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低功耗SiC二極管實現最高功率密度
相較于硅，碳化硅(SiC)肖特基二極管采用全新的技術，提供更出色的開關性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復電流，且具有不受溫度影響的開關特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導體。
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我國半導體SiC單晶粉料和設備生產實現新突破
SiC單晶是第三代半導體材料，以其特有的大禁帶寬度、高臨界擊穿場強、高電子遷移率、高熱導率等特性， 成為制作高溫、高頻、大功率、抗輻照、短波發(fā)光及光電集成器件的理想材料，是新一代雷達、衛(wèi)星通訊、高壓輸變電、軌道交通、電動汽車、通訊基站等重要領域的核心材料，具有重要的應用價值和廣闊的應用前景。
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美高森美提供下一代1200 V SiC MOSFET樣品和700 V肖特基勢壘二極管器件
21ic訊 美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣布在下季初擴大其碳化硅(SiC) MOSFET 和SiC二極管產品組合，包括提供下一代1200 V、25 mOhm和80 mOhm SiC MOSFET器件的樣品，及下一代700 V、50 A 肖特基勢壘二極
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SiC下，電源半導體如何應對能源問題
作為電力電子器件，SiC器件在低壓領域如高端的白色家電、電動汽車等由于成本因素，逐漸失去了競爭力。但在高壓領域，如高速列車、風力發(fā)電以及智能電網等，SiC具有不可替代性的優(yōu)勢。
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第三代半導體SiC在人工智能中的應用
2017年全球半導體產業(yè)受到存儲器價格上揚、虛擬貨幣高漲、數據中心與云端企業(yè)因應人工智能(AI)應用大幅采用繪圖處理器(GPU)，以及電競比賽普及等帶動，整體營收及獲利明顯增長，展望2018年全球半導體產業(yè)規(guī)模仍將持續(xù)成長……
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在高頻直流—直流轉換器內使用650V碳化硅MOSFET的好處
本文評測了主開關采用意法半導體新產品650V SiC MOSFET的直流-直流升壓轉換器的電熱特性，并將SiC碳化硅器件與新一代硅器件做了全面的比較。測試結果證明，新SiC碳化硅開關管提升了開關性能標桿，讓系統(tǒng)具更高的能效，對市場上現有系統(tǒng)設計影響較大。
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ROHM帶來車載電源IC和SiC的技術革新
近幾年，家庭購置家用車越來越多的會選擇電動汽車，這其中固然有國家的支持和補貼政策的因素，更重要的是，電動汽車本身也有幾個優(yōu)點足以打動消費者的心：首先是環(huán)保，電動汽車的百公里耗電量為15-20kwh，算上發(fā)電廠
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淺談第三代半導體產業(yè)發(fā)展現狀
材料、信息、能源構筑的當代文明社會，缺一不可。半導體不僅具有極其豐富的物理內涵，而且其性能可以置于不斷發(fā)展的精密工藝控制之下，可謂是“最有料”的材料。在不久的將來，以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導體材料的應用，無論是在軍用領域還是在民用市場，都是世界各國爭奪的戰(zhàn)略陣地。
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QORVO新推GAN-ON-SIC晶體管，提高戰(zhàn)術和公共安全電臺的效率和帶寬
Qorvo, Inc.推出新的50V GaN-on-SiC 晶體管系列---QPD1004、QPD1014和QPD1011，該晶體管系列可以提高性能、增強功能，并加快任務關鍵型戰(zhàn)術和公共安全電臺的開發(fā)速度。這些晶體管針對寬帶應用進行過輸入匹配處理，并且尺寸小巧，可以實現尺寸更小的新一代通信設備。
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ROHM全SiC功率模塊的產品陣容更強大!
——支持1200V 400A(BSM400D12P3G002)、600A(BSM600D12P3G001)，有助于大功率應用的高效化與小型化全球知名半導體制造商ROHM面向工業(yè)設備用的電源、太陽能發(fā)電功率調節(jié)器及UPS等的逆變器、轉換器，開發(fā)出
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新材料江湖博弈之局，第三代半導體材料大勢所趨
繼第一代元素半導體材料(si)和第二代化合物半導體材料后，第三代禁帶寬度半導體材料(SiC、GaN、C-BN、ZnSe等)已經在獲得了眾多半導體廠商的認可。第三代半導體材料具有禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速
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SiC/GaN功率半導體產值 2020年破10億美元
市場研究機構IHS最新統(tǒng)計報告指出，隨著愈來愈多供應商推出產品，2015年碳化矽(SiC)功率半導體平均銷售價格已明顯下滑，有望刺激市場加速采用;與此同時，氮化鎵(GaN)功率半
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高交會系列之ROHM：電源之外亦有新天地
2015年11月16日～11月21日，中國國際高新技術成果交易會(簡稱高交會)在深圳會展中心隆重舉行。高交會集成果交易、產品展示、高層論壇、項目招商、合作交流于一體，是目前中國規(guī)模最大、最具影響力的科技類展會，有&
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紀念Intel 4004處理器44周年：感謝沒眼光的日本人
Intel的成功始于44年前的4004處理器，這是世界首款商用處理器，原本做存儲器的Intel公司自此踏上了處理器領域，背后的根源則是日本電子公司的短視。
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更小、更快、更酷、更高效，900V SiC MOSFET在PFC中的應用
Wolfspeed (原CREE Power產品)推出業(yè)界首款900V SiC MOSFET系列產品，拓展了高頻電力電子應用的范圍。相比于相當于硅MOSFET，這一突破900V SiC使我們的產品的新市場通過擴大我們在終端系統(tǒng)解決功率范圍。該系列產品
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Qorvo在升級DOCSIS3.1中結合GaN on SiC及先進的封裝技術從而降低成本，增加帶寬并節(jié)省電路板空間
移動設備、基礎設施與航空航天、國防應用中RF解決方案的領先供應商Qorvo，Inc.(納斯達克代碼：QRVO)今日宣布推出一系列創(chuàng)新產品，旨在加速高速有線電視 (CATV) DOCSIS 3.
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性價比：SiC MOSFET比Si MOSFET不只高出一點點
Si MOSFET管因為其輸入阻抗高，隨著其反向耐壓的提高，通態(tài)電阻也急劇上升，從而限制了其在高壓場合的應用。SiC作為一種寬禁代半導體器件，具有飽和電子漂移速度高、電場擊穿強度高、介電常數低和熱導率高等特性。世
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業(yè)界首款全SiC功率模塊問世：開關效率提升10倍
集LED照明解決方案、化合物半導體材料、功率器件和射頻于一體的全球著名制造商和行業(yè)領先者CREE公司于近日推出一款全碳化硅半橋功率模塊 CAS300M17BM2。業(yè)界首款全碳化硅1.7kV功率模塊的誕生更加確立了CREE公司在碳
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日立推出車新型SiC逆變器，電力損耗減少60%
日立制作所和日立汽車系統(tǒng)公司2015年9月28日宣布，面向混合動力車和純電動汽車開發(fā)出了高效率、高功率的逆變器。與日立的原產品相比，新產品的電力損耗削減60%，相同體積下
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變頻器重點技術的開發(fā)現狀
1 概述安川電機公司自1974 年對電動機控制用的晶體管變頻器實現產品化以來，一直推動著電力電子技術與微電子技術的進展，為變頻器驅動領域提供了配置最新技術的先進產品。近
