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TeliaSonera建成泛歐洲和北美100G網(wǎng)絡(luò)
北京時(shí)間3月20日下午消息（艾斯）據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，在TeliaSonera升級(jí)了其泛歐洲網(wǎng)絡(luò)之后，TeliaSonera International Carrier(TSIC)表示，該公司已成為“全球首個(gè)建成橫跨歐洲和北美100Gbps網(wǎng)絡(luò)的運(yùn)營(yíng)商&rdquo
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德州儀器柵極驅(qū)動(dòng)器旨在滿(mǎn)足 IGBT 與 SiC FET 設(shè)計(jì)需求
21ic訊 日前，德州儀器 (TI) 宣布推出業(yè)界首款面向絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 與碳化硅 (SiC) FET 的 35 V 單通道輸出級(jí)電源管理柵極驅(qū)動(dòng)器。TI 支持拆分輸出的最新 UCC27531
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關(guān)于PIC24的DISI禁止中斷指令
PIC24的DISI指令是禁止中斷指令,這條指令可以把1-6優(yōu)先級(jí)中斷禁止一個(gè)固定的時(shí)間,用于一些對(duì)時(shí)間特性要求嚴(yán)格的代碼段執(zhí)行前關(guān)閉中斷.禁止中斷指令最大可以禁止中斷時(shí)間為16384 個(gè)指令周期.這條指令的執(zhí)行的時(shí)候,1-6
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Cadence發(fā)布USB3.0 VIP 可部署最新USB3.0協(xié)議擴(kuò)展設(shè)計(jì)
近日，Cadence設(shè)計(jì)公司發(fā)布了用于新型USB SuperSpeed Inter-Chip規(guī)格的經(jīng)過(guò)生產(chǎn)驗(yàn)證的VIP，使用戶(hù)可以充分驗(yàn)證部署最新的USB3.0協(xié)議擴(kuò)展的設(shè)計(jì)。這種SSIC規(guī)格結(jié)合MIPI聯(lián)盟物理界面(M-PHY)和適應(yīng)USB3.0的USB協(xié)議上層，
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2012年度高交會(huì)電子展上的日本新型電子元器件
2012年11月，一年一度的深圳高交會(huì)電子展如期舉辦，來(lái)自日本的數(shù)家知名電子企業(yè)集體亮相，這也是他們向中國(guó)推介最新型電子元器件的重要契機(jī)。接下來(lái)，筆者就精選出由TDK、羅姆(ROHM)和村田制作所帶給大家的創(chuàng)新型電子
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一次切出40片——三菱電機(jī)開(kāi)發(fā)出SiC用放電線(xiàn)切割機(jī)
三菱電機(jī)于2013年2月6日宣布，開(kāi)發(fā)出了能夠一次將一塊多晶碳化硅（SiC）錠切割成40片SiC晶片的“多點(diǎn)放電線(xiàn)切割技術(shù)”。該技術(shù)有望提高SiC晶片加工的生產(chǎn)效率，降低加工成本。 多點(diǎn)放電線(xiàn)切割技術(shù)是將直徑為
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聚焦“SiC”與“GaN”—新一代功率元器件的前沿
前言 在功率元器件的發(fā)展中，主要半導(dǎo)體材料當(dāng)然還是Si。同樣在以Si為主體的LSI世界里，在“將基本元件晶體管的尺寸縮小到1/k，同時(shí)將電壓也降低到1/k，力爭(zhēng)更低功
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電裝等展出世界最高品質(zhì)的6英寸SiC基板
電裝、豐田中央研究所、昭和電工在于東京有明國(guó)際會(huì)展中心舉行的“nano tech 2013”（第12屆國(guó)際納米技術(shù)綜合展）上，展出了共同開(kāi)發(fā)的口徑為6英寸的SiC基板。該基板的特點(diǎn)在于位錯(cuò)（缺陷）密度為數(shù)千個(gè)/cm2，“比市
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美高森美擴(kuò)展碳化硅(SiC)功率模塊產(chǎn)品系列
21ic訊 美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣布提供新一代工業(yè)溫度碳化硅(silicon carbide，SiC)標(biāo)準(zhǔn)功率模塊，它們是用于要求高性能和高可靠性的大功率開(kāi)關(guān)電源、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器、不間斷電源、太陽(yáng)能逆變器、石油勘
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SiC和GaN來(lái)到身邊
2013年1份月已過(guò)去大半，筆者想在此介紹一個(gè)2013年將受關(guān)注的領(lǐng)域。雖然這樣的領(lǐng)域很多，但筆者此次要說(shuō)的是SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體的動(dòng)向。該領(lǐng)域之所以會(huì)受到關(guān)注，是因?yàn)樵?013年，新一代功率半導(dǎo)體的使用范圍
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第三代半導(dǎo)體材料雙雄面臨直接競(jìng)爭(zhēng)
進(jìn)入21世紀(jì)以來(lái)，隨著摩爾定律的失效大限日益臨近，尋找半導(dǎo)體硅材料替代品的任務(wù)變得非常緊迫。在多位選手輪番登場(chǎng)后，有兩位脫穎而出，它們就是氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)——并稱(chēng)為第三代半導(dǎo)體材料的雙雄。SiC早在
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第三代半導(dǎo)體材料雙雄并立，難分高下
進(jìn)入21世紀(jì)以來(lái)，隨著摩爾定律的失效大限日益臨近，尋找半導(dǎo)體硅材料替代品的任務(wù)變得非常緊迫。在多位選手輪番登場(chǎng)后，有兩位脫穎而出，它們就是氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）——并稱(chēng)為第三代半導(dǎo)體材料
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飛兆：2013年SiC市場(chǎng)將正式啟動(dòng)
“受制于制造成本和產(chǎn)品良率影響，目前阻礙SiC產(chǎn)品大規(guī)模進(jìn)入市場(chǎng)的主要原因是價(jià)格昂貴，一般是同類(lèi)Si產(chǎn)品的10倍左右。我個(gè)人認(rèn)為2013年SiC市場(chǎng)將正式啟動(dòng)，在未來(lái)2-3年SiC BJT器件有可能首先成為最先被市場(chǎng)接受
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iTunesiCloud和Maps業(yè)務(wù)掌門(mén)出售1.5萬(wàn)股蘋(píng)果票
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，蘋(píng)果今天向美國(guó)證券交易委員會(huì)提交的材料顯示，蘋(píng)果iTunes、iCloud和Maps業(yè)務(wù)掌門(mén)埃迪·庫(kù)伊(Eddy Cue)上周出售了1.5萬(wàn)股股票，平均售價(jià)略低于584美元，套現(xiàn)不到876萬(wàn)美元。庫(kù)伊去年9月份被提
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安森美半導(dǎo)體擴(kuò)充用于固態(tài)照明系統(tǒng)的恒流穩(wěn)流器產(chǎn)品陣容
21ic訊 安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出了針對(duì)固態(tài)照明系統(tǒng)而設(shè)計(jì)的全新的NSIC20XX系列線(xiàn)性恒流穩(wěn)流器(CCR)。新的NSIC20XX系列CCR提供120伏(V)的最大額定電壓及3瓦(W)功率，能夠承受數(shù)字標(biāo)牌、照明板及裝飾性照明
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飛兆碳化硅(SiC)技術(shù)解決方案 適用功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)
為努力實(shí)現(xiàn)更高的功率密度并滿(mǎn)足嚴(yán)格的效率法規(guī)要求以及系統(tǒng)正常運(yùn)行時(shí)間要求，工業(yè)和功率電子設(shè)計(jì)人員在進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)面臨著不斷降低功率損耗和提高可靠性的難題。 然而，在可再生能源、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、高密度電源、汽
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中國(guó)電能質(zhì)量治理市場(chǎng)快步上揚(yáng)，松下元器件帶來(lái)改善解決方案
中國(guó)經(jīng)濟(jì)迅速增長(zhǎng)的背后離不開(kāi)電能的支持，各行各業(yè)對(duì)電能的需求量以及對(duì)電能質(zhì)量的要求正越來(lái)越高。隨著電能質(zhì)量治理市場(chǎng)規(guī)模的不斷放大，該市場(chǎng)已成為人們關(guān)注的熱點(diǎn)之一，因而也成為2012年第十四屆高交會(huì)電子展中
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飛兆半導(dǎo)體公司發(fā)布了碳化硅(SiC)技術(shù)解決方案
21ic訊 為努力實(shí)現(xiàn)更高的功率密度并滿(mǎn)足嚴(yán)格的效率法規(guī)要求以及系統(tǒng)正常運(yùn)行時(shí)間要求，工業(yè)和功率電子設(shè)計(jì)人員在進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)面臨著不斷降低功率損耗和提高可靠性的難題。 然而，在可再生能源、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、高密度
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美高森美公司推出全新1200V肖特基二極管系列
21ic訊 美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出采用碳化硅(SiC)材料和技術(shù)的全新1200 V 肖特基二極管系列，新的二極管產(chǎn)品瞄準(zhǔn)廣泛的工業(yè)應(yīng)用，包括太陽(yáng)能逆變器、電焊機(jī)、等離子切割機(jī)、快速車(chē)輛充電、石油勘探
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耐2萬(wàn)伏超高壓半導(dǎo)體器件成功被日本研制
日本京都大學(xué)工學(xué)院須田淳準(zhǔn)教授和木本恒暢教授的研究組近日利用碳化硅(SiC)材料成功開(kāi)發(fā)出可耐2萬(wàn)伏超高壓的半導(dǎo)體器件。10月23日該研究組宣布了這一消息。該研究小組于今年6月已開(kāi)發(fā)出可耐2萬(wàn)伏超高壓的半導(dǎo)體二極
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