(dǎo)體平均銷(xiāo)售價(jià)格已明顯下滑,有望刺激市場(chǎng)加速采用;與此同時(shí),氮化鎵(GaN)功率半
2015年11月16日~11月21日,中國(guó)國(guó)際高新技術(shù)成果交易會(huì)(簡(jiǎn)稱(chēng)高交會(huì))在深圳會(huì)展中心隆重舉行。高交會(huì)集成果交易、產(chǎn)品展示、高層論壇、項(xiàng)目招商、合作交流于一體,是目前中國(guó)規(guī)模最大、最具影響力的科技類(lèi)展會(huì),有&
Intel的成功始于44年前的4004處理器,這是世界首款商用處理器,原本做存儲(chǔ)器的Intel公司自此踏上了處理器領(lǐng)域,背后的根源則是日本電子公司的短視。
Wolfspeed (原CREE Power產(chǎn)品)推出業(yè)界首款900V SiC MOSFET系列產(chǎn)品,拓展了高頻電力電子應(yīng)用的范圍。相比于相當(dāng)于硅MOSFET,這一突破900V SiC使我們的產(chǎn)品的新市場(chǎng)通過(guò)擴(kuò)大我們?cè)诮K端系統(tǒng)解決功率范圍。該系列產(chǎn)品
移動(dòng)設(shè)備、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國(guó)防應(yīng)用中RF解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商Qorvo,Inc.(納斯達(dá)克代碼:QRVO)今日宣布推出一系列創(chuàng)新產(chǎn)品,旨在加速高速有線(xiàn)電視 (CATV) DOCSIS 3.
Si MOSFET管因?yàn)槠漭斎胱杩垢?,隨著其反向耐壓的提高,通態(tài)電阻也急劇上升,從而限制了其在高壓場(chǎng)合的應(yīng)用。SiC作為一種寬禁代半導(dǎo)體器件,具有飽和電子漂移速度高、電場(chǎng)擊穿強(qiáng)度高、介電常數(shù)低和熱導(dǎo)率高等特性。世
集LED照明解決方案、化合物半導(dǎo)體材料、功率器件和射頻于一體的全球著名制造商和行業(yè)領(lǐng)先者CREE公司于近日推出一款全碳化硅半橋功率模塊 CAS300M17BM2。業(yè)界首款全碳化硅1.7kV功率模塊的誕生更加確立了CREE公司在碳
日立制作所和日立汽車(chē)系統(tǒng)公司2015年9月28日宣布,面向混合動(dòng)力車(chē)和純電動(dòng)汽車(chē)開(kāi)發(fā)出了高效率、高功率的逆變器。與日立的原產(chǎn)品相比,新產(chǎn)品的電力損耗削減60%,相同體積下
1 概述安川電機(jī)公司自1974 年對(duì)電動(dòng)機(jī)控制用的晶體管變頻器實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品化以來(lái),一直推動(dòng)著電力電子技術(shù)與微電子技術(shù)的進(jìn)展,為變頻器驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域提供了配置最新技術(shù)的先進(jìn)產(chǎn)品。近
用于功率轉(zhuǎn)換的半導(dǎo)體功率元器件,由于對(duì)所有設(shè)備的節(jié)能化貢獻(xiàn)巨大,其未來(lái)的技術(shù)發(fā)展動(dòng)向受到業(yè)界廣泛關(guān)注。ROHM針對(duì)這種節(jié)能化要求日益高漲的歷史潮流,致力將在使分立半
SiC市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者Cree(科銳公司)近期推出了首款能夠突破業(yè)界SiC功率器件技術(shù)的900V MOSFET平臺(tái)。該款升級(jí)版平臺(tái),基于Cree的SiC平面技術(shù)從而擴(kuò)展了產(chǎn)品組合,能夠應(yīng)對(duì)市場(chǎng)更新的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn),可用于更高直流母線(xiàn)電壓。且領(lǐng)
21ic訊,日前,碳化硅(SiC)技術(shù)全球領(lǐng)導(dǎo)者半導(dǎo)體廠(chǎng)商Cree宣布推出采用 SiC材料可使感應(yīng)加熱效率達(dá)到99%的Vds最大值為1.2KV、典型值為5.0 m?半橋雙功率模塊CAS300M12BM2。該款產(chǎn)品目標(biāo)用途包括感應(yīng)加熱設(shè)備、電機(jī)驅(qū)
在物聯(lián)網(wǎng)潮流的推動(dòng)下,圍繞家居以及生活的智能化成為了全球科技企業(yè)爭(zhēng)相投入重兵的領(lǐng)域。據(jù)Juniper Research最新研究,到2018年,智能家居市場(chǎng)總規(guī)模將達(dá)到710億美元,中國(guó)智能家居市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到1396億人民幣,約
在物聯(lián)網(wǎng)潮流的推動(dòng)下,圍繞家居以及生活的智能化成為了全球科技企業(yè)爭(zhēng)相投入重兵的領(lǐng)域。據(jù)Juniper Research最新研究,到2018年,智能家居市場(chǎng)總規(guī)模將達(dá)到710億美元,中國(guó)智能家居市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到1396億人民幣,約占全球總規(guī)模的32%。其實(shí),智能家居還只是智能生活的一小部分,包括智能建筑、智能交通、智能醫(yī)療等跟我們的生活息息相關(guān)的方方面面,都屬于智能生活的范疇??梢灶A(yù)見(jiàn),未來(lái)智能生活的市場(chǎng)容量可謂空前,這也為智能設(shè)備的基礎(chǔ)--電子元器件提供了巨大商機(jī)?;诖吮尘?,ROHM于2015年6月~8月在全國(guó)5個(gè)城市舉辦了以 “羅姆對(duì)智能生活的貢獻(xiàn)”為主題的“2015 ROHM科技展”。
人體信息監(jiān)控是一個(gè)新興的領(lǐng)域,人們?cè)O(shè)想開(kāi)發(fā)無(wú)線(xiàn)腦電圖(EEG)監(jiān)控設(shè)備來(lái)診斷癲癇病人,可穿戴的無(wú)線(xiàn)EEG能夠極大地改善病人的活動(dòng)空間,并最終通過(guò)因特網(wǎng)實(shí)現(xiàn)家庭監(jiān)護(hù)。這樣的無(wú)線(xiàn)EEG系統(tǒng)已經(jīng)有了,但如何將他們的體
第一代半導(dǎo)體材料Si點(diǎn)燃了信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展的“星星之火”,而Si材料芯片也成就了“美國(guó)硅谷”高科技產(chǎn)業(yè)群,促使英特爾等世界半導(dǎo)體巨頭的誕生,95%以上的